SPI80N04S2-H4
SPP80N04S2-H4,SPB80N04S2-H4
的OptiMOS
功率晶体管
特征
N沟道
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
P- TO262 -3-1
P- TO263 -3-2
40
4
80
P- TO220 -3-1
V
m
A
增强型
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
TYPE
SPP80N04S2-H4
SPB80N04S2-H4
SPI80N04S2-H4
包
P- TO220 -3-1
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
订购代码
Q67060-S6014
Q67060-S6013
Q67060-S6014
记号
2N04H4
2N04H4
2N04H4
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
1)
T
C
=25°C
价值
80
80
320
660
25
6
±20
300
-55... +175
55/175/56
单位
A
I
D
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
雪崩能量，单脉冲
I
D
=80 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
mJ
重复雪崩能量，限制了
T
JMAX
2)
反向二极管的dv / dt
I
S
=80A,
V
DS
=32V,
di/dt=200A/s,
T
JMAX
=175°C
KV / μs的
V
W
°C
门源电压
功耗
T
C
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
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2003-05-08
SPI80N04S2-H4
SPP80N04S2-H4,SPB80N04S2-H4
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
3)
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
值
典型值。
0.35
-
-
-
马克斯。
0.5
62
62
40
单位
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
-
-
40
2.1
值
典型值。
-
3
马克斯。
-
4
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=250A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=40V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=40V,
V
GS
=0V,
T
j=125°C
2)
A
0.01
1
1
3.4
1
100
100
4
nA
m
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=80A
1当前受限于键合线;有
R
thJC
= 0.5K / W ，芯片能够执行
I
D
= 200A在25℃下，进行详细的
信息，请参阅app.音符ANPS071E提供
www.infineon.com/optimos
设计2Defined 。不受生产测试。
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
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SPI80N04S2-H4
SPP80N04S2-H4,SPB80N04S2-H4
电气特性
参数
动态特性
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=32V,
I
D
=80A,
V
GS
= 0至10V
V
DD
=32V,
I
D
=80A
符号
条件
分钟。
值
典型值。
105
4430
1580
400
14
36
46
35
马克斯。
-
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=80A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
53
-
-
-
-
-
-
-
S
5890 pF的
2100
600
21
54
69
53
ns
V
DD
=20V,
V
GS
=10V,
I
D
=80A,
R
G
=1.3
-
-
-
-
22
47
111
5.2
29
70
148
-
nC
V
（高原）
V
DD
= 32 V ,
I
D
=80A
V
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
INV 。二极管直流，脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=80A
V
R
=20V,
I
F =
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
I
S
T
C
=25°C
-
-
-
-
-
-
-
0.9
195
370
80
320
1.3
240
460
A
V
ns
nC
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SPI80N04S2-H4
SPP80N04S2-H4,SPB80N04S2-H4
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
6 V
320
SPP80N04S2-H4
2漏极电流
I
D
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
90
SPP80N04S2-H4
W
A
70
240
P
合计
60
200
I
D
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
160
120
80
40
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
3
SPP80N04S2-H4
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
1
SPP80N04S2-H4
K / W
A
D
t
= 29.0s
p
10
DS
（上
)
=
V
DS
/
I
0
I
D
R
10
2
Z
thJC
100 s
10
-1
1毫秒
10
-2
D = 0.50
0.20
10
1
-3
10
0.10
0.05
10
-4
单脉冲
0.02
0.01
10
0
10
-1
10
0
10
1
V
10
2
10
-5
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
V
DS
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t
p
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SPI80N04S2-H4
SPP80N04S2-H4,SPB80N04S2-H4
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 80 s
190
SPP80N04S2-H4
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
V
GS
13
SPP80N04S2-H4
P
合计
= 300W
汞F
V
GS [ V]
A
160
140
e
a
b
c
d
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
10.0
11
10
d
e
R
DS （ ON）
9
8
7
6
5
f
g
h
I
D
120
100
80
60
40
20
b
c
e
f
g
d
h
4
3
2
1
V
GS
[V] =
d
5.5
e
6.0
f
6.5
g
h
7.0 10.0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
a
4
V
0
5
0
20
40
60
80
100 120 140
A
180
V
DS
I
D
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
160
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25°C
参数：
g
fs
140
A
S
120
100
100
g
fs
80
60
40
20
I
D
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
V
V
GS
0
6
0
20
40
60
80
100
120
A
160
I
D
第5页
2003-05-08
QQ：2880707522 复制
