SPP80P06P
G
SPB80P06P
G
SIPMOS
功率晶体管
特点
产品概述
·
P沟道
P沟道
漏源电压
增强型
模式
·
增强
漏源导通电阻
额定雪崩
·
额定雪崩
连续漏电流
dv / dt的额定
·
175°C
dv / dt的额定
温度
操作
·
175 ° C工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
符合AEC Q101标准
V
DS
R
DS ( ON)
I
D
-60
0.023
-80
V
W
A
TYPE
SPP80P06P
G
SPB80P06P
G
包
PG-TO263-3
无铅
是的
销1
G
销2/4
D
3脚
S
PG-TO220-3
是的
最大额定值,在
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
价值
-80
-64
单位
A
I
D
T
C =
25 °C,
1)
T
C
= 100 °C
漏电流脉冲
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
-320
823
34
6
KV / μs的
mJ
T
C
= 25 °C
雪崩能量,单脉冲
I
D
= -80 A ,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
W
雪崩能量,通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
= -80 A,
V
DS
= -48 ,的di / dt = 200 A / μs的,
T
JMAX
= 175 °C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
±20
340
-55...+175
55/175/56
V
W
°C
T
C
= 25 °C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1当前受限于键合线;有
R
thJC
= 0.4 K / W ,芯片能够执行
I
= -91A
D
1.4版
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SPP80P06P
G
SPB80P06P
G
热特性
参数
特征
热阻,结 - 案
热阻,结 - 环境,含铅
SMD版本, PCB上的元件:
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
符号
分钟。
值
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
0.4
62
62
40
K / W
单位
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
符号
分钟。
值
典型值。
-
-3
马克斯。
-
-4
A
-
-
-0.1
-10
-10
0.021
-1
-100
-100
0.023
nA
V
单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
-60
-2.1
V
GS
= 0 V,
I
D
= -250 A
栅极阈值电压,
V
GS
=
V
DS
I
D
= -5.5毫安
零栅极电压漏极电流
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
R
DS ( ON)
-
-
V
GS
= -20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
W
V
GS
= -10 V,
I
D
= -64 A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米(一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
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