【IPB100N08S2L-07IPP100N08S2L-07的OptiMOS功率晶体管特点 N沟道逻】,IC型号SP0002-19052,SP0002-19052 PDF资料,SP0002-19052经销商,ic,电子元器件-51电子网

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IPB100N08S2L-07

IPP100N08S2L-07

的OptiMOS

功率晶体管

特点

N沟道逻辑电平 - 增强型

汽车AEC Q101标准

MSL1高达260 ℃的峰值回流焊

175 ° C工作温度

绿色包装（无铅）

极低的RDS（ON）

100 ％雪崩测试

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

（ SMD版）

I

D

75

6.5

100

V

m

A

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

TYPE

IPB100N08S2L-07

IPP100N08S2L-07

包

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

订购代码

SP0002-19053

SP0002-19052

记号

PN08L07

PN08L07

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

1)

符号

I

D

条件

T

C

=25 °C,

V

GS

=10 V

T

C

=100 °C,

V

GS

=10 V

2)

漏电流脉冲

2)

雪崩能量，单脉冲

2)

门源电压

4)

功耗

工作和存储温度

I

D，脉冲

E

AS

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

I

D

=80A

价值

100

98

400

810

±20

300

-55 ... +175

mJ

V

W

°C

单位

A

1.0版

第1页

2006-03-03

IPB100N08S2L-07

IPP100N08S2L-07

参数

符号

条件

分钟。

热特性

2)

热阻，结 - 案

热阻，结 -

环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件

R

thJC

R

thJA

R

thJA

最小的足迹

6厘米

2

散热面积

5)

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

V

DS

=V

GS

,

I

D

=250 A

V

DS

=75 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=75 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=125 °C

2)

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=4.5 V,

I

D

=80 A,

SMD版

V

GS

=4.5 V,

I

D

=80 A,

SMD版

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

V

GS

=10 V,

I

D

=80 A,

V

GS

=10 V,

I

D

=80 A,

SMD版

75

1.2

-

1.6

-

2.0

V

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

62

62

40

K / W

值

典型值。

马克斯。

单位

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

0.01

1

A

-

-

-

1

1

6.5

100

100

8.7

nA

m

-

-

-

6.2

5.0

4.7

8.4

6.8

6.5

m

1.0版

第2页

2006-03-03

IPB100N08S2L-07

IPP100N08S2L-07

参数

符号

条件

分钟。

动态特性

2)

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

2)

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

二极管连续正向电流

2)

二极管脉冲电流

2)

二极管的正向电压

I

S

I

S，脉冲

V

SD

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=80 A,

T

j

=25 °C

V

R

=40 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

V

R

=40 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

-

-

-

-

-

0.9

100

400

1.3

V

A

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

高原

V

DD

=60 V,

I

D

=100 A,

V

GS

= 0到10伏

-

-

-

-

18

70

182

3.5

25

124

246

-

V

nC

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=40 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=100 A,

R

G

=1.1

V

GS

=0 V,

V

DS

=25 V,

f

= 1兆赫

-

-

-

-

-

-

-

5400

1300

590

19

56

85

22

-

-

-

-

-

-

-

ns

pF

值

典型值。

马克斯。

单位

反向恢复时间

2)

t

rr

-

95

120

ns

反向恢复电荷

2)

1)

Q

rr

-

240

300

nC

电流是由键合线的限制;有

R

thJC

= 0.5K / W ，芯片能够承载138A在25℃ 。有关详细

信息，请参阅应用笔记ANPS071E在

www.infineon.com/optimos

2)

3)

由设计确定。不受生产测试。

见图13

有资格在-20V到+ 20V 。

4)

5)

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米

2

（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

1.0版

第3页

2006-03-03

IPB100N08S2L-07

IPP100N08S2L-07

1功耗

P

合计

= F （T

C

);

V

GS

≥

4 V

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

≥

10 V

350

120

300

100

250

80

P

合计

[W]

200

I

D

[A]

150

40

100

50

0

0

50

100

150

200

60

20

0

0

50

100

T

C

[°C]

150

200

T

C

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

= 25 °C;

D

= 0

参数：

t

p

1000

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

0

1 s

10 s

0.5

100

1毫秒

100 s

10

-1

Z

thJC

〔 K / W〕

0.1

I

D

[A]

0.05

10

10

-2

0.01

1

0.1

1

10

100

10

-3

10

-7

单脉冲

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

V

DS

[V]

t

p

[s]

1.0版

第4页

2006-03-03

IPB100N08S2L-07

IPP100N08S2L-07

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

= 25 °C

参数：

V

GS

300

10 V

6典型。漏源导通电阻

R

DS （ ON）

= (I

D

);

T

j

= 25 °C

参数：

V

GS

20

18

16

3.5 V

250

200

14

3V

150

R

DS （ ON）

[m]

4V

12

10

8

6

4

4V

4.5 V

I

D

[A]

100

3.5 V

10 V

50

3V

2

0

6

8

10

0

20

40

60

80

100

120

0

0

2

4

2.5 V

V

DS

[V]

I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

);

V

DS

= 6V

参数：

T

j

200

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

1

2

3

4

175 °C

25 °C

-55 °C

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

= 25°C

参数：

g

fs

250

200

150

g

fs

[S]

100

50

0

0

50

100

150

200

I

D

[A]

V

GS

[V]

I

D

[A]

1.0版

第5页

2006-03-03

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