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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1248页 > SP6126
SP6126 ， 2A
评估板手册
容易评价的
SP6126EK1 12V输入， 0 2A
输出非同步降压
变流器
精密0.60V
±1%
高
-Accuracy参考。
小巧的外形
功能丰富：单电源工作，过
电流保护与自动重启，开/关
功能，预置内部软启动， II型
内部补偿
SP6126EB原理图
VIN
Q1
Si2343DS
2
1
VIN
Rs=1k
LX
C7
0.1uF
6
L1 ， IHLP - 2525CZ
6.8UH ， 60mOhm ， 4.5A
门
C1
10uF
12V
GND
VOUT
C4
22uF
R1
200k, 1%
4
CZ
82pF
R2
44.2k, 1%
D1 1N4148
R（可选）
10k
SP6126
3
VDR
Ds
MBRA340T3G
RZ
2K
3.3V
0-2.0A
GND
VFB
GND
5
SHDN
高=的F
* R （ 10,000 ）是可选的。它有助于保持输出电容无负载情况下放电。
转07年2月23日
SP6126评价手册
版权所有2007 Sipex的公司
使用评估板
1 ）开机的SP6126EB电路
该SP6126评估板连接到外部+ 12V电源。与连接
短引线直接将“ VIN ”和“ GND ”的帖子。连接“ VOUT ”之间的负载
和“ GND ”的帖子，再次使用短引线，以减少电感和电压降。
2 ）测量输出负载特性
这是最好用的星GND岗位近到GND参考范围和数字仪表
输出电路板。 VOUT纹波最能看出感人的探头端部的垫
COUT和范围GND领触摸星GND后 - 避免范围的接地导线
这将增加噪声。
3 ）使用评估板与不同的输出电压
而SP6126评估板已经过测试并交付使用的输出设定
至3.30V ，仅仅通过改变一个电阻（R2） ，所述SP6126可以被设置为其它的输出
电压。在下述式的关系，根据从一个分压器
输出到反馈引脚FB ，其被设置为0.60V的内部参考电压。
表面标准1 ％的金属膜电阻器安装尺寸0603顷建议。
R
1
VOUT
VREF
1
其中R1 = 200k的
。因为VOUT = 0.60V的设置，只需从主板上取下R2。
R
2
=
请注意，由于SP6126评估板设计为12V进行了优化
转换到3.30V ，输出电压和/或输入电压的变化将改变
从电源部分数据给出的数据表现。
通过SHDN （ ON / OFF功能）
反馈引脚提供的ON / OFF控制的双重作用。 MOSFET驱动器被禁用
当小于1V的电压越大，在FB引脚应用。该引脚的最大额定电压
为5.5V 。的控制信号，应通过一个小信号二极管施加如图
第1页在空载条件下的可选规格为10Mohm出血电阻两端上
输出有助于保持输出电容放电。
电源数据
该SP6126EB设计了一个精确的2 ％的参考线路，负载和
温度。图1中的数据显示了一个典型的SP6126评估板效率图，
有效率92％ ，输出电流为2.5A 。图SP6126负载调节
图2示出输出电压2A负载没有变化从空载。图3和图4示出了
该SP6126的瞬态响应。图5和图6示出了控制启动无
负载和2A负载通电时，其中输入电流作为平稳上升
软启动斜坡上升。图7和图8示出了无负载和2A下的输出纹波
负载。
2
典型性能特性
SP6126效率与电流输出， VIN = 12V ，TA = 25℃
100
3.320
SP6126负载调节
Vin=12V
90
效率（％）
3.315
Vout的（V）的
Vout=3.3V
Vout=5V
Vout=2.5V
80
3.310
70
3.305
60
0.0
0.5
1.0
IOUT（ A）
1.5
2.0
2.5
3.300
0.0
0.5
1.0
IOUT（ A）
1.5
2.0
图1-步骤负载1-2A ， CH1 ：输入电压
CH2 ： Vout的， CH3 ：电流输出
图2-阶跃负载0.3-2A ， CH1 ：输入电压
CH2 ： Vout的， CH3 ：电流输出
图3-阶跃负载1-2A ， CH1 ：输入电压
CH2 ： Vout的， CH3 ：电流输出
图4-阶跃负载0.3-2A ， CH1 ：输入电压
CH2 ： Vout的， CH3 ：电流输出
图5启动画面空载， CH1 ：输入电压
CH2 ： Vout的， CH3 ：电流输出
图6启动2A ， CH1 ：输入电压
CH2 ： Vout的， CH3 ：电流输出
3
典型性能特性
图7-输出纹波以0A为11mV ，
CH1 ：输入电压， CH2 ： Vout的， CH3 ：电流输出
图8-2输出纹波2A是18mV ，
CH1 ：输入电压， CH2 ： Vout的， CH3 ：电流输出
4
环路补偿
该SP6126包括II型内部补偿元件的for循环
补偿。不需要与系统的外部补偿组件
钽电容或铝电解电容输出足够高的ESR 。使用
下面作为一个准则条件以确定内部补偿是否是
足以满足您的设计。
II型内部补偿是足够的，如果满足以下条件：
f
ESRzero
＆ LT ;
f
DBPOLE
其中：
f
ESRzero
=
1
2.
π
.
R
ESR
.
C
OUT
………………. (1)
……….. (2)
f
DBPOLE
=
1
2.
π
.
L
C
OUT
………… (3)
创建类型-III补偿网络
上述条件要求ESR零点是在一个较低的频率比双
极从LC滤波器。如果这个条件不满足， Ⅲ型补偿应
使用，并且可以通过将串联的RC组合与R1并联来实现
如下所示。锆石的值可以如下计算和选自RZ
表1中。
CZ
=
L
C
………….. (4)
R
1
f
ESRzero
/f
DBPOLE
1X
2X
3X
5X
> = 10X
RZ
50K
40K
30K
10K
2K
Table1-选择的RZ
5
通过解决
SP6126
TM
高电压，降压控制器在TSOT6
LX
特点
宽4.5V - 29V输入电压范围
内部补偿
内置高电流PMOS驱动器
可调式过电流保护
内部软启动
600kHz的固定频率工作
0.6V参考电压
1 ％的输出设定点精度
无铅，符合RoHS的封装：
小型6引脚TSOT
GND
FB
6
5
4
SP6126
6 PinTSOT
1
V
IN
2
门
3
VDR
描述
该SP6126是PWM控制步降（降压）电压模式稳压器V
IN
前馈和
内部II型补偿。它工作于4.5V至29V制定适用于5V ， 12V和24V
应用程序。通过使用一个PMOS驱动器，这个装置能够以100％的占空比操作。该
高侧驱动器设计用于驱动低于V门5V
IN
。可编程过流
保护基于高边MOSFET的导通电阻感应，并允许设置
过流保护值高达300mV的阈值（从V测
IN
-LX ） 。该SP6126是
在节省空间的6引脚TSOT封装，使其能够提供最小的控制器
从24VDC电源供电。
典型应用电路
VIN
Q1
Si2343DS
2
1
VIN
Rs=1k
LX
C7
0.1uF
6
L1 ， IHLP - 2525CZ
6.8UH ， 60mOhm ， 4.5A
门
C1
10uF
12V
GND
VOUT
SP6126
3
VDR
4
VFB
GND
5
Ds
MBRA340T3G
RZ
2K
R1
200k, 1%
CZ
62pF
R2
44.2k, 1%
C4
22uF
3.3V
0-2.0A
GND
D1 1N4148
SHDN
高=的F
3月29日至7日RevD
SP6126 ： TSOT - 6 PFET降压控制器
2007年的Sipex公司
1
绝对最大额定值
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些评级或高于其他任何
在规范的操作部显示
下面是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
对于延长的时间段的条件可能会影响
可靠性。
输入电压... .............................. ..- 0.3V至30V
... LX ......................................................... 。 -2V至30V
FB ............... ............................................ ......- 0.3V至5.5V
储存温度.. .................. ... ... -65
°C
150
°C
结温...................................- 40 ° C至125°C
引线温度（焊接， 10秒） ...... 。 ...... 。 ......... ..300
°C
ESD额定值......... 。 ... 。 ...千伏LX ， 2kV的所有其他节点， HBM
电气规格
规格为T
AMB
=T
J
= 25C ，以及那些表示为
适用于整个工作范围内， -40C<牛逼
j
<85 ℃。除非
特别说明： V
IN
= 4.5V至29V ，C
IN
= 4.7F.
参数
UVLO开启阈值
UVLO关断阈值
UVLO滞回
操作
输入
电压
范围
操作
输入
电压
范围
工作电流VCC
基准电压准确度
基准电压准确度
参考电压
参考电压
开关频率
峰对峰的斜坡调制器
最小导通时间期限
最小占空比
最大占空比
门
司机
打开-O FF
阻力
门
司机
下拉
阻力
门
司机
引体向上
阻力
V
IN
- VDR电压差
过流阈值
LX引脚输入电流
打嗝时断开间隔
软启动时间
SHDN阈值
SHDN阈值迟滞
民
4.2
4.0
典型值
4.35
4.2
0.2
最大
4.5
4.4
单位
V
V
V
条件
0 ° C<牛逼
j
<85°C
0 ° C<牛逼
j
<85°C
0 ° C<牛逼
j
<85°C
4.5
7
0.3
0.5
0.5
0.594
0.588
510
0.6
0.6
600
V
IN
/5
40
100
50
4
3
4.5
270
25
3
0.9
300
30
100
5
1.0
100
29
29
3
1
2
0.606
0.612
690
100
0
60
8
6
5.5
330
35
9
1.1
V
V
mA
%
%
V
V
千赫
V
ns
%
%
k
VFB=1.2V
GATE之间的内部电阻
V
IN
V
IN
=12V,
V
FB
=0.5V,
措施
GATE和VDR之间的电阻
V
IN
=12V,
V
FB
=0.7V,
措施
GATE和V之间的电阻
IN
V
mV
uA
ms
ms
V
mV
测量V
IN
- VDR ，V
IN
>7V
测量V
IN
- LX
V
LX
= V
IN
VFB = 0.58V之间，测量
V
IN
= 4.5V和第一栅极脉冲
施加电压到FB
3月29日至7日RevD
SP6126 ： TSOT - 6 PFET降压控制器
2007年的Sipex公司
2
引脚说明
针＃
1
2
3
针
名字
V
IN
门
VDR
描述
输入电源的控制器。将输入去耦电容尽量靠近
尽可能到该引脚。
连接到外部的P沟道MOSFET的栅极端子。
电源为内置的驱动程序。这个电压在内部调节到
约5V低于V
IN
。将VDR之间一个0.1uF的去耦电容
V
IN
尽可能靠近IC放置。
调节器反馈输入。连接一个电阻分压器网络设置
输出电压。该引脚也可以用作ON / OFF控制。如果该引脚为
上述1V拉P沟道驱动器被禁用，并且控制器复位内
软启动电路。
接地引脚。
该引脚用作内部电流限制比较器的电流限制输入。
通过一个可选的电阻连接到外部MOSFET的漏极引脚。
内部阈值被预先设定为300mV的名义，并且可以减少
改变基于以下公式的外部电阻：
V
trshld
= 300mV的 - 为30uA * R
框图
4
5
FB
GND
6
LX
5V
VIN
VDR
振荡器
VIN - 5V LDO
VIN
内部5V LDO
我= K X VIN
故障
VREF
PWM锁存器
复位优先
S
门
FB
+
+
-
-
R
误差放大器器
PWM比较器
VDR
故障
故障
ENBL
UVLO
故障
注册
S
4位计数器
-
LX
200ms的延迟
过电流
比较
VIN - 0.3V
+
-
R
R
设置主导
POR
1V
3月29日至7日RevD
SP6126 ： TSOT - 6 PFET降压控制器
3
+
30uA
GND
2007年的Sipex公司
总体概述
的SP6126是一个固定的频率，电压 -
模式，非同步PWM控制器
最小组件进行了优化，小尺寸
因素和成本效益。它一直
专为单电源工作范围
4.5V至29V 。 SP6126具有II型内部
赔偿金
为
利用
同
电解/钽输出电容器。为
陶瓷电容型III补偿可
通过简单地添加一个R和C实现
之间的输出和反馈。精密
0.6V基准，目前正端上
误差放大器，允许编程
输出电压下降到通过FB引脚0.6V 。
误差放大器的输出是内部
相比于前馈（Ⅴ
IN
/ 5峰 -
峰）斜坡，并产生PWM控制。
定时是由一个内部振荡器管辖该
设置PWM频率为600kHz的。
SP6126包含有用的保护功能。
过电流保护是基于高边
MOSFET的RDS（ON） ，并通过一个可编程
电阻器放置在LX节点。欠压
锁定（ UVLO）可以确保控制器
开始起作用，只有当足够的电压
存在电源IC的内部电路。
SP6126环路补偿
该SP6126包括II型内部
赔偿金
组件
为
环
补偿。
外
赔偿金
不需要用于与系统组件
钽电容或铝电解输出
电容器具有足够高的ESR 。使用
以下为指针，以确定病情
与否的内部补偿是
足以满足您的设计。
II型内部补偿是足够的，如果
满足以下条件：
创建类型-III补偿网络
上述条件要求的ESR零
是在较低的频率比双极
从LC滤波器。如果这一条件不能满足，
III型补偿应该使用，并且能够
通过放置一个串联的RC来完成
与R1并联组合，如图
下文。锆石的值可以计算为
如下，并从表1的RZ选择。
CZ
=
L
C
………….. (4)
R
1
f
ESRzero
÷
f
DBPOLE
1X
2X
3X
5X
> = 10X
RZ
50K
40K
30K
10K
2K
Table1-选择的RZ
SP6126
VOUT
CP1
2pF
RZ
CZ
CZ2
130pF
RZ2
200k
VFB
-
R1
200k, 1%
f
ESRzero
＆ LT ;
f
DBPOLE
………………. (1)
其中：
错误Amplif IER
f
ESRzero
=
1
2.
π
.
R
ESR
.
C
OUT
……….. (2)
图1- RZ和CZ与配合
内部补偿元件的形式
一类-III补偿
f
DBPOLE
=
1
2.
π
.
L
C
OUT
………… (3)
3月29日至7日RevD
SP6126 ： TSOT - 6 PFET降压控制器
4
+
VREF = 0.6V
R2
2007年的Sipex公司
总体概述
环路补偿例2- A转换器
利用SP6126具有6.8UH电感和
一个150uF ， 82米
铝电解
电容。确定是否III型
需要补偿。
从方程（2）F
ESRzero
= 13kHz到。从
方程（3 ）F
DBPOLE
= 5千赫。自从
（1 ）不能满足， Ⅲ型指定条件
补偿必须使用通过添加
外部元件RZ和CZ 。运用
方程（4）的CZ计算160pF （使用
150 pF的） 。自
f
ESRzero
÷
f
DBPOLE
is
约3 ， RZ已被设定为30,000 。
环路补偿实例1- A转换器
利用SP6126具有6.8UH电感和
一个22μF的/ 5米陶瓷电容。确定
是否需要III型补偿。
从方程（2）F
ESRzero
= 1.45MHz 。从
方程（3 ）F
DBPOLE
= 13千赫。自从
（1 ）不能满足， Ⅲ型指定条件
补偿必须使用通过添加
外部元件RZ和CZ 。运用
方程（4）的CZ计算61.2pF （使用62
pF的） 。以下在表1中给出的指导原则，
一个2K RZ应该被使用。
用于后面实施例1中的步骤
以补偿的典型应用电路
第1页令人满意的频率上显示
响应电路，见于图2中，
验证了上述过程。
典型应用电路如图2-满意的频率响应页面上显示
1.交叉频率fc为80kHz时为65度对应的相位裕度。
3月29日至7日RevD
SP6126 ： TSOT - 6 PFET降压控制器
2007年的Sipex公司
5
NOV
SP6126
高电压，降压控制器在TSOT6
LX
GND
FB
特点
宽4.5V - 29V输入电压范围
内部补偿
内置高电流PMOS驱动器
可调式过电流保护
内部软启动
600kHz的固定频率工作
0.6V参考电压
1 ％的输出设定点精度
无铅，符合RoHS的封装：
小型6引脚TSOT
6
5
4
SP6126
6 PinTSOT
1
V
IN
2
门
3
VDR
描述
该SP6126是PWM控制步降（降压）电压模式稳压器V
IN
前馈和
内部II型补偿。它工作于4.5V至29V制定适用于5V ， 12V和24V
应用程序。通过使用一个PMOS驱动器，这个装置能够以100％的占空比操作。该
高侧驱动器设计用于驱动低于V门5V
IN
。可编程过流
保护基于高边MOSFET的导通电阻感应，并允许设置
过流保护值高达300mV的阈值（从V测
IN
-LX ） 。该SP6126是
在节省空间的6引脚TSOT封装，使其能够提供最小的控制器
从24VDC电源供电。
典型应用电路
VIN
Q1
Si2343DS
2
1
VIN
Rs=1k
LX
C7
0.1uF
6
C4
22uF
R1
200k, 1%
4
VFB
GND
5
D1 1N4148
SHDN
高=的F
2008 Exar公司
C1
10uF
12V
GND
门
L1 ， IHLP - 2525CZ
6.8UH ， 60mOhm ， 4.5A
VOUT
3.3V
0-2.0A
SP6126
3
VDR
Ds
MBRA340T3G
RZ
2K
CZ
62pF
R2
44.2k, 1%
GND
Nov07-08
REVG
SP6126 ： TSOT - 6 PFET降压控制器
1
绝对最大额定值
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些评级或高于其他任何
在规范的操作部显示
下面是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
对于延长的时间段的条件可能会影响
可靠性。
输入电压... .............................. ..- 0.3V至30V
... LX ......................................................... 。 -2V至30V
FB ............... ............................................ ......- 0.3V至5.5V
储存温度.. .................. ... ... -65
°C
150
°C
结温...................................- 40 ° C至125°C
引线温度（焊接， 10秒） ...... 。 ...... 。 ......... ..300
°C
ESD额定值......... 。 ... 。 ...千伏LX ， 2kV的所有其他节点， HBM
电气规格
规格为T
AMB
=T
J
= 25C ，以及那些表示为
适用于整个工作范围内， -40C<牛逼
j
<125 ℃。除非
特别说明： V
IN
= 4.5V至29V ，C
IN
= 4.7F.
参数
UVLO开启阈值
UVLO关断阈值
UVLO滞回
操作
输入
电压
范围
操作
输入
电压
范围
工作电流VCC
基准电压准确度
基准电压准确度
参考电压
参考电压
开关频率
峰对峰的斜坡调制器
最小导通时间期限
最小占空比
最大占空比
门
司机
打开-O FF
阻力
门
司机
下拉
阻力
门
司机
引体向上
阻力
V
IN
- VDR电压差
过流阈值
LX引脚输入电流
打嗝时断开间隔
软启动时间
SHDN阈值
SHDN阈值迟滞
民
4.2
4.0
典型值
4.35
4.2
0.2
最大
4.5
4.4
单位
V
V
V
条件
0 ° C<牛逼
j
<125°C
0 ° C<牛逼
j
<125°C
0 ° C<牛逼
j
<125°C
4.5
7
0.3
0.5
0.5
0.6
0.588
510
0.6
600
V
IN
/5
40
100
50
4
3
4.5
270
25
3
0.9
300
30
100
5
1.0
100
29
29
3
2
0.612
690
100
0
60
8
6
5.5
330
35
9
1.1
V
V
mA
%
%
V
V
千赫
V
ns
%
%
k
VFB=1.2V
GATE之间的内部电阻
V
IN
V
IN
=12V,
V
FB
=0.5V,
措施
GATE和VDR之间的电阻
V
IN
=12V,
V
FB
=0.7V,
措施
GATE和V之间的电阻
IN
V
mV
uA
ms
ms
V
mV
测量V
IN
- VDR ，V
IN
>7V
测量V
IN
- LX
V
LX
= V
IN
VFB = 0.58V之间，测量
V
IN
= 4.5V和第一栅极脉冲
施加电压到FB
Nov07-08
REVG
SP6126 ： TSOT - 6 PFET降压控制器
2008 Exar公司
2
引脚说明
针＃
1
2
3
针
名字
V
IN
门
VDR
描述
输入电源的控制器。将输入去耦电容尽量靠近
尽可能到该引脚。
连接到外部的P沟道MOSFET的栅极端子。
电源为内置的驱动程序。这个电压在内部调节到
约5V低于V
IN
。将VDR之间一个0.1uF的去耦电容
V
IN
尽可能靠近IC放置。
调节器反馈输入。连接一个电阻分压器网络设置
输出电压。该引脚也可以用作ON / OFF控制。如果该引脚为
上述1V拉P沟道驱动器被禁用，并且控制器复位内
软启动电路。
接地引脚。
该引脚用作内部电流限制比较器的电流限制输入。
通过一个可选的电阻连接到外部MOSFET的漏极引脚。
内部阈值被预先设定为300mV的名义，并且可以减少
改变基于以下公式的外部电阻：
V
trshld
= 300mV的 - 为30uA * R
框图
4
5
FB
GND
6
LX
5V
VIN
VDR
振荡器
VIN - 5V LDO
VIN
内部5V LDO
我= K X VIN
故障
VREF
PWM锁存器
复位优先
S
门
FB
+
+
-
-
R
误差放大器器
PWM比较器
VDR
故障
故障
ENBL
UVLO
故障
注册
S
4位计数器
-
LX
200ms的延迟
过电流
比较
VIN - 0.3V
+
-
R
R
设置主导
POR
1V
Nov07-08
REVG
SP6126 ： TSOT - 6 PFET降压控制器
3
+
30uA
GND
2008 Exar公司
总体概述
的SP6126是一个固定的频率，电压 -
模式，非同步PWM控制器
最小组件进行了优化，小尺寸
因素和成本效益。它一直
专为单电源工作范围
4.5V至29V 。 SP6126具有II型内部
赔偿金
为
利用
同
电解/钽输出电容器。为
陶瓷电容型III补偿可
通过简单地添加一个R和C实现
之间的输出和反馈。精密
0.6V基准，目前正端上
误差放大器，允许编程
输出电压下降到通过FB引脚0.6V 。
误差放大器的输出是内部
相比于前馈（Ⅴ
IN
/ 5峰 -
峰）斜坡，并产生PWM控制。
定时是由一个内部振荡器管辖该
设置PWM频率为600kHz的。
SP6126包含有用的保护功能。
过电流保护是基于高边
MOSFET的RDS（ON） ，并通过一个可编程
电阻器放置在LX节点。欠压
锁定（ UVLO）可以确保控制器
开始起作用，只有当足够的电压
存在电源IC的内部电路。
SP6126环路补偿
该SP6126包括II型内部
赔偿金
组件
为
环
补偿。
外
赔偿金
不需要用于与系统组件
钽电容或铝电解输出
电容器具有足够高的ESR 。使用
以下为指针，以确定病情
与否的内部补偿是
足以满足您的设计。
创建类型-III补偿网络
上述条件要求的ESR零
是在较低的频率比双极
从LC滤波器。如果这一条件不能满足，
III型补偿应该使用，并且能够
通过放置一个串联的RC来完成
与R1并联组合，如图
下文。锆石的值可以计算为
如下，并从表1的RZ选择。
CZ
=
L
C
………….. (4)
R
1
f
ESRzero
÷
f
DBPOLE
1X
2X
3X
5X
> = 10X
RZ
50K
40K
30K
10K
2K
Table1-选择的RZ
SP6126
VOUT
CP1
2pF
RZ
II型内部补偿是足够的，如果
满足以下条件：
CZ
CZ2
130pF
RZ2
200k
VFB
-
R1
200k, 1%
f
ESRzero
＆ LT ;
f
DBPOLE
………………. (1)
其中：
错误Amplif IER
f
ESRzero
=
f
DBPOLE
=
1
2.
π
.
R
ESR
.
C
OUT
……….. (2)
图1- RZ和CZ与配合
内部补偿元件的形式
一类-III补偿
1
2.
π
.
L
C
OUT
………… (3)
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SP6126 ： TSOT - 6 PFET降压控制器
4
+
VREF = 0.6V
R2
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总体概述
环路补偿实例1- A转换器
利用SP6126具有6.8UH电感和
一个22μF的/ 5米陶瓷电容。确定
是否需要III型补偿。
从方程（2）F
ESRzero
= 1.45MHz 。从
方程（3 ）F
DBPOLE
= 13千赫。自从
（1 ）不能满足， Ⅲ型指定条件
补偿必须使用通过添加
外部元件RZ和CZ 。运用
方程（4）的CZ计算61.2pF （使用62
pF的） 。以下在表1中给出的指导原则，
一个2K RZ应该被使用。
用于后面实施例1中的步骤
以补偿的典型应用电路
第1页令人满意的频率上显示
响应电路，见于图2中，
验证了上述过程。
环路补偿例2- A转换器
利用SP6126具有6.8UH电感和
一个150uF ， 82米
铝电解
电容。确定是否III型
需要补偿。
从方程（2）F
ESRzero
= 13kHz到。从
方程（3 ）F
DBPOLE
= 5千赫。自从
（1 ）不能满足， Ⅲ型指定条件
补偿必须使用通过添加
外部元件RZ和CZ 。运用
方程（4）的CZ计算160pF （使用
150 pF的） 。自
f
ESRzero
÷
f
DBPOLE
is
约3 ， RZ已被设定为30,000 。
典型应用电路如图2-满意的频率响应页面上显示
1.交叉频率fc为80kHz时为65度对应的相位裕度。
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SP6126 ： TSOT - 6 PFET降压控制器
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