SPI73N03S2L-08
SPP73N03S2L-08,SPB73N03S2L-08
的OptiMOS
功率晶体管
特征
N沟道
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
P- TO262 -3-1
P- TO263 -3-2
30
8.4
73
P- TO220 -3-1
V
m
A
增强型
逻辑电平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
优越的耐热性
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
TYPE
SPP73N03S2L-08
SPB73N03S2L-08
SPI73N03S2L-08
包
P- TO220 -3-1
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
订购代码
Q67042-S4037
Q67042-S4036
Q67042-S4081
记号
2N03L08
2N03L08
2N03L08
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
1)
T
C
=25°C,
1)
价值
73
62
320
170
10
6
±20
107
-55... +175
55/175/56
单位
A
I
D
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
雪崩能量，单脉冲
ID
=73A,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
mJ
重复雪崩能量，限制了
T
JMAX
2)
反向二极管的dv / dt
IS
=73A,
V
DS
=24,
di/dt=200A/s,
T
JMAX
=175°C
KV / μs的
V
W
°C
门源电压
功耗
T
C
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
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SPI73N03S2L-08
SPP73N03S2L-08,SPB73N03S2L-08
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
3)
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
-
-
-
值
典型值。
0.9
-
-
马克斯。
1.4
62
40
单位
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
-
-
R
DS （ ON）
-
-
-
30
1.2
值
典型值。
-
1.6
马克斯。
-
2
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=55A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=175°C
A
0.01
10
1
1
100
100
nA
m
9.9
9.5
6.8
6.5
13.4
13.1
8.4
8.1
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
漏源导通电阻
V
GS
=4.5V,
I
D
=36A
V
GS
=4.5V,
I
D
= 36A ， SMD版
漏源导通电阻
4)
V
GS
=10V,
I
D
=36A
V
GS
=10V,
I
D
= 36A ， SMD版
1当前受限于键合线;有
R
thJC
= 1.4K / W ，芯片能够执行
I
D
= 87A在25℃下，进行详细的
信息，请参阅app.音符ANPS071E提供
www.infineon.com/optimos
设计2Defined 。不受生产测试。
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
4Diagrams都涉及到直导线版本
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SPI73N03S2L-08
SPP73N03S2L-08,SPB73N03S2L-08
电气特性
参数
动态特性
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=24V,
I
D
=36A,
V
GS
= 0至10V
V
DD
=24V,
I
D
=36A
符号
条件
分钟。
值
典型值。
63
1290
500
130
7.7
20
31.5
19
马克斯。
-
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=62A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
32
-
-
-
-
-
-
-
S
1710 pF的
670
190
11.6
30
47.3
28.5
ns
V
DD
=15V,
V
GS
=10V,
I
D
=18A,
R
G
=4.7
-
-
-
-
4
12
34.7
3.6
5
18
46.2
-
nC
V
（高原）
V
DD
=24V,
I
D
=36A
V
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
INV 。二极管直流，脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=73A
V
R
=15V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
I
S
T
C
=25°C
-
-
-
-
-
-
-
0.96
27
21
73
320
A
1.28 V
40
31
ns
nC
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SPI73N03S2L-08
SPP73N03S2L-08,SPB73N03S2L-08
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
4 V
SPP73N03S2L-08
2漏极电流
I
D
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
SPP73N03S2L-08
120
80
W
A
100
90
60
P
合计
I
D
100 120 140 160
°C
190
80
70
60
50
50
40
30
40
30
20
10
10
0
0
20
40
60
80
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
20
T
C
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
3
SPP73N03S2L-08
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
1
SPP73N03S2L-08
K / W
A
t
= 1.6s
p
10
/
I
D
0
V
10
DS
2
I
D
=
10 s
Z
thJC
R
DS
（上
)
10
-1
100 s
D = 0.50
10
10
1
1毫秒
-2
0.20
0.10
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
-3
10
0
10
-1
10
0
10
1
V
10
2
10
-4
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
V
DS
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t
p
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SPI73N03S2L-08
SPP73N03S2L-08,SPB73N03S2L-08
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 80 s
SPP73N03S2L-08
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
V
GS
SPP73N03S2L-08
170
P
合计
= 107W
H·G
f
V
[V]
GS
a
b
A
140
m
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
10.0
28
b
c
d
e
24
22
e
c
d
e
R
DS （ ON）
120
20
18
16
14
12
I
D
100
80
60
40
b
f
d
g
h
c
10
8
6
4
V
GS
[V] =
2
4
b
3.5
c
4.0
d
4.5
e
5.0
f
5.5
g
h
6.0 10.0
f
g
h
20
a
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
5
0
0
20
40
60
80
100
A
140
V
DS
I
D
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
140
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25°C
参数：
g
fs
80
A
S
60
100
g
fs
80
60
40
20
0
I
D
50
40
30
20
10
0
1
2
3
4
V
V
GS
6
0
0
25
50
75
100
A
I
D
150
第5页
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QQ：2881677436 复制
