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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第240页 > SP8J4
SP8J4
晶体管
交换（ -30V ，
2.0A)
SP8J4
特点
1 ）低导通电阻。 （ 270mΩ ，在4.5V ）
2 ）高功率封装。
3 ）高速开关。
4 ）低电压驱动。 （ 4.5V ）
外形尺寸
（单位：毫米）
SOP8
(5)
(4)
0.4
3.9
6.0
应用
电源开关， DC-DC转换
0.2
0.4Min.
每根导线具有相同的尺寸
结构
硅P沟道
MOS FET
等效电路
(8)
(7)
(6)
(5)
包装规格
包
TYPE
SP8J4
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TB
2500
2
2
（1） Tr1的源
（2） Tr1的栅极
（3） Tr2的源
（4） Tr2的栅
（ 5 ） Tr2的漏
（ 6 ） Tr2的漏
（ 7 ） Tr1的漏
（ 8 ） Tr1的漏
1
1
(1)
(2)
(3)
(4)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
1.75
1.27
(8)
(1)
5.0
1/4
SP8J4
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在陶瓷基板
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
范围
30
±20
±2.0
±8.0
1.6
8.0
2.0
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
1
1
2
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
分钟。
典型值。
170
270
320
190
45
30
7
10
25
4.5
2.4
1.0
0.8
马克斯。
±10
1
2.5
235
375
440
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
30
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
1.0
静态漏源导通状态
R
DS （ ON）
阻力
1.0
Y
fs
正向转移导纳
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
反向传输电容
C
RSS
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
f
总栅极电荷
Q
g
栅极 - 源
收费
Q
gs
栅极 - 漏极
收费
Q
gd
*脉冲
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±20V,
V
DS
=0V
I
D
= -1mA ，
V
GS
=0V
V
DS
= 30V,
V
GS
=0V
V
DS
= 10V,
I
D
= -1mA
I
D
= 2.0A,
V
GS
= 10V
I
D
= 1.0A,
V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.0A,
V
GS
= 4.0V
V
DS
= 10V,
I
D
= 1.0A
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 1.0A
V
DD
15
V
V
GS
= 10V
R
L
=15
R
GS
=10
V
DD
15V
V
GS
= 5V
I
D
= 2.0A
体二极管的特性（源极 - 漏极特性）
VSD
1.2
正向电压
V
I
S
= 1.6A,
V
GS
=0V
2/4
SP8J4
晶体管
电气特性曲线
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10
V
DS
= 10V
脉冲
10000
Ta=25°C
脉冲
V
GS
= 4V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
10000
V
GS
= 10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
漏电流：
I
D
(A)
1
0.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
1000
1000
100
100
0.01
0.001
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
栅源电压：
V
GS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
图1典型的传输特性
图2静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
图3静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10000
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
反向漏CURRNT ：
I
DR
(A)
V
GS
= 4.5V
脉冲
10000
V
GS
= 4V
脉冲
10
V
GS
=0V
脉冲
1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
100
100
0.1
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
源极 - 漏极电压：
V
SD
(V)
图4静态漏源导通状态
与漏电流
图5静态漏源导通状态
与漏电流
图6反向漏电流
源极 - 漏极电流
1000
栅源电压：
V
GS
(V)
切换时间： T（ NS ）
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
C
国际空间站
1000
电容：C （PF ）
t
f
100
100
Ta=25°C
V
DD
= 15V
V
GS
= 10V
R
G
=10
脉冲
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Ta=25°C
V
DD
= 15V
I
D
= 2.0A
R
G
=10
脉冲
t
D（关闭）
C
OSS
C
RSS
10
10
t
D（上）
t
r
1
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
3
3.5
4
漏源电压：
V
DS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图7典型电容
与漏源电压
图8的开关特性
图9动态输入特性
3/4
SP8J4
晶体管
测量电路
V
GS
I
D
R
L
D.U.T.
V
DS
V
GS
10%
90%
90%
90%
10%
t
D（关闭）
t
关闭
t
r
R
G
V
DD
V
DS
t
D（上）
t
on
10%
t
r
图10开关时间测试电路
图11开关时间波形
V
G
V
GS
I
D
R
L
I
G（常量）。
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
Q
g
V
GS
Q
gs
Q
gd
收费
图12栅极电荷测试电路
图13栅极电荷波形
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
SP8J4
晶体管
交换（ -30V ，
2.0A)
SP8J4
特点
1 ）低导通电阻。 （ 270mΩ ，在4.5V ）
2 ）高功率封装。
3 ）高速开关。
4 ）低电压驱动。 （ 4.5V ）
外形尺寸
（单位：毫米）
SOP8
(5)
(4)
0.4
3.9
6.0
应用
电源开关， DC-DC转换
0.2
0.4Min.
每根导线具有相同的尺寸
结构
硅P沟道
MOS FET
等效电路
(8)
(7)
(6)
(5)
包装规格
包
TYPE
SP8J4
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TB
2500
2
2
（1） Tr1的源
（2） Tr1的栅极
（3） Tr2的源
（4） Tr2的栅
（ 5 ） Tr2的漏
（ 6 ） Tr2的漏
（ 7 ） Tr1的漏
（ 8 ） Tr1的漏
1
1
(1)
(2)
(3)
(4)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
1.75
1.27
(8)
(1)
5.0
1/4
SP8J4
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在陶瓷基板
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
范围
30
±20
±2.0
±8.0
1.6
8.0
2.0
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
1
1
2
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
分钟。
典型值。
170
270
320
190
45
30
7
10
25
4.5
2.4
1.0
0.8
马克斯。
±10
1
2.5
235
375
440
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
30
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
1.0
静态漏源导通状态
R
DS （ ON）
阻力
1.0
Y
fs
正向转移导纳
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
反向传输电容
C
RSS
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
f
总栅极电荷
Q
g
栅极 - 源
收费
Q
gs
栅极 - 漏极
收费
Q
gd
*脉冲
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±20V,
V
DS
=0V
I
D
= -1mA ，
V
GS
=0V
V
DS
= 30V,
V
GS
=0V
V
DS
= 10V,
I
D
= -1mA
I
D
= 2.0A,
V
GS
= 10V
I
D
= 1.0A,
V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.0A,
V
GS
= 4.0V
V
DS
= 10V,
I
D
= 1.0A
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 1.0A
V
DD
15
V
V
GS
= 10V
R
L
=15
R
GS
=10
V
DD
15V
V
GS
= 5V
I
D
= 2.0A
体二极管的特性（源极 - 漏极特性）
VSD
1.2
正向电压
V
I
S
= 1.6A,
V
GS
=0V
2/4
SP8J4
晶体管
电气特性曲线
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10
V
DS
= 10V
脉冲
10000
Ta=25°C
脉冲
V
GS
= 4V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
10000
V
GS
= 10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
漏电流：
I
D
(A)
1
0.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
1000
1000
100
100
0.01
0.001
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
栅源电压：
V
GS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
图1典型的传输特性
图2静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
图3静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10000
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
反向漏CURRNT ：
I
DR
(A)
V
GS
= 4.5V
脉冲
10000
V
GS
= 4V
脉冲
10
V
GS
=0V
脉冲
1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
100
100
0.1
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
源极 - 漏极电压：
V
SD
(V)
图4静态漏源导通状态
与漏电流
图5静态漏源导通状态
与漏电流
图6反向漏电流
源极 - 漏极电流
1000
栅源电压：
V
GS
(V)
切换时间： T（ NS ）
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
C
国际空间站
1000
电容：C （PF ）
t
f
100
100
Ta=25°C
V
DD
= 15V
V
GS
= 10V
R
G
=10
脉冲
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Ta=25°C
V
DD
= 15V
I
D
= 2.0A
R
G
=10
脉冲
t
D（关闭）
C
OSS
C
RSS
10
10
t
D（上）
t
r
1
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
3
3.5
4
漏源电压：
V
DS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图7典型电容
与漏源电压
图8的开关特性
图9动态输入特性
3/4
SP8J4
晶体管
测量电路
V
GS
I
D
R
L
D.U.T.
V
DS
V
GS
10%
90%
90%
90%
10%
t
D（关闭）
t
关闭
t
r
R
G
V
DD
V
DS
t
D（上）
t
on
10%
t
r
图10开关时间测试电路
图11开关时间波形
V
G
V
GS
I
D
R
L
I
G（常量）。
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
Q
g
V
GS
Q
gs
Q
gd
收费
图12栅极电荷测试电路
图13栅极电荷波形
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
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S-806C
SKQYAAE010
STM6823
S29GL032A30FFI013
SP508_05
ST2306
SMLJ70
SD360YS
SN74LV08APWTE4
SKKH4114E
SSG25C100Y
SN7400
SSG150C20
SMS-TMS-3.9-4
SUR551J
S-80830CLPF-B9NTFG
SBDIP
SS5P4-M3/87A
SN75160BN
SP230ACP
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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