SP7656的PowerBlox
3A ， 29V非同步降压转换器
特点
宽输入电压范围4.5V - 29V
3安培连续4安培峰值输出电流
内部补偿
输入前馈控制提高
瞬态与监管
600kHz的固定频率工作
低0.6V参考电压
1 ％的高输出设定点精度
内部软启动
小型SO8 -EP热增强型封装
可调式过电流保护
无铅，符合RoHS标准的封装
描述
该SP7656是PWM控制步降（降压）电压模式稳压器共同封装与P-
沟道FET 。其4.5V至29V工作非常适用于5V ， 12V和24V应用。该
可编程过电流保护是基于内部FET电阻感应并允许设置
过流保护值都达到了300mV的阈值（ VIN - LX之间测量） 。该SP7656
是采用耐热增强型8引脚SO8封装使其成为最小的转换器之一
能够提供从5 ， 9，12 ， 18和24V直流电源供电的。
典型应用电路
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1
这些压力额定值只和设备在这些评级的功能操作或高于任何其他的表示
规范的操作部分下面是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
时间周期会影响其可靠性。
PVIN ... ................................................ .............. -0.3V至30V
SVIN ................................................ .. ... .. -0.3V至30V
.............................. 。 LX ........................... 。 ... -2V至30V
ISET ................................. 。 ........................ -2V至30V
FB ............... ............................................ ......- 0.3V至5.5V
存储温度.. ...... 。 ............... .. ... -65
C
150
C
结温..................................- 40C至125C
引线温度（焊接， 10秒） ...... ............ ..300
C
绝对最大额定值
电气规格
规格为T
AMB
=T
J
= 25C ，以及那些表示为
适用于整个工作范围内， -40C<牛逼
j
<85C.
除非另有规定： V
IN
= 4.5V至29V ，C
IN
= 4.7F.
参数
UVLO开启阈值
UVLO关断阈值
UVLO迟滞
工作输入电压
范围
工作输入电压
范围
工作电流VCC
基准电压准确度
基准电压准确度
参考电压
参考电压
开关频率
最小导通脉冲宽度
最小占空比
最大占空比
SVIN - VDR电压差
过流阈值
ISET引脚的输入电流
打嗝时断开间隔
软启动时间
SHDN阈值
SHDN阈值迟滞
P沟道FET的导
阻力
P沟道FET的源代码
泄漏
民
4.2
4.0
4.5
7
典型值
4.35
4.15
0.2
最大
4.5
4.3
29
29
单位
V
V
V
V
V
mA
%
%
V
V
千赫
ns
%
%
V
mV
A
ms
ms
V
mV
m
条件
0 ° C<牛逼
j
<85C
0 ° C<牛逼
j
<85C
0 ° C<牛逼
j
<85C
VFB=1.2V
0.3
0.5
0.5
0.6
0.6
600
40
3
2
0.612
690
100
0
5.5
*请参阅占空比restriction-应用部分
0.588
510
100
4.5
270
25
3
0.8
300
30
100
5
1.0
100
60
3
测量SVIN - VDR ， SVIN>7V
测量SVIN - ISET
V
ISET
= SVIN
VFB = 0.58V ， VIN之间措施= 4.5V
与第一栅极脉冲
施加电压到FB
330
35
9
1.2
5
A
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2
引脚说明
针＃
1
2
3
4,5
6
7,9
8
引脚名称
FB
GND
VDR
PVIN
SVIN
LX
ISET
描述
调节器反馈输入。连接一个电阻分压器网络设置
输出电压。该引脚也可以用作ON / OFF控制。如果此引脚拉高以上
1V控制器复位内部软启动电路。
接地引脚。
电源为内置的驱动程序。这个电压在内部调节至5V
下面VIN 。将VDR和输入电压尽可能接近的一个0.1uF的去耦电容
可以给IC 。
内部P沟道FET的源代码。连接到输入电压。
输入电源的控制器。将输入去耦电容尽量靠近
可能该引脚。连接到输入电压。
内部P沟道FET的漏极。连接到输出电感器。
该引脚用作内部电流限制比较器的电流限制输入。连
到LX通过一个可选电阻。内部阈值是预先设置为300mV的名义和
可以减少通过基于下式的外部电阻：
V
trshld
= 300mV的 - 为30uA * R.凡R≤3kΩ
转换器框图
5V
SVIN
VDR
振荡器
VIN - 5V LDO
PVIN
内部5V LDO
VIN
我= K X VIN
故障
VREF
PWM锁存器
复位优先
S
FET的栅极
FB
+
+
-
-
R
R
VDR
国内
P- FET
LX
PWM比较器
故障
误差放大器器
电源PAD
故障
UVLO
200ms的延迟
S
4位计数器
过电流
比较
+
R
R
设置主导
POR
1V
-
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3
+
故障
注册
-
ENBL
ISET
30uA
VIN - 0.3V
GND
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SP7656总体概述：
的SP7656的PowerBlox是一个固定的频率，
电压
模式，
非同步
PWM
控制器共同封装有P沟道FET 。
SP7656的最小组成部分进行了优化，
小形状因数和成本效益。它有
被设计为单电源供电
范围从4.5V到29V 。 SP7656具有类型2
国内
赔偿金
为
利用
同
电解/钽输出电容器。为
陶瓷电容器的Type- 3能补偿
通过简单地添加一个R和C实现
之间的输出和反馈。
精密的0.6V基准，目前在
内部误差放大器的正端子，
允许输出电压的编程
向下通过FB引脚0.6V 。的输出
误差放大器的内部相比，
前馈（Ⅴ
IN
/ 5的峰 - 峰值）的斜坡和
生成的PWM控制。
定时是由一个内部振荡器管辖
该设置PWM频率为600kHz的。
SP7656包含有用的保护功能。
过电流保护是基于
国内
MOSFET
RDS （ ON）
和
is
通过电阻放置的编程
I
SET
和LX节点。欠压锁定功能
（UVLO）确保控制器开始
功能只有在足够的电压存在
用于驱动IC的内部电路。
SP7656环路补偿
f
DBPOLE
½
1
2
L C
OUT
创建一个Type - 3补偿网络
上述条件要求的ESR零
是在较低的频率比双极
从LC滤波器。如果这一条件不能满足，
类型3的补偿，应使用，并且能够
通过放置一个串联的RC来完成
与R1并联组合，如图
下文。锆石的值可以计算为
如下，并从表1的RZ选择。
CZ
½
LC
R
1
50K
40K
30K
10K
2K
f
ESRzero
/f
DBPOLE
RZ
1X
2X
3X
5X
> = 10X
Table1- RZ选择
SP7656
VOUT
CP1
2pF
RZ
CZ
错误Amplif IER
图1- RZ和CZ与内部相结合
补偿元件形成的Type-3
赔偿金
f
ESRzero
f
DBPOLE
其中：
f
ESRzero
½
1
2
R
ESR
C
OUT
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4
-
+
该SP7656包括2型内部
赔偿金
组件
为
环
补偿。
外
赔偿金
不需要用于与系统组件
钽电容或铝电解输出
电容器具有足够高的ESR 。使用
以下为指针，以确定病情
与否的内部补偿是
足以满足您的设计。类型2的内部
补偿是足够的，如果下面的
条件得到满足：
CZ2
130pF
RZ2
200k
FB
R1
200k, 1%
VREF = 0.6V
R2
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过电流保护
Rs的最大值应限于
3k.
通过使用VFB的ON / OFF功能
反馈引脚上提供了双重角色/关
控制权。 MOSFET驱动器被禁用时，
小于1V的电压较大的是在FB引脚应用。
该引脚的最大额定电压为5.5V 。
的控制信号应当被应用
通过一个小信号二极管， FB引脚。
请
注意，一个可选的10k的出血跨接在电阻
输出有助于保持输出电容器
无负载条件下放电。
编程输出电压
图2 - 过电流保护电路
编程输出电压，计算R2
使用以下等式：
过电流保护电路的功能由
跨内部P-监控电压
沟道FET 。当此电压超过
0.3V （标称值） ，过流比较器
触发器和控制器进入打嗝模式。
由于FET具有标称的Rds 0.06Ω （上） ，
假设无温升，过电流
将触发在IOCP = 0.3V / 0.06Ω = 5A 。对
节目较低的过电流使用一个电阻Rs
之间ISET和LX引脚。从计算Rs ：
R2
½
200k
VOUT
1
0.6
Rs
½
0.3
1.15
IOCP
0.06
Kt
30
uA
0.6被用作它的参考电压
SP7656 。 200k的是一个固定值，并且是顶
电阻器中的输出设定值的电阻对。在
除了分压器是部分，它
在补偿网络的一部分。的R1
输出电压的分压应始终
200k.
软启动
软启动内部预设为5毫秒（标称值） 。
内部软启动省去了
这是常用的外部电容的CSS
设定此功能。
输入电容的选择
选择输入电容的电压，
电容的纹波电流， ESR和ESL 。
额定电压名义上选为
大约两倍的输入电压。该
输入电容电流的有效值，
假设一个低电感纹波电流（I
愿（死者）安息
),
可以从下式计算：
其中：
- 1.15是一个乘数来计算峰值电流
- IOCP是所需的过电流保护，
- 0.06Ω的名义FET RSD（上）在25℃
- Kt为一个乘数来计算增加
的Rds（on ），用于一个给定的温度
Kt为1.0和1.4的场效应管在25℃下操作
和150 ℃。这占
在FET的导通电阻的增加（上） 40％的温度
从25 ℃升高到150℃。
例如：计算Rs为3.5A的IOCP 。 FET
工作温度为88 ℃。
Rs
½
Rs=340Ω
0.3
1.15
3.5 A
0.06
1.2
30uA
霉素
½
IOUT
(1
D
)
在一般的总输入电压纹波应
保持低于V 1.5 ％
IN
（不超过
180mV).
输入电压纹波有三个组成部分：
ESR和ESL导致在一个阶跃电压降
开启MOSFET的。在上一次
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利用上述方程有好
计算和试验结果之间的协议
卢比高达3K 。对于RS比3K大考验
结果比那些由预测下
RS方程由于电路寄生效应。因此
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QQ：2881677436 复制
