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SP8K64

晶体管

4V驱动N沟道+ N沟道MOSFET

SP8K64

结构

硅N沟道MOSFET

尺寸

（单位：毫米）

SOP8

特点

1）低导通电阻。

2 ）内置G -S保护二极管。

3 ）小型表面贴装封装（ SOP8 ）。

应用

开关

每根导线具有相同的尺寸

包装规格

包

TYPE

SP8K64

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

2500

等效电路

(8)

(7)

(6)

(5)

(8) (7) (6) (5)

(1) (2) (3) (4)

（1） Tr1的源

（2） Tr1的栅极

（3） Tr2的源

（4） Tr2的栅

（ 5 ） Tr2的漏

（ 6 ） Tr2的漏

（ 7 ） Tr1的漏

（ 8 ） Tr1的漏

(1)

(2)

(3)

(4)

ESD保护二极管

体二极管

保护二极管被包含在栅极和间

源端，以防止静电的二极管

电时，该产品在使用中。使用保护

当固定电压超过电路。

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

<It对于Tr1和Tr2.>相同评级

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

总功耗

通道温度

储存温度范围

PW为10μs ，占空比1 ％

安装在陶瓷板上。

连续

脉冲

连续

脉冲

符号

DSS

GSS

总胆固醇

TSTG

范围

±20

±9

±36

1.6

2.0

1.4

150

+150

单位

W /总

W /元

°C

1/4

SP8K64

晶体管

电气特性

(Ta=25°C)

<It是为Tr1和Tr2.>相同特性

参数

符号

GSS

栅源漏

漏源击穿电压

（ BR ） DSS

零栅极电压漏极电流

DSS

栅极阈值电压

GS （ TH）

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源

收费

栅极 - 漏极

收费

*脉冲

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

分钟。

1.0

6.5

典型值。

1600

230

190

15.0

4.0

4.4

马克斯。

±10

2.5

24.5

22.5

单位

条件

=±20V,

=0V

=1mA,

=0V

=30V,

=0V

=10V,

=1mA

=9A,

=10V

=9A,

=4.5V

=9A,

=4.0V

=9A,

=10V

=0V

f=1MHz

=4.5A,

15V

=10V

=3.33

=10

=9A,

15V

=5V

=1.67,

=10

体二极管的特性

（源极 - 漏极）（ TA = 25 ° C）

<It是为Tr1和Tr2.>相同特性

参数

正向电压

*脉冲

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

条件

=9A,

=0V

2/4

SP8K64

晶体管

电气特性曲线

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(m)

=10V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(m)

100

Ta=25°C

脉冲

1000

=10V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

漏电流：我

(A)

100

0.1

=4.0V

=4.5V

=10V

0.01

0.001

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0.01

0.1

100

0.01

0.1

100

栅源电压： V

(V)

漏电流：我

(A)

漏电流：我

(A)

图1典型的传输特性

图2静态漏源

导通状态电阻

与漏电流（

)

图3静态漏源

导通状态电阻

与漏电流（ ΙΙ ）

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(m)

=4.5V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(m)

=4V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(m)

1000

100

=9A

=4.5A

Ta=25°C

脉冲

100

0.01

0.1

100

0.01

0.1

100

漏电流：我

(A)

漏电流：我

(A)

栅源电压： V

(V)

图4静态漏源

导通状态电阻

与漏电流（ ΙΙΙ ）

图5静态漏源

导通状态电阻

与漏电流（ Ι ）

图6静态漏源

通态电阻VS.

栅源电压

正向转移导纳：

YFS （S）

100

=10V

脉冲

25°C

Ta=25°C

Ta=75°C

Ta=125°C

10000

切换时间： T（ NS ）

Ta=25°C

f=1MHz

=0V

10000

电容：C （PF ）

1000

Ta=25°C

=15V

=10V

=10

脉冲

100

国际空间站

1000

D（关闭）

D（上）

0.01

0.1

0.01

0.1

100

0.01

OSS

RSS

0.1

100

0.1

100

漏电流：我

(A)

漏源电压： V

(V)

漏电流：我

(A)

图7正向传输

导纳主场迎战

漏电流

图8典型电容

与漏源电压

图9的开关特性

3/4

SP8K64

晶体管

栅源电压： V

(V)

源电流：我

(A)

Ta=25°C

=15V

=8A

=10

脉冲

100

=0V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

0.1

0.01

0.0

0.5

1.0

1.5

总栅极电荷：的Qg （ NC ）

源极 - 漏极电压： V

(V)

图10动态输入特性

图11电源电流与

源 - 漏电压

测量电路

脉冲宽度

D.U.T.

50%

10%

90%

50%

10%

D（上）

90%

D（关闭）

关闭

90%

图12开关时间测试电路

图13开关时间波形

G（常量）。

D.U.T.

收费

图14栅极电荷测试电路

图15栅极电荷波形

4/4

附录

笔记

本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输

指无ROHM CO 。， LTD事先许可。

本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为

本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请

该规范将单独提供。

此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子

在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境

并决定在集合中的电路常数。

任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述

仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM

股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权

第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任

凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接

在使用这样的装置的。

一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或

以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业

利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利

罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。

本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。

本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用

（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气

电器及电子玩具）。

如果您打算使用这些产品，设备或装置需要相当高的水平

可靠性和故障，其中将直接危及人的生命（如医疗

仪器仪表，交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器

和其他安全设备），请务必提前与我们的销售代表咨询。

这是我们的首要任务，以提供产品以最大的质量和可靠性。然而，总有一个机会

失败是由于意外因素。因此，请考虑降容特性，并允许

供足够的安全功能，如额外的裕度，抗燃性，和故障保护措施的设计在当

为了防止可能发生的事故可能会导致人身伤害或火灾，造成部件故障的。 ROHM

可以不负责因使用该产品的情况下所产生的任何损失

一系列的规范或因不遵守本产品目录中规定的注意事项。

感谢您的访问，以ROHM的产品信息。

更详细的产品信息和目录都可以，请联系您最近的销售办事处。

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Appendix1-Rev2.0