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SPP80P06P
G
SPB80P06P
G
SIPMOS
功率晶体管
特点
产品概述
·
P沟道
P沟道
漏源电压
增强型
模式
·
增强
漏源导通电阻
额定雪崩
·
额定雪崩
连续漏电流
dv / dt的额定
·
175°C
dv / dt的额定
温度
操作
·
175 ° C工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
符合AEC Q101标准
V
DS
R
DS ( ON)
I
D
-60
0.023
-80
V
W
A
TYPE
SPP80P06P
G
SPB80P06P
G
PG-TO263-3
无铅
是的
销1
G
销2/4
D
3脚
S
PG-TO220-3
是的
最大额定值,在
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
价值
-80
-64
单位
A
I
D
T
C =
25 °C,
1)
T
C
= 100 °C
漏电流脉冲
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
-320
823
34
6
KV / μs的
mJ
T
C
= 25 °C
雪崩能量,单脉冲
I
D
= -80 A ,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
W
雪崩能量,通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
= -80 A,
V
DS
= -48 ,的di / dt = 200 A / μs的,
T
JMAX
= 175 °C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
±20
340
-55...+175
55/175/56
V
W
°C
T
C
= 25 °C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1当前受限于键合线;有
R
thJC
= 0.4 K / W ,芯片能够执行
I
= -91A
D
1.4版
第1页
2009-11-19
SPP80P06P
G
SPB80P06P
G
热特性
参数
特征
热阻,结 - 案
热阻,结 - 环境,含铅
SMD版本, PCB上的元件:
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
符号
分钟。
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
0.4
62
62
40
K / W
单位
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
符号
分钟。
典型值。
-
-3
马克斯。
-
-4
A
-
-
-0.1
-10
-10
0.021
-1
-100
-100
0.023
nA
V
单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
-60
-2.1
V
GS
= 0 V,
I
D
= -250 A
栅极阈值电压,
V
GS
=
V
DS
I
D
= -5.5毫安
零栅极电压漏极电流
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
R
DS ( ON)
-
-
V
GS
= -20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
W
V
GS
= -10 V,
I
D
= -64 A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米(一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
1.4版
第2页
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SPP80P06P
G
SPB80P06P
G
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
输入电容
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
2*I
D
*R
DS ( ON)最大值
,
I
D
= -64 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
18
-
-
-
-
36
4026
1252
437
24
-
5033
1565
546
36
S
pF
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
ns
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -64 A,
R
G
= 1
W
上升时间
t
r
-
18
27
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -64 A,
R
G
= 1
W
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
-
56
84
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -64 A,
R
G
= 1
W
下降时间
t
f
-
30
45
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -64 A,
R
G
= 1
W
1.4版
第3页
2009-11-19
SPP80P06P
G
SPB80P06P
G
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
门源费
典型值。
马克斯。
单位
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
(高原)
-
-
-
-
27.4
50
115
-6.2
41
75
173
-
nC
V
DD
= -48 V,
I
D
= -80 A
栅漏电荷
V
DD
= -48 V,
I
D
= -80 A
栅极电荷总量
V
DD
= -48 V,
I
D
= -80 A,
V
GS
= 0至-10 V
栅极电压平台
V
V
DD
= -48 V ,
I
D
= -80 A
参数
反向二极管
逆二极管连续正向电流
符号
分钟。
典型值。
-
-
-1.2
117
420
马克斯。
-80
-320
-1.6
175
630
单位
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
-
-
-
-
-
A
T
C
= 25 °C
逆二极管直流,脉冲
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
ns
nC
V
GS
= 0 V,
I
F
= -80 A
反向恢复时间
V
R
= -30 V,
I
F
=
I
S
,二
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= -30 V,
I
F=
l
S
,二
F
/ DT = 100 A / μs的
1.4版
第4页
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SPP80P06P
G
SPB80P06P
G
功耗
漏电流
参数:
V
GS
10 V
SPP80P06P
P
合计
=
f
(T
C
)
SPP80P06P
I
D
=
f
(T
C
)
-90
360
W
280
240
A
-70
-60
P
合计
I
D
200
160
120
80
40
0
0
-50
-40
-30
-20
-10
0
0
100 120 140 160
°C
190
20
40
60
80
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
T
C
安全工作区
瞬态热阻抗
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
-10
3
SPP80P06P
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数:
D
=
t
p
/T
10
1
SPP80P06P
K / W
A
t
P = 14.0μs
10
0
-10
2
Z
thJC
100 s
10
-1
I
D
V
DS
/I
D
=
1毫秒
10
-2
D = 0.50
0.20
10
-3
0.10
0.05
DS
(
on
)
-10
1
DC
R
10毫秒
单脉冲
10
-4
0.02
0.01
-10
0 -1
-10
-10
0
-10
1
V
-10
2
10
-5 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
V
DS
1.4版
第5页
t
p
2009-11-19
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    联系人:杨小姐
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    SPB80P06PG
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    -
    -
    -
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原装原厂公司现货
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电话:0755-23051326
联系人:张先生
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专注进口原装,公司现货出售
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电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
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22+
10000
TO-263
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
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联系人:李
地址:华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
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电话:13410941925
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地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
SPB80P06PG
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7800
TO-263-3
原装正品现货,可开增值税专用发票
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电话:0755-23991909
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Infineon(英飞凌)
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8000
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电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
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INFINEON
1782
20+22
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0.1
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联系人:何小姐
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INFINEON/英飞凌
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