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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1114页 > SP8M9
SP8M9
晶体管
开关
SP8M9
特点
1）低导通电阻。
2 ）内置G -S保护二极管。
3 ）小和表面贴装封装（ SOP8 ） 。
外形尺寸
（单位：毫米）
SOP8
(8)
5.0±0.2
(5)
6.0±0.3
3.9±0.15
Max.1.75
1.5±0.1
0.15
应用
电源开关， DC / DC变换器。
1.27
0.4±0.1
0.1
每根导线具有相同的尺寸
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在陶瓷板上。
等效电路
范围
N沟道
P沟道
30
30
20
20
±9.0
±5.0
±36
±20
1.6
1.6
36
20
2
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
(8)
(7)
(6)
(5)
(8) (7) (6) (5)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
连续
脉冲
连续
脉冲
1
1
2
2
2
0.5±0.1
(1)
(4)
0.2±0.1
(1) (2) (3) (4)
（ 1 ） Tr1的（ N沟道）来源
（ 2 ） Tr1的（ N沟道）门
（ 3 ） Tr2的（ PCH）来源
（ 4 ） Tr2的（ PCH）门
（ 5 ） Tr2的（ PCH）漏
（ 6 ） Tr2的（ PCH）漏
（ 7 ） Tr1的（ N沟道）漏
（ 8 ） Tr1的（ N沟道）漏
1
1
(1)
(2)
(3)
(4)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
A
保护二极管被包含在栅极和间
源端，以防止静电的二极管
电时，该产品在使用中。使用保护
当固定电压超过电路。
热阻
(Ta=25°C)
参数
渠道环境
* MOUNTED
在陶瓷板。
符号
RTH （ CH -A ）
范围
62.5
单位
°C
/ W
1/5
SP8M9
晶体管
N沟道
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
*脉冲
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
30
1.0
7.0
典型值。
12
16
17
1190
340
190
10
15
55
22
15
3.0
6.1
马克斯。
10
1
2.5
18
24
25
21
单位
A
V
A
V
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
I
D
=1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=30V,
V
GS
=0V
V
DS
=10V,
I
D
=1mA
I
D
=9.0A,
V
GS
=10V
I
D
=9.0A,
V
GS
=4.5V
I
D
=9.0A,
V
GS
=4V
I
D
=9.0A,
V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=4.5A,
V
DD
15V
V
GS
=10V
R
L
=3.33
R
G
=10
V
DD
15V
V
GS
=5V
I
D
=9.0A
体二极管的特性（源极 - 漏极特性）
(Ta=25°C)
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
=6.4A,
V
GS
=0V
2/5
SP8M9
晶体管
P沟道
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
*脉冲
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
30
1.0
4.5
典型值。
30
40
45
1400
300
230
15
30
80
40
16
3.5
6.5
马克斯。
10
1
2.5
42
56
63
单位
A
V
A
V
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
= 20V,
V
DS
=0V
I
D
= -1mA ，
V
GS
=0V
V
DS
= 30V,
V
GS
=0V
V
DS
= 10V,
I
D
= -1mA
I
D
= 5.0A,
V
GS
= 10V
I
D
= 2.5A,
V
GS
= 4.5V
I
D
= 2.5A,
V
GS
= 4.0V
I
D
= 2.5A,
V
DS
= 10V
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 2.5A,
V
DD
15V
V
GS
= 10V
R
L
=6
R
G
=10
V
DD
15V
V
GS
= 5V
I
D
= 5.0A
体二极管的特性（源极 - 漏极特性）
(Ta=25°C)
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 1.6A,
V
GS
=0V
3/5
SP8M9
晶体管
N沟道
电气特性曲线
10000
1000
t
f
1000
C
国际空间站
栅源电压： V
GS
(V)
切换时间： T（ NS ）
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
10000
电容：C （PF ）
Ta=25°C
V
DD
=15V
V
GS
=10V
R
G
=10
脉冲
10
Ta=25°C
9 V
DD
=15V
I
D
=9A
8
R
G
=10
7脉冲
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
100
t
D（关闭）
C
OSS
100
C
RSS
10
t
r
t
D（上）
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
漏源电压： V
DS
(V)
漏电流：我
D
(A)
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图1典型电容
与漏源电压
图2开关特性
图3动态输入特性
V
DS
=10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10
200
Ta=25°C
脉冲
150
I
D
=9A
10
V
GS
=0V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
1
源电流：我
s
(A)
8
10
12
14
16
漏电流：我
D
(A)
1
0.1
100
I
D
=4.5A
0.1
0.01
50
0.001
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0
2
4
6
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
栅源电压： V
GS
(V)
栅源电压： V
GS
(V)
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
图6源电流和
源 - 漏电压
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
V
GS
=10V
脉冲
V
GS
=4.5V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
1000
1000
1000
V
GS
=4V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
100
100
10
10
10
1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
漏电流：我
D
(A)
漏电流：我
D
(A)
漏电流：我
D
(A)
图7静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ Ι ）
图8静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙ ）
图9静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙΙ ）
4/5
SP8M9
晶体管
P沟道
电气特性曲线
10000
栅源电压：
V
GS
(V)
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
C
国际空间站
10000
8
Ta=25°C
V
DD
= 15V
V
GS
= 10V
R
G
=10
脉冲
7
6
5
4
3
2
1
0
切换时间： T（ NS ）
电容：C （PF ）
1000
1000
Ta=25°C
V
DD
= 15V
I
D
= 5.0A
R
G
=10
脉冲
t
f
t
D（关闭）
100
100
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
10
t
r
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1011121314151617181920
漏源电压：
V
DS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图1典型电容
与漏源电压
图2开关特性
图3动态输入特性
V
DS
= 10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10
200
Ta=25°C
脉冲
150
I
D
=5.0A
I
D
=2.5A
10
V
GS
=0V
脉冲
1
源电流：
I
S
(A)
漏电流：
I
D
(A)
1
0.1
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
0.1
0.01
50
0.001
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
栅源电压：
V
GS
(V)
栅源电压：
V
GS
(V)
源极 - 漏极电压：
V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
图6源电流和
源 - 漏电压
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
= 10V
脉冲
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
= 4.5V
脉冲
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
= 4V
脉冲
100
100
100
10
10
10
1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
图7静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ Ι ）
图8静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙ ）
图9静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙΙ ）
5/5
SP8M9
晶体管
开关
SP8M9
特点
1）低导通电阻。
2 ）内置G -S保护二极管。
3 ）小和表面贴装封装（ SOP8 ） 。
外形尺寸
（单位：毫米）
SOP8
(8)
5.0±0.2
(5)
6.0±0.3
3.9±0.15
Max.1.75
1.5±0.1
0.15
应用
电源开关， DC / DC变换器。
1.27
0.4±0.1
0.1
每根导线具有相同的尺寸
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在陶瓷板上。
等效电路
范围
N沟道
P沟道
30
30
20
20
±9.0
±5.0
±36
±20
1.6
1.6
36
20
2
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
(8)
(7)
(6)
(5)
(8) (7) (6) (5)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
连续
脉冲
连续
脉冲
1
1
2
2
2
0.5±0.1
(1)
(4)
0.2±0.1
(1) (2) (3) (4)
（ 1 ） Tr1的（ N沟道）来源
（ 2 ） Tr1的（ N沟道）门
（ 3 ） Tr2的（ PCH）来源
（ 4 ） Tr2的（ PCH）门
（ 5 ） Tr2的（ PCH）漏
（ 6 ） Tr2的（ PCH）漏
（ 7 ） Tr1的（ N沟道）漏
（ 8 ） Tr1的（ N沟道）漏
1
1
(1)
(2)
(3)
(4)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
A
保护二极管被包含在栅极和间
源端，以防止静电的二极管
电时，该产品在使用中。使用保护
当固定电压超过电路。
热阻
(Ta=25°C)
参数
渠道环境
* MOUNTED
在陶瓷板。
符号
RTH （ CH -A ）
范围
62.5
单位
°C
/ W
1/5
SP8M9
晶体管
N沟道
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
*脉冲
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
30
1.0
7.0
典型值。
12
16
17
1190
340
190
10
15
55
22
15
3.0
6.1
马克斯。
10
1
2.5
18
24
25
21
单位
A
V
A
V
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
I
D
=1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=30V,
V
GS
=0V
V
DS
=10V,
I
D
=1mA
I
D
=9.0A,
V
GS
=10V
I
D
=9.0A,
V
GS
=4.5V
I
D
=9.0A,
V
GS
=4V
I
D
=9.0A,
V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=4.5A,
V
DD
15V
V
GS
=10V
R
L
=3.33
R
G
=10
V
DD
15V
V
GS
=5V
I
D
=9.0A
体二极管的特性（源极 - 漏极特性）
(Ta=25°C)
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
=6.4A,
V
GS
=0V
2/5
SP8M9
晶体管
P沟道
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
*脉冲
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
30
1.0
4.5
典型值。
30
40
45
1400
300
230
15
30
80
40
16
3.5
6.5
马克斯。
10
1
2.5
42
56
63
单位
A
V
A
V
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
= 20V,
V
DS
=0V
I
D
= -1mA ，
V
GS
=0V
V
DS
= 30V,
V
GS
=0V
V
DS
= 10V,
I
D
= -1mA
I
D
= 5.0A,
V
GS
= 10V
I
D
= 2.5A,
V
GS
= 4.5V
I
D
= 2.5A,
V
GS
= 4.0V
I
D
= 2.5A,
V
DS
= 10V
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 2.5A,
V
DD
15V
V
GS
= 10V
R
L
=6
R
G
=10
V
DD
15V
V
GS
= 5V
I
D
= 5.0A
体二极管的特性（源极 - 漏极特性）
(Ta=25°C)
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 1.6A,
V
GS
=0V
3/5
SP8M9
晶体管
N沟道
电气特性曲线
10000
1000
t
f
1000
C
国际空间站
栅源电压： V
GS
(V)
切换时间： T（ NS ）
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
10000
电容：C （PF ）
Ta=25°C
V
DD
=15V
V
GS
=10V
R
G
=10
脉冲
10
Ta=25°C
9 V
DD
=15V
I
D
=9A
8
R
G
=10
7脉冲
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
100
t
D（关闭）
C
OSS
100
C
RSS
10
t
r
t
D（上）
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
漏源电压： V
DS
(V)
漏电流：我
D
(A)
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图1典型电容
与漏源电压
图2开关特性
图3动态输入特性
V
DS
=10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10
200
Ta=25°C
脉冲
150
I
D
=9A
10
V
GS
=0V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
1
源电流：我
s
(A)
8
10
12
14
16
漏电流：我
D
(A)
1
0.1
100
I
D
=4.5A
0.1
0.01
50
0.001
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0
2
4
6
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
栅源电压： V
GS
(V)
栅源电压： V
GS
(V)
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
图6源电流和
源 - 漏电压
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
V
GS
=10V
脉冲
V
GS
=4.5V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
1000
1000
1000
V
GS
=4V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
100
100
10
10
10
1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
漏电流：我
D
(A)
漏电流：我
D
(A)
漏电流：我
D
(A)
图7静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ Ι ）
图8静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙ ）
图9静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙΙ ）
4/5
SP8M9
晶体管
P沟道
电气特性曲线
10000
栅源电压：
V
GS
(V)
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
C
国际空间站
10000
8
Ta=25°C
V
DD
= 15V
V
GS
= 10V
R
G
=10
脉冲
7
6
5
4
3
2
1
0
切换时间： T（ NS ）
电容：C （PF ）
1000
1000
Ta=25°C
V
DD
= 15V
I
D
= 5.0A
R
G
=10
脉冲
t
f
t
D（关闭）
100
100
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
10
t
r
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1011121314151617181920
漏源电压：
V
DS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图1典型电容
与漏源电压
图2开关特性
图3动态输入特性
V
DS
= 10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10
200
Ta=25°C
脉冲
150
I
D
=5.0A
I
D
=2.5A
10
V
GS
=0V
脉冲
1
源电流：
I
S
(A)
漏电流：
I
D
(A)
1
0.1
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
0.1
0.01
50
0.001
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
栅源电压：
V
GS
(V)
栅源电压：
V
GS
(V)
源极 - 漏极电压：
V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
图6源电流和
源 - 漏电压
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
= 10V
脉冲
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
= 4.5V
脉冲
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
= 4V
脉冲
100
100
100
10
10
10
1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
图7静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ Ι ）
图8静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙ ）
图9静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙΙ ）
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