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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第514页 > SP6127
SP6127 ， 2A
评估板手册
容易评价的
SP6127EK1 12V输入， 0 2A
输出非同步降压
变流器
精密0.60V
±1%
高
-Accuracy参考。
小巧的外形
功能丰富：单电源工作，过
电流保护与自动重启，开/关
功能，预置内部软启动， II型
内部补偿
SP6127EB原理图
VIN
Q1
Si2343DS
2
1
VIN
Rs=1k
LX
C7
0.1uF
6
L1 ， IHLP - 2525CZ
器3.3uH ，降至30mΩ ， 6A
门
C1
4.7uF
12V
GND
VOUT
C4
22uF
R1
200k, 1%
4
CZ
33pF
R2
100k, 1%
D1 1N4148
SP6127
3
VDR
Ds
MBRA340T3G
RZ
2K
1.8V
0-2.0A
VFB
GND
5
SHDN
高=的F
GND
转07年6月27日
SP6127评价手册
版权所有2007 Sipex的公司
使用评估板
1 ）开机的SP6127EB电路
该SP6127评估板连接到外部+ 12V电源。与连接
短引线直接将“ VIN ”和“ GND ”的帖子。连接“ VOUT ”之间的负载
和“ GND ”的帖子，再次使用短引线，以减少电感和电压降。
2 ）测量输出负载特性
这是最好用的星GND岗位近到GND参考范围和数字仪表
输出电路板。 VOUT纹波最能看出感人的探头端部的垫
COUT和范围GND领触摸星GND后 - 避免范围的接地导线
这将增加噪声。
3 ）使用评估板与不同的输出电压
而SP6127评估板已经过测试并交付使用的输出设定
至1.80V ，仅仅通过改变一个电阻（R2） ，所述SP6127可以被设置为其它的输出
电压。在下述式的关系，根据从一个分压器
输出到反馈引脚FB ，其被设置为0.60V的内部参考电压。
表面标准1 ％的金属膜电阻器安装尺寸0603顷建议。
R
1
VOUT
VREF
1
其中R1 = 200k的
。因为VOUT = 0.60V的设置，只需从主板上取下R2。
R
2
=
请注意，由于SP6127评估板设计为12V进行了优化
转换到1.80V ，输出电压和/或输入电压的变化将改变
从电源部分数据给出的数据表现。
通过SHDN （ ON / OFF功能）
反馈引脚提供的ON / OFF控制的双重作用。 MOSFET驱动器被禁用
当小于1V的电压越大，在FB引脚应用。该引脚的最大额定电压
为5.5V 。的控制信号，应通过一个小信号二极管施加如图
在第1页。
需要注意的是空载状态可选的规格为10Mohm出血电阻下
在输出有助于保持输出电容器放电。
电源数据
该SP6127EB设计了一个精确的2 ％的参考线路，负载和
温度。图1中的数据显示了一个典型的SP6127评估板效率图，
以效率75％ ，输出电流2A 。在图2 SP6127负载调节
显示输出电压变化很小，从空载到负载2A 。图3和图4示出了
的SP6127和过流关断的瞬态响应。图5和图6示出了
通电时的受控启动空载和2A负载，其中所述输入
目前平稳上升的软启动斜坡上升。图7和图8示出了输出
无负载和2A负载下的纹波。
2
典型性能特性
SP6127效率与电流输出，
Vin=12V,Ta=25C
90
Vout=1.8V
SP6127负载调节
Vin=12V
1.810
效率（％）
80
1.805
Vout的（V）的
0.0
0.5
1.0
IOUT（ A）
1.5
2.0
70
1.800
60
1.795
50
1.790
0.0
0.5
1.0
IOUT（ A）
1.5
2.0
图1-效率
图2-负载调整率
图3-阶跃负载1-2A ， CH1 ：输入电压
CH2 ： Vout的， CH3 ：电流输出
图4- OCP关机， CH1 ：输入电压
CH2 ： Vout的， CH3 ：电感电流， CH4 ：木卫一
图5启动画面空载， CH1 ：输入电压
CH2 ： Vout的， CH3 ：电流输出
图6启动2A ， CH1 ：输入电压
CH2 ： Vout的， CH3 ：电流输出
3
典型性能特性
图7-输出纹波以0A为32mV ，
CH1 ：输入电压， CH2 ： Vout的， CH3 ：电流输出
图8-2输出纹波2A是15mV的，
CH1 ：输入电压， CH2 ： Vout的， CH3 ：电流输出
4
环路补偿
该SP6127包括II型内部补偿元件的for循环
补偿。不需要与系统的外部补偿组件
钽电容或铝电解电容输出足够高的ESR 。使用
下面作为一个准则条件以确定内部补偿是否是
足以满足您的设计。
II型内部补偿是足够的，如果满足以下条件：
f
ESRzero
＆ LT ;
f
DBPOLE
其中：
f
ESRzero
=
1
2.
π
.
R
ESR
.
C
OUT
………………. (1)
……….. (2)
f
DBPOLE
=
1
2.
π
.
L
C
OUT
………… (3)
创建类型-III补偿网络
上述条件要求ESR零点是在一个较低的频率比双
极从LC滤波器。如果这个条件不满足， Ⅲ型补偿应
使用，并且可以通过将串联的RC组合与R1并联来实现
如下所示。锆石的值可以如下计算和选自RZ
表1中。
CZ
=
L
C
………….. (4)
1.25
×
R
1
f
ESRzero
/f
DBPOLE
1X
2X
3X
5X
> = 10X
RZ
50K
40K
30K
10K
2K
Table1-选择的RZ
5
SP6127
高电压，降压型控制器在TSOT6
特点
宽4.5V - 29V输入电压范围
内部补偿
内置高电流PMOS驱动器
可调式过电流保护
内部软启动
至900kHz恒定频率工作
0.6V参考电压
1 ％的输出设定点精度
无铅，符合RoHS的封装：
小型6引脚TSOT
LX
GND
FB
6
5
4
SP6127
6 PinTSOT
1
V
IN
2
门
3
VDR
__________________________________________________________
描述
该SP6127是PWM控制步降（降压）电压模式稳压器V
IN
前馈和
内部II型补偿。它工作于4.5V至29V V
IN
，使其适用于5V ， 12V和24V
应用程序。通过使用一个PMOS驱动器，这个装置能够以100％的占空比操作。在高
侧驱动器设计用于驱动低于V门5V
IN
。可编程过流保护
基于高边MOSFET的导通电阻感应并允许设置过电流保护
价值高达300mV的阈值（ VIN - LX之间测量） 。该SP6127可在一个节省空间的6
引脚TSOT封装使其可用最小的控制器能够从24V直流电源供电的。
_______________________________________
典型应用电路
VIN
Q1
Si2343DS
2
1
VIN
Rs=1k
LX
C7
0.1uF
6
L1 ， IHLP - 2525CZ
器3.3uH ，降至30mΩ ， 6A
门
C1
4.7uF
12V
GND
VOUT
C4
22uF
R1
200k, 1%
4
CZ
33pF
R2
100k, 1%
D1 1N4148
SP6127
3
VDR
Ds
MBRA340T3G
RZ
2K
1.8V
0-2.0A
VFB
GND
5
SHDN
高=的F
GND
2007年6月26日
SP6127 TSOT - 6 PFET降压控制器
第1页
2007年的Sipex公司
绝对最大额定值
这些压力额定值只，以及功能操作
器件在这些评级超过或在标明的任何其他
下面的规范的操作部分是不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
输入电压... .............................. ..- 0.3V至30V
... LX ......................................................... 。 -2V至30V
FB ............... ............................................ ......- 0.3V至5.5V
储存温度.. .................. ... ... -65
°C
150
°C
结温...................................- 40 ° C至125°C
引线温度（焊接， 10秒） ...... ............ ..300
°C
ESD额定值......... .. ... 。 ...千伏LX ， 2kV的所有其他节点， HBM
____________________________________________
电气规格
规格为T
AMB
=T
J
= 25C ，以及那些表示为
适用于整个工作范围内， -40C<牛逼
j
<125 ℃。除非
特别说明： VIN = 4.5V至29V ，C
IN
= 4.7F.
参数
UVLO开启阈值
UVLO关断阈值
UVLO迟滞
工作输入电压范围
工作输入电压范围
工作电流VCC
基准电压准确度
基准电压准确度
参考电压
参考电压
开关频率
峰对峰的斜坡电压
最小导通脉冲宽度
最小占空比
最大占空比
栅极驱动关断电阻
栅极驱动器下拉
阻力
栅极驱动器上拉电阻
VIN - VDR电压差
过流阈值
LX引脚输入电流
打嗝时断开间隔
软启动时间
SHDN阈值
SHDN阈值迟滞
民
4.2
4.0
典型值
4.35
4.15
0.2
最大
4.5
4.4
单位
V
V
V
条件
0 ° C<牛逼
j
<125°C
0 ° C<牛逼
j
<125°C
0 ° C<牛逼
j
<125°C
4.5
7
0.3
0.5
0.5
0.594
0.588
750
0.6
0.6
900
V
IN
/5
40
100
50
4
3
4.5
270
25
3
0.8
300
30
70
5
1.0
100
29
29
3
1
2
0.606
0.612
1050
100
0
60
8
6
5.5
330
35
9
1.2
V
V
mA
%
%
V
V
千赫
V
ns
%
%
k
VFB=1.2V
GATE之间的内部电阻
VIN
VIN = 12V ，V
FB
= 0.5V ，测量
GATE和VDR之间的电阻
VIN = 12V ，V
FB
= 0.7V ，测量
GATE和VIN之间的电阻
V
mV
uA
ms
ms
V
mV
测量VIN - VDR ， VIN>7V
测量VIN - LX
V
LX
- VIN
VFB = 0.58V之间，测量
VIN = 4.5V和第一栅极脉冲
施加电压到FB
2007年6月26日
SP6127 TSOT - 6 PFET降压控制器
第2页
2007年的Sipex公司
_______________________________________________________
引脚说明
针＃
1
2
3
针
名字
VIN
门
VDR
描述
输入电源的控制器。将输入去耦电容尽量靠近
尽可能到该引脚。
连接到外部的P沟道MOSFET的栅极端子。
电源为内置的驱动程序。这个电压在内部调节到
约5V低于VIN 。将VDR之间一个0.1μF的去耦电容
V
IN
尽可能靠近IC放置。
调节器反馈输入。连接一个电阻分压器网络设置
输出电压。该引脚也可以用作ON / OFF控制。如果该引脚为
上述1V拉P沟道驱动器被禁用，并且控制器复位内
软启动电路。
接地引脚。
该引脚用作内部电流限制比较器的电流限制输入。
通过一个可选的电阻连接到外部MOSFET的漏极引脚。
内部阈值被预先设定为300mV的名义，并且可以减少
改变基于以下公式的外部电阻器： V
trshld
=
300mV的 - 为30uA * R
4
5
FB
GND
6
LX
______________________________________________________
框图
5V
VIN
VDR
振荡器
VIN - 5V LDO
VIN
内部5V LDO
我= K X VIN
故障
VREF
PWM锁存器
复位优先
S
门
FB
+
+
-
-
R
误差放大器器
PWM比较器
VDR
故障
故障
ENBL
UVLO
故障
注册
S
4位计数器
-
LX
70ms的延时
过电流
比较
VIN - 0.3V
+
-
R
R
设置主导
POR
1V
2007年6月26日
SP6127 TSOT - 6 PFET降压控制器
第3页
+
30uA
GND
2007年的Sipex公司
____________________________________________________
总体概述
的SP6127是一个固定的频率，电压模式，
非同步PWM控制器优化
最小的组成部分，小巧的外形和成本
有效性。它被设计为单
电源工作范围为4.5V至29V 。
SP6127具有II型内部补偿
电解/钽输出电容使用。
对于陶瓷电容型III补偿
可以通过简单地增加一个R和实施
输出和反馈℃之间。精密
0.6V基准，目前正端上
该误差放大器的，允许的编程
输出电压下降到通过FB引脚0.6V 。该
误差放大器的输出在内部
相比于前馈（Ⅴ
IN
/ 5的峰 - 峰值）
斜坡并产生PWM控制。时机
由一个内部振荡器，设置约束
PWM频率为900kHz的。
SP6127包含有用的保护功能。
过电流保护是基于高边
MOSFET的
DS
(
ON
）并且是可编程的，通过一个
电阻器放置在LX节点。欠压锁相
出（UVLO）确保控制器开始
功能只有在足够的电压存在
供电IC的内部电路。
SP6127环路补偿
该SP6127包括II型内部补偿
组件的环路补偿。
外
不需要用于补偿元件
用钽或铝电解系统
输出电容具有足够高的ESR 。利用
以下为指针，以判断病情
与否的内部补偿是
足以满足您的设计。
II型内部补偿是足够的，如果
满足以下条件：
其中：
f
ESRzero
=
1
2.
π
.
R
ESR
.
C
OUT
……….. (2)
f
DBPOLE
=
1
2.
π
.
L
C
OUT
………… (3)
创建类型-III补偿网络
上述条件要求的ESR零点是
在一个较低的频率比双极从
LC滤波器。如果这一条件不能满足， III型
补偿应使用可
通过放置一个串联的RC来完成
与R1并联组合如下所示。
锆石的值可以计算如下和
从表1的RZ选择。
CZ
=
L
C
………….. (4)
1.25
×
R
1
f
ESRzero
/
f
DBPOLE
1X
2X
3X
5X
> = 10X
R
Z
50K
40K
30K
10K
2K
f
ESRzero
＆ LT ;
f
DBPOLE
………………. (1)
Table1-选择
R
Z
2007年6月26日
SP6127 TSOT - 6 PFET降压控制器
第4页
2007年的Sipex公司
______________________________________________________
总体概述
SP6127
VOUT
CP1
2pF
RZ
CZ2
130pF
RZ2
200k
VFB
CZ
R1
200k, 1%
错误Amplif IER
图1- RZ和CZ与内部补偿元件一起构成一个类型 -
三，补偿网络
环路补偿例1-
A转换器
利用SP6127具有3.3μH的电感器和一个
22F/5m
陶瓷电容器。确定
是否需要III型补偿。
从等式（2）
响应电路，见于图2中，
验证了上述过程。
环路补偿例2-
A转换器
利用SP6127具有3.3μH电感和
一个220μF ， 82米
铝电解
电容。
DETERMINE
是否
III型
需要补偿。
从等式（2）
f
ESRzero
= 1.45MHz 。从
等式（3）
f
DBPOLE
= 18.4千赫。自从
（1 ）不能满足， Ⅲ型指定条件
补偿必须使用通过添加
外部元件RZ和CZ 。运用
方程（4）的CZ计算为34pF （使用
33pF的） 。以下在表1中给出的指导原则，
一个2K RZ应该被使用。
接着实施例1中的步骤，分别用
补偿的典型应用电路
第1页令人满意的频率上显示
图1页面上显示的典型应用电路2-满意的频率响应。
分频点
f
c为100kHz时具有60度的相应的相位裕度。
2007年6月26日
SP6127 TSOT - 6 PFET降压控制器
第5页
2007年的Sipex公司
-
+
VREF = 0.6V
R2
f
ESRzero
= 8.8kHz 。从
等式（3）
f
DBPOLE
= 5.9kHz 。自从
（1 ）不能满足， Ⅲ型指定条件
补偿需要使用通过添加
外部元件RZ和CZ 。运用
方程（4）的CZ计算108pF （使用100
pF的） 。自
f
ESRzero
/
f
DBPOLE
是约2 ，
RZ必须设置为40K 。
SP6127
高电压，降压型控制器在TSOT6
特点
宽4.5V - 29V输入电压范围
内部补偿
内置高电流PMOS驱动器
可调式过电流保护
内部软启动
至900kHz恒定频率工作
0.6V参考电压
1 ％的输出设定点精度
无铅，符合RoHS的封装：
小型6引脚TSOT
LX
GND
FB
6
5
4
SP6127
6 PinTSOT
1
V
IN
2
门
3
VDR
__________________________________________________________
描述
该SP6127是PWM控制步降（降压）电压模式稳压器V
IN
前馈和
内部II型补偿。它工作于4.5V至29V V
IN
，使其适用于5V ， 12V和24V
应用程序。通过使用一个PMOS驱动器，这个装置能够以100％的占空比操作。在高
侧驱动器设计用于驱动低于V门5V
IN
。可编程过流保护
基于高边MOSFET的导通电阻感应并允许设置过电流保护
价值高达300mV的阈值（ VIN - LX之间测量） 。该SP6127可在一个节省空间的6
引脚TSOT封装使其可用最小的控制器能够从24V直流电源供电的。
_______________________________________
典型应用电路
VIN
Q1
Si2343DS
2
1
VIN
Rs=1k
LX
C7
0.1uF
6
L1 ， IHLP - 2525CZ
器3.3uH ，降至30mΩ ， 6A
门
C1
4.7uF
12V
GND
VOUT
C4
22uF
R1
200k, 1%
4
CZ
33pF
R2
100k, 1%
D1 1N4148
SP6127
3
VDR
Ds
MBRA340T3G
RZ
2K
1.8V
0-2.0A
VFB
GND
5
SHDN
高=的F
GND
Jan28-08亮采
SP6127 TSOT - 6 PFET降压控制器
第1页
2007 Exar公司
绝对最大额定值
这些压力额定值只，以及功能操作
器件在这些评级超过或在标明的任何其他
下面的规范的操作部分是不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
输入电压... .............................. ..- 0.3V至30V
... LX ......................................................... 。 -2V至30V
FB ............... ............................................ ......- 0.3V至5.5V
储存温度.. .................. ... ... -65
°C
150
°C
结温...................................- 40 ° C至125°C
引线温度（焊接， 10秒） ...... ............ ..300
°C
ESD额定值......... .. ... 。 ...千伏LX ， 2kV的所有其他节点， HBM
____________________________________________
电气规格
规格为T
AMB
=T
J
= 25C ，以及那些表示为
适用于整个工作范围内， -40C<牛逼
j
<125 ℃。除非
特别说明： VIN = 4.5V至29V ，C
IN
= 4.7F.
参数
UVLO开启阈值
UVLO关断阈值
UVLO迟滞
工作输入电压范围
工作输入电压范围
工作电流VCC
基准电压准确度
基准电压准确度
参考电压
参考电压
开关频率
峰对峰的斜坡电压
最小导通脉冲宽度
最小占空比
最大占空比
栅极驱动关断电阻
栅极驱动器下拉
阻力
栅极驱动器上拉电阻
VIN - VDR电压差
过流阈值
LX引脚输入电流
打嗝时断开间隔
软启动时间
SHDN阈值
SHDN阈值迟滞
民
4.2
4.0
典型值
4.35
4.15
0.2
最大
4.5
4.4
单位
V
V
V
条件
0 ° C<牛逼
j
<125°C
0 ° C<牛逼
j
<125°C
0 ° C<牛逼
j
<125°C
4.5
7
0.3
0.5
0.5
0.594
0.588
750
0.6
0.6
900
V
IN
/5
40
100
50
4
3
4.5
270
25
3
0.8
300
30
70
5
1.0
100
29
29
3
1
2
0.606
0.612
1050
100
0
60
8
6
5.5
330
35
9
1.2
V
V
mA
%
%
V
V
千赫
V
ns
%
%
k
VFB=1.2V
GATE之间的内部电阻
VIN
VIN = 12V ，V
FB
= 0.5V ，测量
GATE和VDR之间的电阻
VIN = 12V ，V
FB
= 0.7V ，测量
GATE和VIN之间的电阻
V
mV
uA
ms
ms
V
mV
测量VIN - VDR ， VIN>7V
测量VIN - LX
V
LX
- VIN
VFB = 0.58V之间，测量
VIN = 4.5V和第一栅极脉冲
施加电压到FB
Jan28-08亮采
SP6127 TSOT - 6 PFET降压控制器
第2页
2007 Exar公司
_______________________________________________________
引脚说明
针＃
1
2
3
针
名字
VIN
门
VDR
描述
输入电源的控制器。将输入去耦电容尽量靠近
尽可能到该引脚。
连接到外部的P沟道MOSFET的栅极端子。
电源为内置的驱动程序。这个电压在内部调节到
约5V低于VIN 。将VDR之间一个0.1μF的去耦电容
V
IN
尽可能靠近IC放置。
调节器反馈输入。连接一个电阻分压器网络设置
输出电压。该引脚也可以用作ON / OFF控制。如果该引脚为
上述1V拉P沟道驱动器被禁用，并且控制器复位内
软启动电路。
接地引脚。
该引脚用作内部电流限制比较器的电流限制输入。
通过一个可选的电阻连接到外部MOSFET的漏极引脚。
内部阈值被预先设定为300mV的名义，并且可以减少
改变基于以下公式的外部电阻器： V
trshld
=
300mV的 - 为30uA * R
4
5
FB
GND
6
LX
______________________________________________________
框图
5V
VIN
VDR
振荡器
VIN - 5V LDO
VIN
内部5V LDO
我= K X VIN
故障
VREF
PWM锁存器
复位优先
S
门
FB
+
+
-
-
R
误差放大器器
PWM比较器
VDR
故障
故障
ENBL
UVLO
故障
注册
S
4位计数器
-
LX
70ms的延时
过电流
比较
VIN - 0.3V
+
-
R
R
设置主导
POR
1V
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SP6127 TSOT - 6 PFET降压控制器
第3页
+
30uA
GND
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总体概述
的SP6127是一个固定的频率，电压模式，
非同步PWM控制器优化
最小的组成部分，小巧的外形和成本
有效性。它被设计为单
电源工作范围为4.5V至29V 。
SP6127具有II型内部补偿
电解/钽输出电容使用。
对于陶瓷电容型III补偿
可以通过简单地增加一个R和实施
输出和反馈℃之间。精密
0.6V基准，目前正端上
该误差放大器的，允许的编程
输出电压下降到通过FB引脚0.6V 。该
误差放大器的输出在内部
相比于前馈（Ⅴ
IN
/ 5的峰 - 峰值）
斜坡并产生PWM控制。时机
由一个内部振荡器，设置约束
PWM频率为900kHz的。
SP6127包含有用的保护功能。
过电流保护是基于高边
MOSFET的
DS
(
ON
）并且是可编程的，通过一个
电阻器放置在LX节点。欠压锁相
出（UVLO）确保控制器开始
功能只有在足够的电压存在
供电IC的内部电路。
SP6127环路补偿
该SP6127包括II型内部补偿
组件的环路补偿。
外
不需要用于补偿元件
用钽或铝电解系统
输出电容具有足够高的ESR 。利用
以下为指针，以判断病情
与否的内部补偿是
足以满足您的设计。
其中：
f
ESRzero
=
f
DBPOLE
=
1
2.
π
.
R
ESR
.
C
OUT
……….. (2)
1
2.
π
.
L
C
OUT
………… (3)
创建类型-III补偿网络
上述条件要求的ESR零点是
在一个较低的频率比双极从
LC滤波器。如果这一条件不能满足， III型
补偿应使用可
通过放置一个串联的RC来完成
与R1并联组合如下所示。
锆石的值可以计算如下和
从表1的RZ选择。
CZ
=
L
C
………….. (4)
1.25
×
R
1
f
ESRzero
/
f
DBPOLE
1X
2X
3X
5X
> = 10X
R
Z
50K
40K
30K
10K
2K
II型内部补偿是足够的，如果
满足以下条件：
f
ESRzero
＆ LT ;
f
DBPOLE
………………. (1)
Table1-选择
R
Z
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总体概述
SP6127
VOUT
CP1
2pF
RZ
CZ2
130pF
RZ2
200k
VFB
CZ
R1
200k, 1%
错误Amplif IER
图1- RZ和CZ与内部补偿元件一起构成一个类型 -
三，补偿网络
环路补偿例1-
A转换器
利用SP6127具有3.3μH的电感器和一个
22F/5m
陶瓷电容器。确定
是否需要III型补偿。
从等式（2）
响应电路，见于图2中，
验证了上述过程。
环路补偿例2-
A转换器
利用SP6127具有3.3μH电感和
一个220μF ， 82米
铝电解
电容。
DETERMINE
是否
III型
需要补偿。
从等式（2）
f
ESRzero
= 1.45MHz 。从
等式（3）
f
DBPOLE
= 18.4千赫。自从
（1 ）不能满足， Ⅲ型指定条件
补偿必须使用通过添加
外部元件RZ和CZ 。运用
方程（4）的CZ计算为34pF （使用
33pF的） 。以下在表1中给出的指导原则，
一个2K RZ应该被使用。
接着实施例1中的步骤，分别用
补偿的典型应用电路
第1页令人满意的频率上显示
图1页面上显示的典型应用电路2-满意的频率响应。
分频点
f
c为100kHz时具有60度的相应的相位裕度。
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-
+
VREF = 0.6V
R2
f
ESRzero
= 8.8kHz 。从
等式（3）
f
DBPOLE
= 5.9kHz 。自从
（1 ）不能满足， Ⅲ型指定条件
补偿需要使用通过添加
外部元件RZ和CZ 。运用
方程（4）的CZ计算108pF （使用100
pF的） 。自
f
ESRzero
/
f
DBPOLE
是约2 ，
RZ必须设置为40K 。
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