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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第391页 > SPB21N10
初步数据
SPI21N10
SPP21N10,SPB21N10
SIPMOS
功率晶体管
特征
N沟道
增强型
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
P-TO262-3-1
P-TO263-3-2
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
100
80
21
P-TO220-3-1
V
A
TYPE
SPP21N10
SPB21N10
SPI21N10
包
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
订购代码
Q67042-S4116
Q67042-S4102
Q67042-S4117
记号
21N10
21N10
21N10
最大额定值，在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=100°C
符号
I
D
价值
21
15.0
单位
A
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
84
130
6
±20
90
-55... +175
55/175/56
mJ
KV / μs的
V
W
°C
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
功耗
T
C
=25°C
I
S
=21A,
V
DS
=80V,
di/dt=200A/s,
T
JMAX
=175°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1

I
D
=21 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
第1页
2002-01-31






m
初步数据
SPI21N10
SPP21N10,SPB21N10
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
F)
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
值
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
1.7
62
62
40
单位
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
-
-
100
2.1
值
典型值。
-
3
马克斯。
-
4
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
= 44 A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=100V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=100V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
A
0.01
1
1
65
1
100
100
80
nA
m
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=15.0A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
第2页
2002-01-31

漏源导通电阻
初步数据
SPI21N10
SPP21N10,SPB21N10
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
动态特性
I
D
=15.0A
符号
条件
分钟。
值
典型值。
12.4
650
140
80
10
56
37
23
马克斯。
-
865
186
120
15
84
55
35
单位
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=50V,
V
GS
=10V,
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=80V,
I
D
=21A,
V
GS
= 0至10V
V
DD
=80V,
I
D
=21A
V
（高原）
V
DD
=80V,
I
D
=21A
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=21A
V
R
=50V,
I
F =
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
I
S
I
SM
T
C
=25°C
第3页

I
D
=21A,
R
G
=13

跨
g
fs
V
DS
2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
6.5
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
ns
-
-
-
-
3.9
15.5
28.9
6.2
5.2
23.3
38.4
-
nC
V
-
-
-
-
-
-
-
0.94
65
153
21
84
1.25
81.5
192
A
V
ns
nC
2002-01-31
初步数据
SPI21N10
SPP21N10,SPB21N10
1功耗
P
合计
=
f
(
T
C
)
100
SPP21N10
2漏极电流
I
D
=
f
(
T
C
)
参数：
V
GS
10 V
24
SPP21N10
W
A
20
18
80
70
P
合计
16
60
50
40
30
20
4
10
0
0
2
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
I
D
14
12
10
8
6
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
4瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
2
SPP21N10
t
P = 6.8μs
10 s
参数：
D
=
t
p
/
T
10
1
SPP21N10
K / W
A
10
0
/
I
D
100 s
I
D
=
V
DS
10
1
Z
thJC
DS
（上
)
10
-1
R
1毫秒
10毫秒
10
-2
10
0
DC
10
-3
单脉冲
10
-1 -1
10
10
0
10
1
10
2
V
10
3
10
-4 -7
10
10
-6
V
DS
第4页

T
C
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
2002-01-31
初步数据
SPI21N10
SPP21N10,SPB21N10
5典型。输出特性
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(
I
D
)
参数：
t
p
= 80 s
50
e
d
参数：
V
GS
260
A
R
DS （ ON）
VGS电压[V] =
a= 5.6
b= 6.0
c= 7.0
d= 8.0
e= 10.0
c
220
200
180
160
140
120
I
D
30
20
b
a
100
e
10
0
0
5
10
V
20
V
DS
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
30
8典型。正向跨导
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
参数：
g
fs
14
A
g
fs
20
I
D
15
10
5
0
2
3
4
5
6
V
8
V
GS
第5页

80
60
40
20
0
0
5
10
m
a
b
c
d
VGS电压[V] =
a= 5.6
b= 6.0
15
c= 7.0
d= 8.0
e= 10.0
20
25
30
35
40
A
50
I
D

S
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
4
8
12
16
A
24
I
D
2002-01-31
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S-1701C5043-M5T1G
SKY77552
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