【IPI60R199CP的CoolMOSTM功率晶体管特点最低的数字品质因数的ONxQg超低栅极电荷至】,IC型号SP000103248,SP000103248 PDF资料,SP000103248经销商,ic,电子元器件-51电子网

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IPI60R199CP

的CoolMOS

TM

功率晶体管

特点

最低的数字品质因数的

ON

xQ

g

超低栅极电荷

至尊的dv / dt评分

高峰值电流能力

根据JEDEC合格

1)

为目标的应用

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

产品概述

V

DS

@ T

， MAX

R

DS （ ON），最大

Q

克，典型值

650

V

0.199

33

nC

PG-TO262

的CoolMOS CP是专门设计用于：

硬开关拓扑结构，用于服务器和电信

TYPE

IPI60R199CP

包

PG-TO262

订购代码

SP000103248

记号

6R199P

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

2)

雪崩能量，单脉冲

雪崩能量，重复

t

AR2),3)

雪崩电流，重复性

t

AR2),3)

MOSFET的dv / dt坚固

门源电压

I

D，脉冲

E

AS

E

AR

I

AR

的dV / dt

V

GS

V

DS

=0...480 V

STATIC

AC （F >1赫兹）

功耗

工作和存储温度

安装力矩

修订版2.0

P

合计

T

j

,

T

英镑

M3和M3.5螺丝

第1页

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

I

D

=6.6 A,

V

DD

=50 V

I

D

=6.6 A,

V

DD

=50 V

价值

16

10

51

436

0.66

6.6

50

±20

±30

139

-55 ... 150

60

W

°C

NCM

2006-06-19

A

V / ns的

V

mJ

单位

A

IPI60R199CP

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续二极管的正向电流

二极管脉冲电流

2)

反向二极管的dv / dt

4)

符号条件

I

S

I

S，脉冲

的dV / dt

T

C

=25 °C

价值

9.9

51

15

V / ns的

单位

A

参数

符号条件

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

热特性

热阻，结 - 案

热阻，结 -

环境

焊接温度，

波峰焊只允许在引线

R

thJC

R

thJA

含铅

1.6毫米（ 0.063英寸）

从案例10秒

-

-

-

-

0.9

62

K / W

T

出售

-

-

260

°C

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

=250 A

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

= 1.1毫安

V

DS

=600 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=600 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=10 V,

I

D

=9.9 A,

T

j

=25 °C

V

GS

=10 V,

I

D

=9.9 A,

T

j

=150 °C

栅极电阻

R

G

f

= 1 MHz时，漏极开路

600

2.5

-

-

3

-

-

3.5

1

A

V

-

-

-

-

-

10

-

0.18

0.49

2

-

100

0.199

-

-

nA

修订版2.0

第2页

2006-06-19

IPI60R199CP

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

有效输出电容，能量

相关

5)

有效的输出电容，时间

相关

6)

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

V

R

=400 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

V

GS

=0 V,

I

F

=9.9 A,

T

j

=25 °C

-

-

-

-

0.9

340

5.5

33

1.2

-

-

-

V

ns

C

A

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

高原

V

DD

=400 V,

I

D

=9.9 A,

V

GS

= 0到10伏

-

-

-

-

8

11

32

5.0

-

-

43

-

V

nC

C

国际空间站

C

OSS

C

O（ ER ）

C

O（ TR ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=400 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=9.9 A,

R

G

=3.3

V

GS

=0 V,

V

DS

=100 V,

f

= 1兆赫

-

-

-

-

-

-

-

-

1520

72

69

180

10

5

50

5

-

-

-

-

-

-

-

-

ns

pF

值

典型值。

马克斯。

单位

V

GS

=0 V,

V

DS

=0 V

伏至480伏

1)

J- STD20和JESD22

脉冲宽度

t

p

受

T

， MAX

重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

AV

=E

AR

*f.

I

SD

< = I

D

，二/ dt< = 200A / μs的，V

的dcLINK

=400V, V

PEAK

＆ LT ; V

（ BR ） DSS

, T

j

＆ LT ;吨

JMAX

，相同的低侧和高侧开关。

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

2)

3)

4)

5)

6)

修订版2.0

第3页

2006-06-19

IPI60R199CP

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

150

10

2

限于由导通状态

阻力

1 s

10 s

100 s

100

10

1

P

合计

[W]

I

D

[A]

1毫秒

DC

10毫秒

50

10

0

0

0

40

80

120

160

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

3

T

C

[°C]

V

DS

[V]

3最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

P

)

参数：

D =吨

p

/T

10

0

4典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

75

0.5

20 V

60

0.2

7V

10 V

8V

Z

thJC

〔 K / W〕

45

0.1

10

-1

0.05

I

D

[A]

0.02

30

6V

0.01

5.5 V

单脉冲

15

5V

4.5 V

10

-2

10

-5

0

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

0

5

10

15

20

t

p

[s]

V

DS

[V]

修订版2.0

第4页

2006-06-19

IPI60R199CP

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=150 °C

参数：

V

GS

35

6典型。漏源导通电阻

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=150 °C

参数：

V

GS

1.2

6.5 V

6V

20 V

10 V

8V

7V

6V

30

1

5V

5.5 V

10 V

25

5.5 V

0.8

20

R

DS （ ON）

[

]

7V

I

D

[A]

0.6

15

5V

0.4

10

4.5 V

5

0.2

0

0

5

10

15

20

0

0

10

20

30

40

V

DS

[V]

I

D

[A]

7漏源导通电阻

R

DS （ ON）

= F （T

j

);

I

D

=9.9 A;

V

GS

=10 V

8典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

0.6

80

0.5

60

0.4

C °25

R

DS （ ON）

[

]

0.3

98 %

I

D

[A]

40

0.2

典型值

C °150

20

0.1

0

-60

-20

20

60

100

140

180

0

0

2

4

6

8

10

T

j

[°C]

V

GS

[V]

修订版2.0

第5页

2006-06-19

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