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数据表

10V驱动N沟道MOSFET

SP8K80

结构

硅N沟道MOSFET

尺寸

（单位：毫米）

SOP8

■特点

1 ）内置G -S保护二极管。

2 ）小型表面贴装封装（ SOP8 ）。

(8)

(7)

(6)

(5)

（1） Tr1的源

（2） Tr1的栅极

（3） Tr2的源

（4） Tr2的栅

（ 5 ） Tr2的漏

（ 6 ） Tr2的漏

（ 7 ） Tr1的漏

（ 8 ） Tr1的漏

(1)

(2)

(3)

(4)

应用

开关

包装规格

TYPE

SP8K80

包

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

TB

2500

内部电路

(8)

(7)

(6)

(5)

（1） Tr1的源

（2） Tr1的栅极

（3） Tr2的源

（4） Tr2的栅

（ 5 ） Tr2的漏

（ 6 ） Tr2的漏

（ 7 ） Tr1的漏

（ 8 ） Tr1的漏

2

2

1

(1)

(2)

(3)

1

(4)

1

ESD保护二极管

2

体二极管

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

符号

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

雪崩电流

雪崩能量

功耗

通道温度

储存温度范围

* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％

*2 L

500H ，V

DD

= 50V ，R

G

=25, T

ch

=25°C

范围

500

30

0.5

2

0.5

2

0.25

0.017

2

0.2

55

to

150

单位

V

V

A

A

A

A

A

mJ

W

C

C

V

DSS

连续

脉冲

连续

脉冲

V

GSS

I

D

*3

I

DP

*1

I

S

*3

I

SP

I

AS

E

AS

P

D

T

ch

T

英镑

*1

*2

*2

*4

* 3仅受最大通道温度允许的。

* 4装在一个陶瓷基板。

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2011.10 - Rev.A的

SP8K80

电气特性

（ TA = 25°C ）

参数

栅源漏

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

*脉冲

　

符号

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

*

R

DS （ ON）

升

fs

l*

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

*

t

r

*

t

D（关闭）

*

t

f

*

Q

g

*

Q

gs

*

Q

gd

*

分钟。

-

500

-

3.0

-

0.1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

-

9.0

-

23.5

36.5

2.4

10

18

25

170

3.8

1.3

1.6

马克斯。

10

-

100

5.0

11.7

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

单位

A

V

A

V

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

条件

V

GS

=30V, V

DS

=0V

I

D

= 1mA时， V

GS

=0V

V

DS

=500V, V

GS

=0V

V

DS

= 10V ，我

D

=1mA

I

D

= 0.25A ，V

GS

=10V

V

DS

= 10V ，我

D

=0.25A

V

DS

=25V

V

GS

=0V

f=1MHz

V

DD

250V ，我

D

=0.25A

V

GS

=10V

R

L

=1000

R

G

=10

V

DD

250V

I

D

=0.5A

V

GS

=10V

数据表

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

Body

二极管的特性

（源极 - 漏极）

参数

正向电压

*脉冲

符号

V

SD

*

分钟。

-

典型值。

-

马克斯。

1.5

单位

V

条件

I

S

= 0.25A ，V

GS

=0V

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2011.10 - Rev.A的

SP8K80

ⅵELECTRICAL

特性曲线

(Ta=25C)

图1典型的输出特性（ Ⅰ ）

0.1

Ta=25°C

脉冲

0.08

漏电流：我

D

[A]

V

GS

=10.0V

V

GS

=8.0V

V

GS

=7.0V

V

GS

=6.5V

V

GS

=6.0V

0.06

V

GS

=5.0V

　

数据表

图2典型的输出特性（ Ⅱ ）

0.5

V

GS

=10.0V

V

GS

=8.0V

0.4

V

GS

=7.0V

V

GS

=6.5V

Ta=25°C

脉冲

0.3

V

GS

=6.0V

0.04

漏电流：我

D

[A]

0.2

V

GS

=5.0V

0.02

V

GS

=4.5V

0.1

V

GS

=4.5V

0

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1

0.0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

漏源电压： V

DS

[V]

漏源电压： V

DS

[V]

图3典型的传输特性

1

V

DS

=10V

脉冲

栅极阈值电压： V

GS （ TH）

[V]

T

a

=125°C

T

a

=75°C

T

a

=25°C

T

a

=-25°C

6

图4栅极阈值电压与通道温度

V

DS

=10V

I

D

=1mA

脉冲

5

漏Currnt ：我

D

[A]

0.1

4

0.01

3

0.001

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

栅源电压： V

GS

[V]

2

-50

0

50

100

150

通道温度：T已

ch

[℃]

图5静态漏源通态电阻与漏电流

100

静态漏源通态电阻值：R

DS （ ON）

[Ω]

V

GS

=10V

脉冲

静态漏源导通电阻

R

DS （ ON）

[Ω]

T

a

=125°C

T

a

=75°C

T

a

=25°C

T

a

=-25°C

图6静态漏源导通电阻与通道温度

25

V

GS

=10V

脉冲

20

I

D

=0.50A

15

10

10

I

D

=0.25A

5

1

0.01

0

0.1

漏电流：我

D

[A]

1

-50

0

50

100

150

通道温度：T已

ch

[℃]

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SP8K80

　

数据表

图7正向转移导纳主场迎战漏电流

1

V

DS

=10V

脉冲

1

图8源电流和源极 - 漏极电压

V

GS

=0V

脉冲

正向转移导纳

Y

fs

[S]

0.1

T

a

=125°C

T

a

=75°C

T

a

=25°C

T

a

=-25°C

0.01

源电流：我

S

[A]

T

a

=125°C

T

a

=75°C

T

a

=25°C

T

a

=-25°C

0.1

0.001

0.001

0.01

0.01

0.1

1

0

0.5

1

1.5

2

漏电流：我

D

[A]

源极 - 漏极电压： V

SD

[V]

图9静态漏源通态电阻与栅源电压

20

18

静态漏源导通电阻

R

DS （ ON）

[W]

16

1000

14

12

10

8

6

10

4

2

0

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

栅源电压： V

GS

[V]

1

0.01

I

D

=0.5A

切换时间： T [ NS ]

Ta=25°C

脉冲

10000

图10开关特性

t

f

V

DD

≒250V

V

GS

=10V

R

G

=10Ω

T

a

=25°C

脉冲

t

D（关闭）

100

t

r

I

D

=0.25A

t

D（上）

0.1

漏电流：我

D

[A]

1

图11动态输入特性

12

T

a

=25°C

V

DD

=250V

I

D

=0.5A

脉冲

电容： C [ pF的]

1000

图12典型的电容与漏源电压

10

栅源电压： V

GS

[V]

C

OSS

100

C

国际空间站

T

a

=25°C

f=1MHz

V

GS

=0V

8

6

10

C

RSS

4

1

2

0

0

1

2

3

4

5

总栅极电荷：Q

g

[ NC ]

0.1

0.01

0.1

1

10

100

1000

漏源电压： V

DS

[V]

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数据表

图13归瞬态热阻VS脉冲宽度

10

归瞬态热阻： R（T ）

T

a

=25°C

单脉冲： 1台

10

图14最大安全工作区

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

(V

GS

= 10V)

1

漏电流：我

D

[ A ]

P

W

= 100μs

0.1

1

0.1

P

W

为1ms

P

W

= 10ms的

0.01

安装在陶瓷板上。

(30mm

×

30mm

×

0.8mm)

RTH

（ CH -A ）

=89.3°C/W

RTH

（ CH -A ）

（吨） = R（T） × Rth的

（ CH -A ）

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

0.01

T

a

=25°C

单脉冲： 1台

安装在陶瓷板上。

(30mm

×

30mm

×

0.8mm)

0.001

0.1

1

10

100

1000

脉冲宽度： PW （ S）

直流操作

漏源电压： V

DS

[ V ]

图15反向恢复时间与源电流

1000

T

a

=25°C

di/dt=50A/μs

V

GS

=0V

脉冲

反向恢复时间：吨

rr

[ NS ]

100

10

0.1

源电流：我

S

[A]

1

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