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SP730
微处理器监控电路与上拉电阻
特点
拥有微控制器处于复位状态
断电时单片机复位
4.375和3.075电压跳变点
低电平有效
内部上拉电阻
持有RESET为350毫秒(典型值)
复位有效低至V
DD
1.0V
45μA典型工作电流
提供一个3引脚SOT- 23封装
GND
SP730
3引脚SOT -23
RESET
V
DD
现在可以在无铅封装
应用
便携式电子设备
电力仪表
计算机系统板
调制解调器
描述
该SP730是一款让单片机复位状态,直到电源电压监控设备
系统电压已经达到适当的水平和稳定化。此外,她也为保护
当电源电压低于安全操作水平欠压条件。该SP730
有一个内部5kΩ的上拉电阻。该器件具有一个低电平有效复位引脚,并断言
RESET信号时在V的电压
DD
引脚低于断路点电压。部分
是一个小3引脚SOT-23封装。联系工厂等触发电压选项。
典型应用电路
VDD
微控制器
SP730
VDD
GND
RESET
绕行
电容
VDD
MCLR
or
RESET
GND
日期: 11/15/05
SP730微处理器监控电路
2005 Sipex的公司
1
绝对最大额定值
V
DD
................................................................................................. 6.0V
所有输入和输出w.r.t. GND ............................... -0.6到V
DD
+ 1.0V
存储温度................................................ .. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与功耗应用.....................- 65 ° C至+ 125°C
ESD保护所有引脚............................................. ...............
≥2kV
这些压力额定值只,设备的功能操作
这些收视率甚至超过上述操作部分指示的任何其他
规格如下,是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下,长时间会影响其可靠性。
电气特性
V
DD
= 1.0V - 5.5V ; -40 ° C至85°C 。
表示该应用在整个工作温度范围内的特定连接的阳离子,
除非另有规定ED 。
参数
工作电压范围
V
DD
价值RESET
工作电流
符号
V
DD
V
DDMIN
I
DD
分钟。
1.0
1.0
典型值。
马克斯。
5.5
单位
V
V
A
条件
45
3.0
3.075
4.375
50
60
3.15
4.50
V
DD
= 5.5V (空载)
V
DD
TRIP POINT
V
4.25
V
阈值迟滞
RESET低电平输出
电压
RESET高电平输出
电压
上拉电阻
V
DD
检测到RESET无效
V
HYS
V
OL
V
OH
V
DD
-.7
mV
V
V
K
ms
V
DD
从斜坡
V
TRIP MAX
(V
TRIP MAX +
为250mV )至(Ⅴ
TRIP MIN -
250mV)
I
OL
= 8.5毫安,V
DD
=
V
TRIP MIN
I
OH
= 50μA ,V
DD
& GT ;
V
TRIP MAX
0.6
5
t
RPU
150
350
700
V
DD
检测以RESET
t
RPD
10
S
引脚说明
引脚数
1
2
3
引脚名称
RESET
V
DD
GND
3引脚SOT-23说明
低电平有效。此引脚变为低电平时V
DD
下降至低于复位
门槛。
电源输入。
地面上。
日期: 11/15/05
SP730微处理器监控电路
2005 Sipex的公司
2
工作原理图
V
DD
比较
延迟电路
输出驱动器
RESET
带隙
参考
5kΩ的内部上拉
电阻
时序图
V
V
DD
tRPU
tRPD
V
OH
RESET
V
OH
图1 : SP730时序图
日期: 11/15/05
SP730微处理器监控电路
2005 Sipex的公司
3
典型性能特性
IDD与温度
60
50
工作电流( UA)
40
30
国际直拨电话
20
10
0
-40
-20
0
20
温度( 'C )
40
60
80
100
tRPU与温度
700
600
500
超时时间(毫秒)
400
tRPU
300
200
100
-40
-20
0
20
温度( 'C )
40
60
80
100
日期: 11/15/05
SP730微处理器监控电路
2005 Sipex的公司
4
典型性能特性
归VTRIP与温度
1.0020
1.0000
0.9980
归一化门槛
0.9960
0.9940
0.9920
0.9900
-40
-20
0
20
温度( 'C )
40
60
80
100
第一卷VS人工晶体
1200
1100
1000
900
800
700
VOL (毫伏)
600
500
400
300
200
Vdd=4.25V
Vdd=3.5V
Vdd=2.5V
温度= 25'C
100
0
0
1
2
3.2
4
5
6
7
8.5
9
10
IOL (毫安)
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
日期: 11/15/05
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