【最终数据SPP17N80C3 ， SPB17N80C3SPA17N80C3VDSRDS （ ON）I】,IC型号SPB17N80C3,SPB17N80C3 PDF资料,SPB17N80C3经销商,ic,电子元器件-51电子网

最终数据

SPP17N80C3 ， SPB17N80C3

SPA17N80C3

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

800

0.29

17

V

A

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

世界范围内最好的

R

DS （ ON）

在220

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

P- TO- 220-3-31 ：完全隔离包（2500 VAC ， 1分钟）

TYPE

SPP17N80C3

SPB17N80C3

SPA17N80C3

包

P-TO220-3-1

P-TO263-3-2

订购代码

Q67040-S4353

Q67040-S4354

记号

17N80C3

P-TO220-3-31

1

2

3

P-TO220-3-31

P-TO263-3-2

P-TO220-3-1

P- TO220-3-31 Q67040 - S4441

最大额定值

参数

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

符号

I

D

17

11

I

PULS

E

AS

E

AR

I

AR

V

GS

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

51

670

0.5

17

±20

±30

208

价值

SPP_B

SPA

单位

A

17

1)

11

1)

51

670

0.5

17

±20

±30

42

W

°C

A

V

A

mJ

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

=3.4A,

V

DD

=50V

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

2)

I

D

=17A,

V

DD

=50V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

门源电压

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C

= 25°C

工作和存储温度

-55...+150

第1页

2003-07-03

最终数据

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 640 V,

I

D

= 17 A,

T

j

= 125 °C

SPP17N80C3 ， SPB17N80C3

SPA17N80C3

符号

dv / dt的

价值

50

单位

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 的情况下， FULLPAK

热阻，结 - 环境，含铅

热阻，结 - 环境， FULLPAK

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

3)

焊接温度，

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

4)

电气特性，

at

T

J = 25 ° C除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=1000A,

V

GS = VDS

V

DS

=800V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

符号

分钟。

R

thJC

R

thJC_FP

R

thJA

R

thJA_FP

R

thJA

-

T

出售

-

值

典型值。

-

35

-

马克斯。

0.6

3.6

62

80

62

-

260

单位

K / W

°C

值

典型值。

-

870

3

0.5

-

0.25

0.78

0.7

马克斯。

-

3.9

800

-

2.1

-

单位

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=17A

A

25

250

100

0.29

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=11A

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f=1MHz,

漏极开路

第2页

2003-07-03

最终数据

电气特性

参数

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

SPP17N80C3 ， SPB17N80C3

SPA17N80C3

条件

分钟。

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=11A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

值

典型值。

15

2320

1250

60

59

124

25

15

72

6

马克斯。

-

82

9

-

单位

S

pF

有效输出电容，

5)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

6)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=400V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=17A,

R

G

=4.7,

T

j

=125°C

-

ns

V

DD

=640V,

I

D

=17A

-

12

46

91

6

-

177

-

nC

V

DD

=640V,

I

D

=17A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=640V,

I

D

=17A

V

只有最高温度1Limited

2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

= E * F。

AR

AV

3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

220℃ ，回流：对于TO- 263 4Soldering温度

5

C

6

C

O（ ER ）

O（ TR ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

第3页

2003-07-03

最终数据

电气特性

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

秋天反向峰值速率

恢复电流

典型的瞬态热特性

符号

SPP_B

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.00812

0.016

0.031

0.114

0.135

0.059

T

j

P

合计

(t)

C

th1

C

th2

C

日，正

SPP17N80C3 ， SPB17N80C3

SPA17N80C3

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

rr

/ DT

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

550

15

51

1200

马克斯。

17

51

1.2

-

单位

A

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=400V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

-

V

ns

C

A

A / μs的

T

j

=25°C

价值

SPA

0.00812

0.016

0.031

0.16

0.324

2.522

R

th1

单位

K / W

符号

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

R

日，正

T

例

价值

SPP_B

0.0003562

0.001337

0.001831

0.005033

0.012

0.092

SPA

0.0003562

0.001337

0.001831

0.005033

0.008657

0.412

单位

WS / K

xternal eatsink

T

上午B

第4页

2003-07-03

最终数据

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

240

SPP17N80C3

SPP17N80C3 ， SPB17N80C3

SPA17N80C3

2功耗FULLPAK

P

合计

=

f

(T

C

)

45

W

200

180

W

35

P

合计

140

120

100

80

60

40

20

0

20

40

60

80

100

120

P

合计

°C

160

30

25

20

15

10

5

0

20

40

60

80

100

120

T

C

°C

160

T

C

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

4安全工作区FULLPAK

I

D

=

f

(V

DS

)

参数：

D

= 0,

T

C

= 25°C

10

2

A

10

1

10

1

I

D

10

0

I

D

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

10

0

10

-1

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

TP = 10毫秒

DC

10

-2 0

10

1

10

2

10

V

DS

3

10

-2 0

10

1

10

2

10

V

DS

3

第5页

2003-07-03

SPB17N80C3

的CoolMOS

功率晶体管

特点

新的革命高电压技术

至尊的dv / dt评分

高峰值电流能力

根据JEDEC合格

1)

为目标的应用

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

超低栅极电荷

超低电容有效

产品概述

V

DS

R

DS （ ON）最大值

@ T

j

= 25°C

Q

克，典型值

800

0.29

91

V

nC

PG-TO263

的CoolMOS C3设计为：

具有高直流电压批量工业应用

开关应用（有源钳位正激拓扑）

TYPE

SPB17N80C3

包

PG-TO263

记号

17N80C3

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

2)

雪崩能量，单脉冲

雪崩能量，重复

t

AR2),3)

雪崩电流，重复性

t

AR2),3)

MOSFET的dv / dt坚固

门源电压

I

D，脉冲

E

AS

E

AR

I

AR

的dV / dt

V

GS

V

DS

=0…640 V

STATIC

AC （F >1赫兹）

功耗

工作和存储温度

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

I

D

=3.4 A,

V

DD

=50 V

I

D

=17 A,

V

DD

=50 V

价值

17

11

51

670

0.5

17

50

±20

±30

227

-55 ... 150

W

°C

A

V / ns的

V

mJ

单位

A

修订版2.3

第1页

2007-11-28

SPB17N80C3

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续二极管的正向电流

二极管脉冲电流

2)

参数

符号条件

I

S

I

S，脉冲

T

C

=25 °C

价值

17

51

值

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

R

thJC

R

thJA

热阻，结 -

环境

SMD版本，设备

在PCB上，最小的

脚印

SMD版本，设备

在PCB上， 6厘米

2

冷却

区域

4)

T

出售

1.6毫米（ 0.063英寸）

从案例10秒

-

0.55

62

K / W

典型值。

马克斯。

单位

A

符号条件

-

35

-

焊接温度，回流

焊接， MSL1

-

260

°C

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

雪崩击穿电压

栅极阈值电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

=250 A

V

（ BR ） DS

V

GS （ TH）

V

GS

=0 V,

I

D

=17 A

V

DS

=V

GS

,

I

D

= 1.0毫安

V

DS

=800 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=800 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=10 V,

I

D

=11 A,

T

j

=25 °C

V

GS

=10 V,

I

D

=11 A,

T

j

=150 °C

栅极电阻

修订版2.3

R

G

f

= 1 MHz时，漏极开路

第2页

800

-

2.1

-

870

3

-

3.9

V

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

25

A

-

150

-

0.25

-

100

0.29

nA

-

0.67

0.85

-

2007-11-28

SPB17N80C3

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

有效输出电容，能量

相关

6)

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

1)

2)

值

典型值。

马克斯。

单位

C

国际空间站

C

OSS

C

O（ ER ）

V

GS

=0 V,

V

DS

=100 V,

f

= 1兆赫

-

2300

100

72

-

pF

V

GS

=0 V,

V

DS

=0 V

伏至480伏

C

O（ TR ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=400 V,

V

GS

=0/10 V,

I

D

=17 A,

R

G

=4.7

,

TJ = 125°C

-

210

45

18

85

15

-

ns

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

高原

V

DD

=640 V,

I

D

=17 A,

V

GS

= 0到10伏

-

12

48

91

5.5

-

177

-

nC

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

V

GS

=0 V,

I

F

=I

S

,

T

j

=25 °C

-

1

550

15

51

1.2

-

V

ns

C

A

V

R

=400 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

-

J- STD20和JESD22

脉冲宽度

t

p

受

T

， MAX

重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

AV

=E

AR

*f.

3)

4)

设备上40毫米* 40毫米* 1.5环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区的漏极连接。 PCB

垂直不吹空调

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

5)

6)

修订版2.3

第3页

2007-11-28

SPB17N80C3

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

240

10

2

限于由导通状态

阻力

200

10 s

1 s

160

10

1

100 s

1毫秒

P

合计

[W]

120

I

D

[A]

DC

10毫秒

80

10

0

40

0

25

50

75

100

125

150

10

-1

1

10

100

1000

T

C

[°C]

V

DS

[V]

3最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

P

)

参数：

D =吨

p

/T

10

0

4典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

60

20 V

50

10 V

0.5

40

Z

thJC

〔 K / W〕

0.2

10

-1

0.1

0.05

0.02

I

D

[A]

30

6.5 V

20

6V

0.01

单脉冲

5.5 V

10

5V

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

0

5

10

15

20

25

t

p

[s]

V

DS

[V]

修订版2.3

第4页

2007-11-28

SPB17N80C3

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=150 °C

参数：

V

GS

35

20 V

6典型。漏源导通电阻

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=150 °C

参数：

V

GS

1.4

30

10 V

1.3

25

6V

1.2

20

R

DS （ ON）

[

]

1.1

I

D

[A]

5.5 V

15

5V

1

10

4.5 V

0.9

4V

4.5 V

5V

6V

10 V

20 V

6.5 V

5

0.8

0

5

10

15

20

25

0.7

0

5

10

15

20

V

DS

[V]

I

D

[A]

7漏源导通电阻

R

DS （ ON）

= F （T

j

);

I

D

=11 A;

V

GS

=10 V

8典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

0.8

60

50

0.6

40

25 °C

R

DS （ ON）

[

]

0.4

98 %

I

D

[A]

30

150 °C

典型值

20

0.2

10

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2007-11-28