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SP8M2
晶体管
4V驱动N沟道+ P沟道MOS FET
SP8M2
结构
硅N沟道MOS FET /
硅P沟道MOS场效应管
外形尺寸
（单位：毫米）
SOP8
5.0
0.4
(8)
(5)
1.75
1PIN MARK
1.27
0.2
每根导线具有相同的尺寸
应用
开关
包装规格
包
TYPE
SP8M2
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TB
2500
内部电路
(8)
(7)
(6)
(5)
2
2
（1） Tr1的源
（2） Tr1的栅极
（3） Tr2的源
（4） Tr2的栅
（ 5 ） Tr2的漏
（ 6 ） Tr2的漏
（ 7 ） Tr1的漏
（ 8 ） Tr1的漏
1
1
(1)
(2)
(3)
(4)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在陶瓷板上。
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
连续
脉冲
连续
脉冲
范围
TR1 ： N沟道
TR2 ： P沟道
30
30
20
20
±3.5
±3.5
±14
±14
1.6
1.6
14
14
2.0
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W / TOTAL
°C
°C
0.4Min.
特点
1）低导通电阻。
2 ）内置G -S保护二极管。
3 ）小型表面贴装封装（ SOP8 ） 。
(1)
(4)
3.9
6.0
1/3
SP8M2
晶体管
N沟道
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
分钟。
30
1.0
2.0
典型值。
59
93
107
140
45
30
6
6
17
4
2.5
0.8
0.8
马克斯。
10
1
2.5
83
130
150
3.5
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
零栅极电压漏极电流
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
*脉冲
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=20V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
= 30V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
I
D
= 3.5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 3.5A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 3.5A ，V
GS
= 4V
V
DS
= 10V ，我
D
= 3.5A
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
15V
I
D
= 1.75A
V
GS
= 10V
R
L
= 8.57
R
G
=10
V
DD
15V, V
GS
= 5V
I
D
= 3.5A
R
L
= 4.29, R
G
= 10
体二极管的特性
（源极 - 漏极） （ TA = 25 ° C）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 6.4A ，V
GS
=0V
2/3
SP8M2
晶体管
P沟道
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
分钟。
典型值。
65
100
120
490
110
75
10
15
35
10
5.5
1.5
2.0
马克斯。
10
1
2.5
90
140
165
7.7
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
30
I
DSS
零栅极电压漏极电流
V
GS （ TH）
1.0
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
R
DS （ ON）
阻力
Y
fs
1.8
正向转移导纳
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
f
总栅极电荷
Q
g
栅极 - 源
收费
Q
gs
栅极 - 漏极
收费
Q
gd
*脉冲
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=
20V,
V
DS
=0V
I
D
=
1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=
30V,
V
GS
=0V
V
DS
=
10V,
I
D
=
1mA
I
D
=
3.5A,
V
GS
=
10V
I
D
=
1.75A,
V
GS
=
4.5V
I
D
=
1.75A,
V
GS
=
4V
V
DS
=
10V,
I
D
=
1.75A
V
DS
=
10V
V
GS
= 0V
f=1MHz
V
DD
15
V
I
D
=
1.75A
V
GS
=
10V
R
L
= 8.57
R
G
= 10
V
DD
15V,
V
GS
=
5V
I
D
=
3.5A
R
L
= 4.29, R
G
= 10
体二极管的特性
（源极 - 漏极） （ TA = 25 ° C）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
=
1.6A,
V
GS
=0V
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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S560-6600-CA
SG120-20K/883B
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