SP600
半导体
1998年7月
罗恩
WITHD LETE
部分
BSO
CESS带符号
亲
DE
没有新的
文件编号2428.4
特点
半桥驱动器500VDC
该SP600是一款智能电源高压集成电路
（ HVIC ）优化驱动的半桥MOS门控功率器件
桥拓扑。它提供了必要的控制和
管理PWM马达驱动，电源， UPS
应用程序。
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500V
能够接口和驱动器标准和电流
传感N沟道功率MOSFET / IGBT器件
创建一个浮动电源管理
对于上轨驱动器
同时导通锁定
过流保护
单低电流偏置电源供电
锁存免疫CMOS逻辑
山顶道在0.5A过剩
订购信息
部分
SP600
温度
-40
o
C至+ 85
o
C
包
22引脚塑料DIP
引脚
SP600 （ PDIP ）
顶视图
故障1
TOP 22
21 BOT
20 NC
19 D1U
18 G1U
17 G2U
16 CL2
15
旅
U
14相
13 VOUT
12 VBS
功能框图
V
BS
12
D1U
V
BIAS
10 R
ND
3
V
DD
4
V
DF
11
3.5 R
BS
UV
LOCK
OUT
+
-
I
ONT
水平
移
I
OFFT
S
R
Q
19
G1U
18
G2U
17
旅
U
15
CL2
16
上
低
I
TRIPSEL
2
V
BIAS
3
VDD 4
VSS 5
TRIPL 6
CL1 7
G2L 8
G1L 9
D1L 10
VDF 11
顶部
22
I
TRIPSEL
S
R
相
Q
14
3.5 R
O
13
V
OUT
D1L
10
I
ONB
BOT
21
CMOS
定时
和
控制
I
OFFB
V
OUT
SENSE
和
滤波器
故障
Q
S
R
I
TRIPSEL
S
R
I
TRIPSEL
2
V
SS
5
Q
S
R
G1L
Q
9
G2L
8
UV
LOCK
OUT
+
-
故障
1
750 R
F
旅
L
6
CL1
7
滤波器
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
版权所有 1998年哈里斯公司
SP600
绝对最大额定值
整个温度范围内，所有
电压参考V
SS
除非另有说明。注1 ，注2 。
热信息
热阻
θ
JA
塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
o
C / W
在T最大封装功耗
A
= +85
o
C，P
O
塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500mW的
工作环境温度范围内，T
A
. . . . . . .-25
o
C至+ 85
o
C
存储温度范围，T
S
. . . . . . . . . . . . . . .-40
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
低电压供电，V
BIAS
（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18V
DC
浮动的低电压启动捆绑。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18V
DC
供电相，V
BS
低电压信号引脚
错，我
TRIPSEL
, V
DD
， TRIP
L
， CL1 ， G2L 。 。 。 -0.5V
DC
到V
DD
+0.5
G1L ， D1L ，V
DF
， TOP ， BOT
CL2 ， TRIP
U
， G1U ， G2U ， D1U为相。 。 。 。 -0.5
VDC
到V
BS
+0.5
高电压引脚
相，V
相
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
DC
(V
BS
, V
OUT
， TRIP
U
， CL2 ， G2U和D1U ： 0V - 18V高于
相）
动态高电压等级相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10,000V / μs的
DV
PHASE / DT
注意事项：
1.必须小心， V中的应用
BIAS
不征收高额的峰值功耗的要求上相对较小的金属噪音降压电阻（R
ND
).
长时间的高峰值电流，可能会导致如果+ 15V
DC
突然施加和/或如果本地旁路电容器C
DD
是大的。它提示c
DD
be
≤
10MFD.
如果希望切换15V
DC
源，或者如果一个C
DD
较大时，额外的串联阻抗可能需要。
2.额外的封装产品向厂家咨询。
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
(V
BIAS
= 15V ，脉冲<300ms ） ，除非另有说明，所有参数参考
V
SS
除了TRIP
U
，CL2， G1U ， D1U和V
BS
参考相位。
F
: V
DF
到V
BS
,
C
F
: V
BS
以相
符号
温度
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
I
BS
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
V
TRIP L / ü
B
参数
DC特性
输入电流（ 5V < V
顶部
, V
BOT
, V
TRIPSEL
< 15V ）
民
典型值
最大
单位
I
IN
-
-
-
-
-
-
-
-
7
6.95
7
6.9
7
6.95
90
90
110
109
9
9.7
5
4.7
20
30
1.7
1.7
1.7
1.7
875
900
8
8
8
8
8
8
105
105
130
130
10
10.5
7
7
30
33
2.05
2.1
2.05
2.1
1000
1060
9
9.1
9
9.1
9
9.1
125
127
150
152
11.5
11.8
9
9.6
A
A
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
V
V
mV
mV
%
%
V
V
V
V
I
BIAS
静态电流（所有输入低）
I
BIAS
L
I
BIAS
静态电流
(V
OUT
≥
V
BIAS
和所有输入低）
I
BS
静态电流自举电源
I
BIAS
H
TOP门限电平
V
顶部
BOTTOM门限电平
V
BOT
目前TRIPSELECT门限电平
V
TRIPSEL
旅途上（下）比较器的阈值
级 - 正常（我
TRIPSEL
= V
SS
)
旅途上（下）比较器的阈值
级别 - 升压（我
TRIPSEL
= V
DD
实测） ％
V
TRIP L / ü
N
V
TRIP L / ü
N
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
欠压锁定阈值（V
DD
和V
BS
)
V
LOCK
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
淘汰状态电压阈值（相位）
V
OSVT
2
SP600
电气连接特定的阳离子
(V
BIAS
= 15V ，脉冲<300ms ） ，除非另有说明，所有参数参考
V
SS
除了TRIP
U
，CL2， G1U ， D1U和V
BS
参考相位。
F
: V
DF
到V
BS
,
C
F
: V
BS
以相
（续）
符号
RF
温度
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
上/下的源阻抗（我
来源
= 10毫安）
R
SO L / ü
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
上/下水槽阻抗（我
SINK
= 10毫安）
R
SI L / ü
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
自举电源电流限流阻抗
R
BS
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
噪声降压电阻阻抗
R
ND
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
高电压泄漏（ 500V V
BS
, V
OUT
，相位，
旅
U
， CL2 ， G1U ， G2U和D1U到V
SS
。所有其他
在V引脚
SS
)
米勒钳位二极管; D1U和D1L （我
D
= 10毫安）
噪音夹紧齐纳二极管; CL2和CL1 （我
Z
= 10毫安）
I
LK
+25
o
C
民
500
450
12
7
8
5
2
1.4
6
5.4
-
典型值
760
760
17
17
12
12
3.5
3.5
10
10
1
最大
1000
1100
23
29
16
20
5
5.6
14
14.6
3
单位
A
参数
Faultbar阻抗在我
FBAR
= 1毫安
V
D1U/L
V
CL2/1-LOW
+25
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
0.40
6.35
6.15
7.0
2
1.4
0.90
6.61
6.61
8.5
3.5
3.5
1.40
6.85
7.15
8.0
5
5.6
V
V
V
V
噪音夹紧齐纳二极管; CL2和CL1 （我
Z
= 50毫安）
V
OUT
限流电阻
V
CL2/1-
高
R
O
注：最大稳定状态
÷
15V
DC
电源电流= I
BIAS
L
÷
I
BS
交换特定网络阳离子
参数
刷新单次定时器
（所有引用到V
SS
，除了： TRIP
U
，氯气， G1U ， G2U和D1U参考相位。
D
F
: V
DF
到V
BS
, C
F
: V
BS
到PHASE）
符号
t
REF
温度
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
t
FN
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
t
OSVF
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
t
MINIW
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
t
ON
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
民
200
180
2
1.85
2
1.85
500
400
300
275
1.6
1.5
1.3
1.05
2.5
2.1
典型值
350
350
3
3
3
3
700
700
430
430
2.3
2.4
2.0
2.1
3.2
3.3
最大
500
540
4
4.35
4
4.35
900
1050
600
660
3.1
3.4
3.4
3.9
4.5
5.2
单位
s
s
s
s
s
s
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
s
s
之旅我延迟时间/ U电压（I
TRIPSEL
低）到
G2U / G2L低（ 50 ％过载）
之旅I电压延迟时间（我
TRIPSEL
低）到
Faultbar低
相位延迟超时状态来Faultbar
低（高顶）
最小的逻辑输入脉冲宽度： TOP和
底部
最低G1U / G1L开启时间
t
关闭
TN
最小脉冲关断时间， G2U / G2L
t
关闭
打开G1U的延迟时间（ BISTATE MODE ）
t
ON
D
3
SP600
交换特定网络阳离子
参数
打开G1L的延迟时间（ BISTATE MODE ）
（所有引用到V
SS
，除了： TRIP
U
，氯气， G1U ， G2U和D1U参考相位。
D
F
: V
DF
到V
BS
, C
F
: V
BS
到PHASE）
（续）
符号
t
ON
D
温度
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
+25
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
民
2.5
2.1
0.75
0.60
0.75
0.60
0.75
0.60
1.5
1.2
3.4
3.15
25
15
25
15
典型值
3.2
3.3
1.0
1.1
1.0
1.1
1.0
1.1
2.5
2.6
4.5
4.8
50
50
50
50
最大
4.5
5.2
1.5
1.75
1.5
1.75
1.45
1.75
3.5
4
6.6
7.4
100
115
100
115
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
ns
ns
ns
ns
打开G1U的延迟时间
（三态模式）
打开G1L的延迟时间
（三态模式）
延时关闭G2U和G2L的时间
t
ON
D
t
ON
D
t
关闭
D
最小死区时间： G1U关闭以G1L ，或者G1L
关闭以G1U上（ BISTATE MODE ）
故障复位延迟到多云Faultbar
t
D.T.
t
R.T.
上升的上，下驱动程序的时间
（负载= 2000pF ）
秋季上下驱动的时间
（负载= 2000pF ）
t
U / L
t
F U / L
推荐工作条件和功能引脚说明
参数
FAULTBAR
I
TRIPSELECT
V
BIAS
V
DD
V
SS
TRIP我
CL1
G2L和G1L
V
DF
V
BS
V
OUT
相
旅
U
CL2
G2U和G1U
顶部
BOT
D1U
D1L
漏极开路故障指示输出
条件
（所有电压参考V
SS
除非
另有说明。参见图1 ）
数字输入命令来增加TRIP
L
和TRIP
U
阈值的30％
14.5V至16.5V与15V标称，
1.5毫安直流偏置电流
C
DD
到V
SS
常见
100mV的信号，切断较低的驱动和触发故障输出
低噪声齐纳钳位
低阻抗驱动器设计用于驱动功率MOS晶体管（ LOWER ）
限流充电电阻的自举电容供电
自举电源，通常一个二极管压降低于V
DD
电压相对于所述浮动相位参考
负载连接点
浮动基准点的高侧控制电路： V
BS
， TRIP
U
，CL2， G1U ， G2U和D1U
100mV的信号，参考相位，切断上驱动
上噪声齐纳钳位
低阻抗驱动器设计用于驱动功率MOS晶体管（上部）
数字输入到命令上开
数字输入指挥走低
米勒钳位UPPER到V
BS
米勒钳位降至V
DD
4
SP600
时序图
顶部
1
0
BOT
1
0
1
0
1
0
1
VALID BOT
ON
I
关闭
T
I
ON
T
I
关闭
B
上
低
V
OUT
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
V
DC
COM
低
上
0
1
0
V
DC
COM
I
ON
T
I
关闭
B
VALID BOT
ON
I
关闭
T
BOT
顶部
1
0
1
0
刷新
单次
I
ON
B
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
刷新
单次
I
ON
B
V
OUT
三态模式慢于REFRESH ONE SHOT定时器
注： BOT切换无关。
BISTATE模式慢于REFRESH ONE SHOT定时器
典型电路CON组fi guration
真值表
适用于典型电路CON组fi guration （图1 ）
输入
顶部
0
1
1
1
X
0
1
X
BOT
0
1
1
1
X
1
0
X
旅
L
0
0
0
0
1
0
0
X
旅
U
X
0
1
X
X
X
X
X
相
X
1
1
0
X
X
X
X
V
BIAS
1
1
1
1
1
1
1
0
上
0
1
0
0
0
0
0
0
输出
低
0
0
0
0
0
1
0
0
故障BAR
1
1
0
0
0
1
1
0
注： 0 =假， 1 =真， X =无所谓
5
ADATA总理临SP600固态硬盘
特点
> MTBF ：
百万小时
>搭配128MB的DRAM高速缓存
> TRIM支持（需要兼容的操作系统）
> NCQ支持
>自我监测，分析和报告技术
（ S.M.A.R.T. ）支持
采用SATA II兼容>向后
> 3.5 “台式机转换支架
>的Acronis True HD影像，磁盘迁移工具
>操作系统兼容性：
的Windows 8/7 / Windows的XP / Windows Vista中/ Mac的OS X / Linux的
特定网络阳离子
产品型号
容量
外形
NAND闪存
调节器
尺寸
重量
接口
性能（最大）
SP600
32GB/64GB/128GB
2.5英寸
多级单元（MLC） NAND闪存
JMicron的JMF661
100× 69.85 X 9.5毫米（长x宽x高）
76g
SATA 6Gb /秒
AS SSD ：
连续读： 360 MB /秒
连续写： 130 MB /秒
IO表：
IOPS ： 40K （最大4KB随机读）
IOPS ： 30K （最大4KB随机写入）
耗电量
工作温度
储存温度
耐冲击性
MTBF
ECC恢复
工作湿度
存储湿度
最大工作高度
认证
保
空闲0.7W / 1.5W活动
0 °C - 70 °C
-40 °C - 85 °C
1500G
百万小时
高达40位每1K字节的扇区可纠正（ BCH ）
*视具体配置而异
10％到90％RH （0°至40℃ ）
5％至90％RH（ -10°到40℃ ）
12000m
CE / FCC / VCCI / BSMI
3年
www.adata-group.com
ADATA总理临SP600固态硬盘
性能
容量
32GB
64GB
128GB
顺序读取
AS SSD
（ MB /秒）
高达250
高达360
高达360
连续写
AS SSD
（ MB /秒）
最多47个
高达75
高达130
4K随机
阅读AS SSD
（ MB /秒）
105
150
160
4K随机
写AS SSD
（ MB /秒）
40
65
105
*测试系统：技嘉GA- Z68AP -D3 ，英特尔酷睿i3 2100K ， 4GB DDR3内存， Windows 7专业版
包装信息
TYPE
SP600
重量
152g
尺寸
130 X 138 x 25mm的
个/箱
40
材积
1.4
外箱毛重
7.5
纸箱尺寸
346 X 355毫米x 300毫米
订购信息
产品：总理临SP600
容量
32GB
64GB
128GB
EAN码
4713435795880
4713435795897
4713435795903
威刚型号
ASP600S3-32GM-C
ASP600S3-64GM-C
ASP600S3-128GM-C
尺寸图
9.5
14
61.71
3
14
69.85
0.25
90.6
90.6
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