【polyfet射频器件SP202概述硅VDMOS和LDMOS晶体管专宽带RF应用。适合Militry】,IC型号SP202,SP202 PDF资料,SP202经销商,ic,电子元器件-51电子网

polyfet射频器件

SP202

概述

硅VDMOS和LDMOS

晶体管专

宽带RF应用。

适合Militry收音机，

移动和寻呼放大器基地

站，广播FM / AM ， MRI ，

激光驱动器等。

"Polyfet"工艺特点

较低的反馈和输出电容

导致高F音

晶体管高

输入阻抗和高效率。

硅栅增强型

射频功率VDMOS晶体管

8.0瓦单端

包装样式AP

高效率，线性

高增益，低噪声

绝对最大额定值（T = 25℃ ）

总

设备

耗散

30瓦

结到

热病例

阻力

7.00 C / W

最大

连接点

温度

200 C

存储

温度

-65 ℃150℃

直流漏

当前

漏

门

电压

70 V

漏

来源

电压

70 V

大门

来源

电压

20 V

1.8 A

射频特性（

符号

全球定位系统

参数

共源功率增益

漏EF网络效率

负载不匹配公差

民

典型值

8.0瓦的输出）

最大

单位

20:1

测试条件

IDQ = 0.40 ， VDS =

28.0

V，F =

1,000

兆赫

IDQ = 0.40 ， VDS =

28.0

V，F =

1,000

兆赫

VSWR

相对IDQ = 0.40 ， VDS =

28.0

V，F =

1,000

兆赫

电气特性（每边）

符号

BVDSS

IDSS

IGSS

VGS

RDSON

Idsat

西塞

CRSS

科斯

参数

漏极耐压

零偏置漏电流

栅极漏电流

栅极偏置的漏电流

正向跨导

饱和电阻

饱和电流

共源输入电容

共源反馈电容

共源输出电容

0.6

2.00

2.80

20.0

1.2

12.0

民

0.4

典型值

最大

单位

姆欧

欧姆

AMP

测试条件

IDS = 20.00毫安， VGS = 0V

VDS = 28.0 V， VGS = 0V

VDS = 0V VGS = 30V

IDS = 0.04 A， VGS = Vds的

VDS = 10V ， VGS = 5V

VGS = 20V ， IDS = 1.00

VGS = 20V ， VDS = 10V

VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫

polyfet射频器件

修订2001年3月28日

1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话：（ 805 ） 484-4210传真：（ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com

SP202

POUT VS PIN GRAPH

SP202 POUT VS PIN频率= 1000MHz的， VDS = 28V ， IDQ = .4A

100

电容VS电压

S2A 2 DICE电容

西塞

13.00

12.00

噘

11.00

10.00

科斯

1dB压缩= 8瓦特

9.00

8.00

7.00

6.00

5.00

0.1

效率= 45％

收益

0.5

1.5

2.5

PIN （瓦）

3.5

CRSS

以伏VDS

IV曲线

S2A 2 DIE四

ID & GM VS VGS

10.00

S2A 2 DIE ID & GM VS VG

2.5

ID为安培

ID安培;通用汽车在姆欧

1.5

1.00

0.5

vg=2v

Vg=4v

VDS

Vg=6v

INVOLTS

vg=8v

vg=12v

0.10

VGS的电压

寻ZOUT

IN吋包装尺寸

公差.XX +/- 0.01

.XXX +/- 。 005英寸

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修订2001年3月28日

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