最终数据
SPP21N50C3 ， SPB21N50C3
SPI21N50C3 ， SPA21N50C3
V
DS
@
T
JMAX
R
DS （ ON）
I
D
560
0.19
21
V
A
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
世界范围内最好的
R
DS （ ON）
在220
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
改进的跨导
P- TO- 220-3-31 ：完全隔离包（2500 VAC ， 1分钟）
TYPE
SPP21N50C3
SPB21N50C3
SPI21N50C3
SPA21N50C3
最大额定值
参数
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
P-TO220-3-31
1
2
3
P-TO220-3-31
P-TO262-3-1
P-TO263-3-2
P-TO220-3-1
包
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
订购代码
Q67040-S4565
Q67040-S4566
Q67040-S4564
记号
21N50C3
21N50C3
21N50C3
21N50C3
P- TO220-3-31 Q67040 - S4585
符号
I
D
21
13.1
I
PULS
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
63
690
1
21
±20
±30
208
价值
SPP_B
SPP_B_I
SPA
单位
A
21
1)
13.1
1)
63
690
1
21
±20
±30
34.5
W
°C
A
V
A
mJ
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
=10A,
V
DD
=50V
雪崩能量，重复
t
AR
受
T
JMAX
2)
I
D
=21A,
V
DD
=50V
雪崩电流，重复性
t
AR
受
T
JMAX
门源电压
栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）
功耗，
T
C
= 25°C
工作和存储温度
-55...+150
第1页
2003-07-02
最终数据
电气特性
参数
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
SPP21N50C3 ， SPB21N50C3
SPI21N50C3 ， SPA21N50C3
条件
分钟。
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=13.1A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
值
典型值。
18
2400
1200
30
87
181
10
5
67
4.5
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
S
pF
有效输出电容，
5)
C
O（ ER ）
能源相关
有效输出电容，
6)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=400V
V
DD
=380V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=21A,
R
G
=3.6
-
-
-
-
ns
V
DD
=380V,
I
D
=21A
-
-
-
-
10
50
95
5
-
-
-
-
nC
V
DD
=380V,
I
D
=21A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=380V,
I
D
=21A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
= E * F。
AR
AV
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
220℃ ，回流：对于TO- 263 4Soldering温度
5
C
6
C
O（ ER ）
O（ TR ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
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2003-07-02
SPP21N50C3
SPI21N50C3 ， SPA21N50C3
电气特性
参数
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=0V,
V
DS
=400V
条件
分钟。
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=13.1A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
值
典型值。
18
2400
1200
30
87
181
10
5
67
4.5
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
S
pF
有效输出电容，
5)
C
O（ ER ）
能源相关
有效输出电容，
6)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=380V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=21A,
R
G
=3.6
-
-
-
-
ns
V
DD
=380V,
I
D
=21A
-
-
-
-
10
50
95
5
-
-
-
-
nC
V
DD
=380V,
I
D
=21A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=380V,
I
D
=21A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
= E * F。
AR
AV
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
220℃ ，回流：对于TO- 263 4Soldering温度
5
C
6
C
O（ ER ）
O（ TR ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
7
我< = I ， DI / dt< = 200A / us的，V
SD
D
的dcLINK
=400V, V
PEAK
＆ LT ; V
BR ， DSS
, T
j
＆ LT ;吨
，最大值
相同的低侧和高侧开关。
启示录
3.0
页面
3
2007-08-30
SPP21N50C3
SPI21N50C3 ， SPA21N50C3
电气特性
参数
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=0V,
V
DS
=400V
条件
分钟。
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=13.1A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
值
典型值。
18
2400
1200
30
87
181
10
5
67
4.5
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
S
pF
有效输出电容，
5)
C
O（ ER ）
能源相关
有效输出电容，
6)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=380V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=21A,
R
G
=3.6
-
-
-
-
ns
V
DD
=380V,
I
D
=21A
-
-
-
-
10
50
95
5
-
-
-
-
nC
V
DD
=380V,
I
D
=21A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=380V,
I
D
=21A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
= E * F。
AR
AV
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
220℃ ，回流：对于TO- 263 4Soldering温度
5
C
6
C
O（ ER ）
O（ TR ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
7
我< = I ， DI / dt< = 200A / us的，V
SD
D
的dcLINK
=400V, V
PEAK
＆ LT ; V
BR ， DSS
, T
j
＆ LT ;吨
，最大值
相同的低侧和高侧开关。
启示录
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3
2009-12-22
QQ：2881677436 复制
