SMA661AS
GPS高增益低噪声放大器芯片
初步数据
一般特点
■
低噪声系数1.4分贝@ 1.575 GHz的
■
高增益17分贝@ 1.575 GHz的
■
电源关闭功能
■
温度补偿
■
无条件稳定
■
集成输出匹配
■
ESD保护（ ± 2kV的HBM ）
■
70 GHz的硅锗技术
■
LEAD -FREE直封装（ SOT666 ）
应用
■
全球定位系统
描述
SMA661AS是SMA系列的产品
（硅MMIC放大器） ，它采用ST先进的，在
先进的SiGe BiCMOS技术。
卓越的射频性能（ 17分贝增益和
1.4分贝NF在1.575GHZ ）和很少的外部
元件数量（只是一个电容）使
SMA661AS的GPS低噪声的理想解决方案
功放。 SMA661AS嵌入了掉电
功能避免了使用外部开关;在
掉电模式（V
PD
≤
V
PDL
）目前CON-
消费约为10 nA的。它坐落在超MIN-
iature SOT666塑料封装（ 1.65毫米X
1.2毫米X 1.57毫米） 。
表2.订购代码
包
SOT666
图1.包装
SOT666 （无铅）
1.65 ×1.2 X 0.57毫米
1
6
顶视图
2
5
4
3
表1.引脚连接
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
在RF
GND
PD
RF OUT
GND
VCC
磁带和卷轴
SMA661ASTR
图2.电路原理图
VCC （ 6 ）
C1
RF输入
33nF
RF IN （1）
SMA661AS
概率pd （3）
GND （2,5）
RF输出（4）
RF输出
第2版
2005年10月
1/10
SMA661AS
表3.绝对最大额定值
符号
V
cc
T
英镑
T
a
V
ESD
V
ESD
电源电压
储存温度
工作环境温度
静电放电
静电放电
HBM （所有引脚）
MM （所有引脚）
参数
条件
价值
3.3
-60到+150
-40至+85
单位
V
o
C
o
C
±
2000
±
200
V
V
电气特性
(T
a
= +25
o
C，V
cc
= 2.7 V ，Z
L
= Z
S
= 50欧姆，除非另外指明;
根据图13中测量的）
表4.电气特性
符号
f
V
cc
I
cc
I
PD
G
p
NF
IIP2
IIP3
ISL
RLIN
RLOUT
V
PDL(1)
V
PDH(2)
参数
频率
电源电压
消耗电流
掉电模式
消耗电流
功率增益
噪声系数
输入IP2
输入IP3
反向隔离
输入回波损耗
输出回波损耗
电源关闭状态下低
电源关闭状态下高
稳定性
注：（1 ）该装置被转换到关断状态
（2）该装置被切换到ON状态
测试条件
分钟。
典型值。
1575
马克斯。
单位
兆赫
2.53
2.7
8.5
2.87
V
mA
nA
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
V
PD
≤
V
PDL
10
17
1.4
F1 = 849兆赫， F2 = 2424兆赫，
PIN = -30 dBm的
F1 = 1574.5兆赫， F2 = 1575.5兆赫，
PIN = -30 dBm的
0.5
3
-28
F = 1500至1650年兆赫
F = 1500至1650年兆赫
10
10
0.5
1.0
V
V
100 - 10000兆赫
无条件稳定
2/10
SMA661AS
典型性能
(V
cc
= 2.7 V ，Z
L
= Z
S
= 50欧姆，除非另外指明;
测
根据图13 ）
图3.功率增益与频率
22
21
20
19
18
GP （分贝）
TA = -40 C
TA = +25 C
图6.反向隔离与频率
-20
-22
-24
-26
ISL （ dB）的
-28
-30
-32
-34
-36
-38
-40
1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 1800 1900 2000
F（兆赫）
TA = +85 C
TA = +25 C
TA = -40 C
17
16
15
14
13
12
11
10
1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 1800 1900 2000
F（兆赫）
TA = +85 C
图4.输入回波损耗与频率
0
-2
-4
-6
-8
IRL （ dB）的
-10
-12
-14
-16
-18
-20
1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 1800 1900 2000
F（兆赫）
TA = +85 C
TA = -40 C
TA = +25 C
图7.输出回波损耗与频率
0
-2
-4
-6
ORL （ dB）的
-8
-10
TA = -40 C
-12
-14
-16
-18
-20
1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 1800 1900 2000
F（兆赫）
TA = +85 C
TA = +25 C
图5.噪声系数与频率
3.0
图8. IIP3与温度
5
4.5
2.5
4
3.5
TA = +85 C
2.0
NF（ dB）的
1.5
IIP3 （ dBm的）
1560
1580
1600
3
2.5
2
1.5
TA = +25 C
TA = -40 C
1.0
0.5
1
0.5
0.0
1500
0
1520
1540
F（兆赫）
-40
25
T（ ℃）
85
3/10
拟议的焊盘布局
基于IPC- 7351A
X1 - DFN1006-2 / X2 - DFN1006-2 / MiniMELF / MELF / SOD323 / SOD123 / SOD523 / SMA / SMB / SMC
C
X
Y
G
Z
尺寸
Z
G
X
Y
C
X1- DFN1006-2 /
MiniMELF
X2-DFN1006-2
1.1
4.7
0.3
2.1
0.7
1.7
0.4
1.3
0.7
3.5
MELF
6.3
3.3
2.7
1.5
4.8
SOD123
4.9
2.5
0.7
1.2
3.7
SOD323
3.75
1.05
0.65
1.35
2.40
SOD523
2.3
1.1
0.8
0.6
1.7
SMA
6.5
1.5
1.7
2.5
4.0
SMB
6.8
1.8
2.3
2.5
4.3
SMC
9.4
4.4
3.3
2.5
6.8
X3-DFN0603-2
Z
C
X1 - DFN1006-3 / X2- DFN1006-3
C
X
1
X
G2
Y（ 2个）
尺寸值（单位：mm）
C
0.355
X
0.230
Y
0.300
Z
0.610
G1
Y
X (2x)
尺寸值（单位：mm）
Z
1.1
G1
0.3
G2
0.2
X
0.7
X1
0.25
Y
0.4
C
0.7
Z
X1-DFN1212-3
X
Y
Y2
Y1
(2x)
C
X1
(2x)
尺寸
C
X
X1
Y
Y1
Y2
值（单位：mm）
0.80
0.42
0.32
0.50
0.50
1.50
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意：所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考，因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接，并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息，请参考文件IPC- 7351A ，命名
公约标准的SMT焊盘布局，并为国际电网的详细信息，请参阅文档IEC，出版97 。
AP02001启示录43
1 14
www.diodes.com
拟议的焊盘布局
Diodes公司
X1-DFN1212-3
B型
X
Y
X2
Y3
Y2
X1(2x)
Y1
(2x)
C
尺寸
C
X
X1
X2
Y
Y1
Y2
Y3
值（单位：mm）
0.80
0.42
0.32
0.90
0.50
0.50
0.20
1.50
X1-DFN1411-3
C
X2
X1
G2 X
Y
Z
G1
尺寸
Z
G1
G2
X
X1
X2
Y
C
值（单位：mm）
1.38
0.15
0.15
0.95
0.75
0.40
0.75
0.76
X1 - DFN1612-6 / X2- DFN1310-6
G2
X2
Y2
G1
b
Y1
G3
a
X1
尺寸X1- DFN1612-6 X2- DFN1310-6
G1
0.15
0.16
G2
0.175
0.17
G3
0.15
0.15
X1
0.60
0.52
X2
0.25
0.20
Y1
0.65
0.52
Y2
0.45
0.375
a
0.10
0.09
b
0.15
0.06
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意：所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考，因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接，并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息，请参考文件IPC- 7351A ，命名
公约标准的SMT焊盘布局，并为国际电网的详细信息，请参阅文档IEC，出版97 。
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2 14
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拟议的焊盘布局
Diodes公司
U-DFN1616-6
Y
X2
G
X1
C
X2
a
G2
U-DFN1616-8
尺寸值（单位：mm）
Z
1.3
G
0.175
X1
0.50
X2
0.525
Y
0.30
C
0.50
Y2
Y1
G1
尺寸值（单位：mm）
G1
0.15
G2
0.20
X1
0.65
X2
0.25
Y1
1.25
Y2
0.50
C
0.40
a
0.10
Z
X1
C
U-DFN2018-6
X
Y
C
Y1
G
尺寸
C
G
X
X1
Y
Y1
值（单位：mm）
0.50
0.20
0.25
1.60
0.35
1.20
X1
U-DFN2020-3
X
X2
X4
Y3
Y4
R3
G
Y1
X1
C
Y2
Y5
X3
R2
Y
R1
尺寸
C
G
X
X1
X2
X3
X4
Y
价值
价值
尺寸
（单位：mm）
（单位：mm）
1.00
Y1
0.60
0.15
Y2
0.45
1.40
Y3
0.45
0.35
Y4
0.698
0.45
Y5
0.313
0.322
R1
0.225
0.60
R2
0.05
1.10
R3
0.20
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意：所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考，因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接，并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息，请参考文件IPC- 7351A ，命名
公约标准的SMT焊盘布局，并为国际电网的详细信息，请参阅文档IEC，出版97 。
AP02001启示录43
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拟议的焊盘布局
Diodes公司
U-DFN2020-3
B型
X
Y1
U-DFN2020-6
Y
C
G
尺寸
C
G
X
X1
Y
Y1
Y2
Y
G
X1
Y2
C
价值
（单位：mm）
1.30
0.24
0.35
1.52
1.09
0.47
0.50
X2
尺寸
Z
G
X1
X2
Y
C
X1
G
Y
Z
价值
（单位：mm）
1.67
0.15
0.90
0.45
0.37
0.65
U-DFN2020-6
B型
Y
X2
G1
X1
C
U-DFN2020-6
E型
价值
（单位：mm）
1.67
0.20
0.40
1.0
0.45
0.37
0.70
0.65
尺寸
G
尺寸
C
X
X1
X2
Y
Y1
Y2
Y3
G
Y1
Z
Z
G
G1
X1
X2
Y
Y1
C
Y3 Y2
X2
Y1
X1
价值
（单位：mm）
0.650
0.400
0.285
1.050
0.500
0.920
1.600
2.300
X (6x)
C
Y（ 2个）
U-DFN2510-8
X1
X
X1
U-DFN2523-6
尺寸
Y
Y1
G
c
c1
c
c1
G
X
X1
Y
Y1
价值
（单位：mm）
0.5
1.0
0.2
0.2
0.4
0.6
1.4
Y1
Y2
Y3
Y
C
X
尺寸值（单位：mm）
C
0.650
X
0.400
X1
1.700
Y
0.650
Y1
0.450
Y2
1.830
Y3
2.700
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意：所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考，因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接，并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息，请参考文件IPC- 7351A ，命名
公约标准的SMT焊盘布局，并为国际电网的详细信息，请参阅文档IEC，出版97 。
AP02001启示录43
4 14
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拟议的焊盘布局
Diodes公司
W-DFN3020-8
B型
C
X
Y1
G
Y2
Y
G1
X1
尺寸值（单位：mm）
C
0.650
G
0.285
G1
0.090
X
0.400
X1
1.120
Y
0.730
Y1
0.500
Y2
0.365
U-DFN3030-4
尺寸
C
G1
G2
G3
G4
G5
G6
G7
G8
R
X
X1
X2
X3
Y
Y1
Y2
Y3
值（单位：mm）
1.300
0.100
0.150
0.830
0.115
0.135
0.170
0.500
0.500
0.150
0.500
1.375
1.225
1.175
1.980
1.015
0.715
0.650
U-DFN3030-8
C
Y3 （2个）
G4
X3
G6
G1
R
Y
G2
Z
Y2
G3
X1
Y1
G7
G5
X2
X1
G8
X2
Y
C
尺寸值（单位：mm）
Z
2.59
G
0.11
X1
2.49
X2
0.65
Y
0.39
C
0.65
G
X (4x)
U-DFN3030-8
E型
X (x8)
Y
(x8)
C
Y1
Y2
尺寸
C
C1
X
Y
Y1
Y2
值（单位：mm）
0.65
2.35
0.30
0.65
1.60
2.75
C1
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意：所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考，因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接，并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息，请参考文件IPC- 7351A ，命名
公约标准的SMT焊盘布局，并为国际电网的详细信息，请参阅文档IEC，出版97 。
AP02001启示录43
5 14
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拟议的焊盘布局
Diodes公司
SMA661AS
GPS高增益低噪声放大器芯片
初步数据
一般特点
■
低噪声系数1.4分贝@ 1.575 GHz的
■
高增益17分贝@ 1.575 GHz的
■
电源关闭功能
■
温度补偿
■
无条件稳定
■
集成输出匹配
■
ESD保护（ ± 2kV的HBM ）
■
70 GHz的硅锗技术
■
LEAD -FREE直封装（ SOT666 ）
应用
■
全球定位系统
描述
SMA661AS是SMA系列的产品
（硅MMIC放大器） ，它采用ST先进的，在
先进的SiGe BiCMOS技术。
卓越的射频性能（ 17分贝增益和
1.4分贝NF在1.575GHZ ）和很少的外部
元件数量（只是一个电容）使
SMA661AS的GPS低噪声的理想解决方案
功放。 SMA661AS嵌入了掉电
功能避免了使用外部开关;在
掉电模式（V
PD
≤
V
PDL
）目前CON-
消费约为10 nA的。它坐落在超MIN-
iature SOT666塑料封装（ 1.65毫米X
1.2毫米X 1.57毫米） 。
表2.订购代码
包
SOT666
图1.包装
SOT666 （无铅）
1.65 ×1.2 X 0.57毫米
1
6
顶视图
2
5
4
3
表1.引脚连接
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
在RF
GND
PD
RF OUT
GND
VCC
磁带和卷轴
SMA661ASTR
图2.电路原理图
VCC （ 6 ）
C1
RF输入
33nF
RF IN （1）
SMA661AS
概率pd （3）
GND （2,5）
RF输出（4）
RF输出
第2版
2005年10月
1/10
SMA661AS
表3.绝对最大额定值
符号
V
cc
T
英镑
T
a
V
ESD
V
ESD
电源电压
储存温度
工作环境温度
静电放电
静电放电
HBM （所有引脚）
MM （所有引脚）
参数
条件
价值
3.3
-60到+150
-40至+85
单位
V
o
C
o
C
±
2000
±
200
V
V
电气特性
(T
a
= +25
o
C，V
cc
= 2.7 V ，Z
L
= Z
S
= 50欧姆，除非另外指明;
根据图13中测量的）
表4.电气特性
符号
f
V
cc
I
cc
I
PD
G
p
NF
IIP2
IIP3
ISL
RLIN
RLOUT
V
PDL(1)
V
PDH(2)
参数
频率
电源电压
消耗电流
掉电模式
消耗电流
功率增益
噪声系数
输入IP2
输入IP3
反向隔离
输入回波损耗
输出回波损耗
电源关闭状态下低
电源关闭状态下高
稳定性
注：（1 ）该装置被转换到关断状态
（2）该装置被切换到ON状态
测试条件
分钟。
典型值。
1575
马克斯。
单位
兆赫
2.53
2.7
8.5
2.87
V
mA
nA
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
V
PD
≤
V
PDL
10
17
1.4
F1 = 849兆赫， F2 = 2424兆赫，
PIN = -30 dBm的
F1 = 1574.5兆赫， F2 = 1575.5兆赫，
PIN = -30 dBm的
0.5
3
-28
F = 1500至1650年兆赫
F = 1500至1650年兆赫
10
10
0.5
1.0
V
V
100 - 10000兆赫
无条件稳定
2/10
SMA661AS
典型性能
(V
cc
= 2.7 V ，Z
L
= Z
S
= 50欧姆，除非另外指明;
测
根据图13 ）
图3.功率增益与频率
22
21
20
19
18
GP （分贝）
TA = -40 C
TA = +25 C
图6.反向隔离与频率
-20
-22
-24
-26
ISL （ dB）的
-28
-30
-32
-34
-36
-38
-40
1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 1800 1900 2000
F（兆赫）
TA = +85 C
TA = +25 C
TA = -40 C
17
16
15
14
13
12
11
10
1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 1800 1900 2000
F（兆赫）
TA = +85 C
图4.输入回波损耗与频率
0
-2
-4
-6
-8
IRL （ dB）的
-10
-12
-14
-16
-18
-20
1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 1800 1900 2000
F（兆赫）
TA = +85 C
TA = -40 C
TA = +25 C
图7.输出回波损耗与频率
0
-2
-4
-6
ORL （ dB）的
-8
-10
TA = -40 C
-12
-14
-16
-18
-20
1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 1800 1900 2000
F（兆赫）
TA = +85 C
TA = +25 C
图5.噪声系数与频率
3.0
图8. IIP3与温度
5
4.5
2.5
4
3.5
TA = +85 C
2.0
NF（ dB）的
1.5
IIP3 （ dBm的）
1560
1580
1600
3
2.5
2
1.5
TA = +25 C
TA = -40 C
1.0
0.5
1
0.5
0.0
1500
0
1520
1540
F（兆赫）
-40
25
T（ ℃）
85
3/10
拟议的焊盘布局
基于IPC- 7351A
X1 - DFN1006-2 / X2 - DFN1006-2 / MiniMELF / MELF / SOD323 / SOD123 / SOD523 / SMA / SMB / SMC
C
X
Y
G
Z
尺寸
Z
G
X
Y
C
X1- DFN1006-2 /
MiniMELF
X2-DFN1006-2
1.1
4.7
0.3
2.1
0.7
1.7
0.4
1.3
0.7
3.5
MELF
6.3
3.3
2.7
1.5
4.8
SOD123
4.9
2.5
0.7
1.2
3.7
SOD323
3.75
1.05
0.65
1.35
2.40
SOD523
2.3
1.1
0.8
0.6
1.7
SMA
6.5
1.5
1.7
2.5
4.0
SMB
6.8
1.8
2.3
2.5
4.3
SMC
9.4
4.4
3.3
2.5
6.8
X3-DFN0603-2
X1
X2-DFN0806-3
Z
C
Y1
尺寸
尺寸值（单位：mm）
C
0.355
X
0.230
Y
0.300
Z
0.610
Y（ 2个）
Y2
X (2x)
Y（ 2个）
C
X
X1
X2
Y
Y1
Y2
价值
（单位：mm）
0.350
0.200
0.450
0.550
0.375
0.475
1.000
X (2x)
C
X2
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意：所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考，因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接，并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息，请参考文件IPC- 7351A ，命名
公约标准的SMT焊盘布局，并为国际电网的详细信息，请参阅文档IEC，出版97 。
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拟议的焊盘布局
Diodes公司
X1 - DFN1006-3 / X2- DFN1006-3
C
X
1
X
G2
G1
Y
Z
尺寸值（单位：mm）
Z
1.1
G1
0.3
G2
0.2
X
0.7
X1
0.25
Y
0.4
C
0.7
X2-DFN1010-6
X1
C
Y（ 6X ）
尺寸
C
G
X
X1
Y
Y1
Y1
价值
（单位：mm）
0.350
0.150
0.200
0.900
0.550
1.250
1
G(4x)
X(6x)
X1-DFN1212-3
X
Y
X
X1-DFN1212-3
B型
Y2
Y1
(2x)
C
X1
(2x)
尺寸值（单位：mm）
C
0.80
X
0.42
X1
0.32
Y
0.50
Y1
0.50
Y2
1.50
Y
X2
Y3
Y2
X1(2x)
Y1
(2x)
C
尺寸值（单位：mm）
C
0.80
X
0.42
X1
0.32
X2
0.90
Y
0.50
Y1
0.50
Y2
0.20
Y3
1.50
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意：所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考，因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接，并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息，请参考文件IPC- 7351A ，命名
公约标准的SMT焊盘布局，并为国际电网的详细信息，请参阅文档IEC，出版97 。
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拟议的焊盘布局
Diodes公司
X2-DFN1410-6
X1
C
Y(6x)
尺寸
C
G
X
X1
Y
Y1
Y1
价值
（单位：mm）
0.500
0.250
0.250
1.250
0.525
1.250
1
G(4x)
X(6x)
X1-DFN1411-3
C
X2
X1
G2 X
Y
Z
G1
尺寸
Z
G1
G2
X
X1
X2
Y
C
值（单位：mm）
1.38
0.15
0.15
0.95
0.75
0.40
0.75
0.76
X1 - DFN1612-6 / X2- DFN1310-6
G2
X2
Y2
G1
b
Y1
G3
a
X1
尺寸
G1
G2
G3
X1
X2
Y1
Y2
a
b
X1-DFN1612-6
0.15
0.175
0.15
0.60
0.25
0.65
0.45
0.10
0.15
X2- DFN1310-6
0.16
0.17
0.15
0.52
0.20
0.52
0.375
0.09
0.06
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意：所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考，因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接，并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息，请参考文件IPC- 7351A ，命名
公约标准的SMT焊盘布局，并为国际电网的详细信息，请参阅文档IEC，出版97 。
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拟议的焊盘布局
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U-DFN1616-6
X3
X1 - DFN1616-6 E型
Y
X2
C
Y（ 2个）
尺寸
C
X
X1
X2
X3
Y
Y1
Y2
G
X1
尺寸值（单位：mm）
Z
1.3
G
0.175
X1
0.50
X2
0.525
Y
0.30
C
0.50
Y2
X2
X1
Y1
Z
X (6x)
C
价值
（单位：mm）
0.500
0.300
0.200
0.720
0.400
0.475
0.620
1.900
U-DFN1616-8
X2
Y2
a
G2
Y1
G1
尺寸值（单位：mm）
G1
0.15
G2
0.20
X1
0.65
X2
0.25
Y1
1.25
Y2
0.50
C
0.40
a
0.10
X1
C
U-DFN2018-6
X
Y
C
Y1
G
尺寸
C
G
X
X1
Y
Y1
值（单位：mm）
0.50
0.20
0.25
1.60
0.35
1.20
X1
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意：所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考，因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接，并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息，请参考文件IPC- 7351A ，命名
公约标准的SMT焊盘布局，并为国际电网的详细信息，请参阅文档IEC，出版97 。
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拟议的焊盘布局
Diodes公司
U-DFN2020-3
X
X2
X4
Y3
Y4
R3
G
Y1
X1
C
Y2
Y5
X3
R2
Y
R1
尺寸
C
G
X
X1
X2
X3
X4
Y
价值
价值
尺寸
（单位：mm）
（单位：mm）
1.00
Y1
0.60
0.15
Y2
0.45
1.40
Y3
0.45
0.35
Y4
0.698
0.45
Y5
0.313
0.322
R1
0.225
0.60
R2
0.05
1.10
R3
0.20
U-DFN2020-6
X2
X1
Y（ 6X ）
尺寸
C
X
X1
X2
Y
Y1
Y2
Y2
Y1
价值
（单位：mm）
0.650
0.350
1.650
1.700
0.525
1.010
2.400
X (6x)
C
X2-DFN2020-6
X2
X1
Y
尺寸
C
X
X1
X2
Y
Y1
Y2
Y3
Y3
Y2
Y1
价值
（单位：mm）
0.650
0.400
1.050
1.700
0.500
1.600
1.600
2.300
X (6x)
C
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意：所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考，因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接，并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息，请参考文件IPC- 7351A ，命名
公约标准的SMT焊盘布局，并为国际电网的详细信息，请参阅文档IEC，出版97 。
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