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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1353页 > SPA08N80C3
SPA08N80C3
的CoolMOS
TM
功率晶体管
特点
新的革命高电压技术
至尊的dv / dt评分
高峰值电流能力
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
超低栅极电荷
超低电容有效
完全隔离包（ 2500 VAC ， 1分钟）
的CoolMOS
TM
800V设计：
具有高直流电压批量工业应用
切换应用程序（即有源钳位正激）
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）最大值
@ T
j
= 25°C
Q
克，典型值
800
0.65
45
V
nC
TYPE
SPA08N80C3
包
PG-TO220FP
记号
08N80C3
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
2)
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
3)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
t
AR3),4)
雪崩电流，重复性
t
AR3),4)
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
V
GS
V
DS
=0…640 V
STATIC
AC （F >1赫兹）
功耗
工作和存储温度
安装力矩
启示录
3.0
P
合计
T
j
,
T
英镑
M2.5螺丝
第1页
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=1.6 A,
V
DD
=50 V
I
D
=8 A,
V
DD
=50 V
价值
8
5.1
24
340
0.2
8
50
±20
±30
40
-55 ... 150
50
W
°C
NCM
2009-12-22
A
V / ns的
V
mJ
单位
A
SPA08N80C3
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
4)
符号条件
I
S
I
S，脉冲
的dV / dt
T
C
=25 °C
价值
8
24
4
V / ns的
单位
A
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境
R
thJC
R
thJA
含铅
1.6毫米（ 0.063英寸）
从案例10秒
-
-
-
-
3.8
80
K / W
焊接温度，
T
出售
波峰焊只允许在引线
-
-
260
°C
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
雪崩击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
（ BR ） DS
V
GS （ TH）
I
DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=8 A
V
DS
=V
GS
,
I
D
= 0.47毫安
V
DS
=800 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=800 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=5.1 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=5.1 A,
T
j
=150 °C
栅极电阻
R
G
f
= 1 MHz时，漏极开路
800
-
2.1
-
-
870
3
-
-
-
3.9
20
A
V
-
-
-
100
-
0.56
-
100
0.65
nA
-
-
1.5
1.2
-
-
启示录
3.0
第2页
2009-12-22
SPA08N80C3
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
有效输出电容，能量
相关
5)
有效的输出电容，时间
相关
6)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
R
=400 V,
I
F
=I
S
=8 A,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
V
GS
=0 V,
I
F
=I
S
=8 A,
T
j
=25 °C
-
-
-
-
1
550
7
24
1.2
-
-
-
V
ns
C
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=640 V,
I
D
=8 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
6
22
45
5.5
-
-
60
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
O（ ER ）
V
GS
=0 V,
V
DS
=0 V
伏至480伏
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=400 V,
V
GS
=0/10 V,
I
D
=8 A,
R
G=
10
,
T
j
=25 °C
-
-
-
-
-
99
25
15
72
10
-
-
-
-
-
ns
V
GS
=0 V,
V
DS
=100 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
1100
46
36
-
-
-
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
1)
2)
J- STD20和JESD22
脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
I
SD
≤I
D
，二/ dt≤400A / μs的，V
的dcLINK
= 400V, V
PEAK
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
, T
j
＆ LT ;吨
JMAX
，相同的低侧和高侧开关
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
3)
4)
5)
6)
启示录
3.0
第3页
2009-12-22
SPA08N80C3
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
40
10
2
限于由导通状态
阻力
30
10
1
10 s
1 s
P
合计
[W]
20
I
D
[A]
100 s
1毫秒
10毫秒
10
10
0
DC
0
0
25
50
75
100
125
150
10
-1
1
10
100
1000
T
C
[°C]
V
DS
[V]
3最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
P
)
参数：
D =吨
p
/T
10
1
4典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C;
t
p
=10 s
参数：
V
GS
30
20 V
0.5
10
0
0.2
20
10 V
Z
thJC
〔 K / W〕
0.05
0.02
I
D
[A]
0.1
6.5 V
10
-1
0.01
10
6V
单脉冲
5.5 V
5V
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0
0
5
10
15
20
25
t
p
[s]
V
DS
[V]
启示录
3.0
第4页
2009-12-22
SPA08N80C3
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=150 °C;
t
p
=10 s
参数：
V
GS
12
20 V
10 V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
3.2
6V
2.8
5.5 V
9
6
5V
R
DS （ ON）
[
]
2.4
I
D
[A]
2
6V
6.5 V
10 V
3
4.5 V
4.5 V
5V
5.5 V
1.6
20 V
0
0
5
10
15
20
25
1.2
0
3
6
9
12
15
V
DS
[V]
I
D
[A]
7漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
=5.1 A;
V
GS
=10 V
8典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
;
t
p
=10 s
参数：
T
j
1.8
1.6
30
25 °C
25
1.4
1.2
20
R
DS （ ON）
[
]
I
D
[A]
1
0.8
0.6
0.4
98 %
典型值
15
150 °C
10
5
0.2
0
-60
-20
20
60
100
140
180
0
0
2
4
6
8
10
T
j
[°C]
V
GS
[V]
启示录
3.0
第5页
2009-12-22
最终数据
SPP08N80C3
SPA08N80C3
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
P-TO220-3-31
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
改进的跨导
P- TO- 220-3-31 ：完全隔离包（2500 VAC ， 1分钟）
P-TO220-3-31
800
0.65
8
V
A
P-TO220-3-1
1
2
3
TYPE
SPP08N80C3
SPA08N80C3
包
P-TO220-3-1
订购代码
Q67040_S4436
记号
08N80C3
08N80C3
P- TO220-3-31 Q67040 - S4437
最大额定值
参数
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
SPP
I
D
8
5.1
I
PULS
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
24
340
0.2
8
±20
±30
104
价值
SPA
单位
A
8
1)
5.1
1)
24
340
0.2
8
±20
±30
40
W
°C
A
V
A
mJ
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
=1.6A,
V
DD
=50V
雪崩能量，重复
t
AR
受
T
JMAX
2)
I
D
=8A,
V
DD
=50V
雪崩电流，重复性
t
AR
受
T
JMAX
门源电压
栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）
功耗，
T
C
= 25°C
工作和存储温度
-55...+150
第1页
2003-07-02
最终数据
最大额定值
参数
漏源电压斜率
V
DS
= 640 V,
I
D
= 8 A,
T
j
= 125 °C
SPP08N80C3
SPA08N80C3
符号
dv / dt的
价值
50
单位
V / ns的
热特性
参数
热阻，结 - 案
热阻，结 - 的情况下， FULLPAK
热阻，结 - 环境，含铅
热阻，结 - 环境， FULLPAK
焊接温度，
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
3)
电气特性，
at
T
J = 25 ° C除非另有说明
参数
符号
条件
分钟。
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,
I
D
=0.25mA
漏源雪崩
击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D
=470A,
V
GS = VDS
V
DS
=800V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
T
j
=150°C
符号
分钟。
R
thJC
R
thJC_FP
R
thJA
R
thJA_FP
T
出售
-
-
-
-
-
值
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
1.2
3.8
62
80
260
单位
K / W
°C
值
典型值。
-
870
3
0.5
-
-
0.56
1.5
0.7
马克斯。
-
-
3.9
800
-
2.1
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
（ BR ） DS
V
GS
=0V,
I
D
=8A
A
20
200
100
0.65
-
-
nA
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=5.1A
T
j
=25°C
T
j
=150°C
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
门输入电阻
R
G
f=1MHz,
漏极开路
第2页
2003-07-02
最终数据
电气特性
参数
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至480V
SPP08N80C3
SPA08N80C3
条件
分钟。
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=5.1A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
值
典型值。
5.5
1100
500
25
31.8
70
25
15
65
7
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
75
10
-
-
-
-
-
-
单位
S
pF
有效输出电容，
4)
C
O（ ER ）
能源相关
有效输出电容，
5)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=400V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=8A,
R
G
=10
-
-
-
-
ns
V
DD
=640V,
I
D
=8A
-
-
-
-
4.6
21
40
6
-
-
52
-
nC
V
DD
=640V,
I
D
=8A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=640V,
I
D
=8A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
= E * F。
AR
AV
220℃ ，回流：对于TO- 263 3Soldering温度
4
C
5
C
O（ ER ）
O（ TR ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
第3页
2003-07-02
最终数据
电气特性
参数
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
秋天反向峰值速率
恢复电流
典型的瞬态热特性
符号
SPP
R
th1
R
th2
R
th3
R
th4
R
th5
R
th6
0.017
0.032
0.06
0.245
0.266
0.101
T
j
P
合计
(t)
C
th1
C
th2
C
日，正
T
上午B
SPP08N80C3
SPA08N80C3
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
di
rr
/ DT
条件
分钟。
T
C
=25°C
值
典型值。
-
-
1
550
7
24
500
马克斯。
8
24
1.2
-
-
-
-
-
-
单位
A
V
GS
=0V,
I
F
=I
S
V
R
=640V,
I
F
=I
S
,
di
F
/dt=100A/s
-
-
-
-
-
V
ns
C
A
A / μs的
T
j
=25°C
价值
SPA
0.017
0.032
0.06
0.189
0.414
2.518
R
th1
单位
K / W
符号
SPP
C
th1
C
th2
C
th3
C
th4
C
th5
C
th6
R
日，正
T
例
价值
SPA
0.0001741
0.0006598
0.0009193
0.002607
0.007619
0.412
0.0001741
0.0006598
0.0009193
0.002607
0.005878
0.051
单位
WS / K
xternal eatsink
第4页
2003-07-02
最终数据
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
120
SPP08N80C3
SPP08N80C3
SPA08N80C3
2功耗FULLPAK
P
合计
=
f
(T
C
)
45
W
100
90
W
35
P
合计
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
P
合计
°C
160
80
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
T
C
°C
150
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
=25°C
10
2
4安全工作区FULLPAK
I
D
=
f
(V
DS
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C
10
2
A
A
10
1
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I
D
10
0
I
D
10
0
10
-1
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
DC
10
-1
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
TP = 10毫秒
DC
10
-2 0
10
10
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2
10
V
V
DS
3
10
-2 0
10
10
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10
V
V
DS
3
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2003-07-02
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