拟议的焊盘布局
基于IPC- 7351A
X1 - DFN1006-2 / X2 - DFN1006-2 / MiniMELF / MELF / SOD323 / SOD123 / SOD523 / SMA / SMB / SMC
C
X
Y
G
Z
尺寸
Z
G
X
Y
C
X1- DFN1006-2 /
MiniMELF
X2-DFN1006-2
1.1
4.7
0.3
2.1
0.7
1.7
0.4
1.3
0.7
3.5
MELF
6.3
3.3
2.7
1.5
4.8
SOD123
4.9
2.5
0.7
1.2
3.7
SOD323
3.75
1.05
0.65
1.35
2.40
SOD523
2.3
1.1
0.8
0.6
1.7
SMA
6.5
1.5
1.7
2.5
4.0
SMB
6.8
1.8
2.3
2.5
4.3
SMC
9.4
4.4
3.3
2.5
6.8
X3-DFN0603-2
X1
X2-DFN0806-3
Z
C
Y1
尺寸
尺寸值(单位:mm)
C
0.355
X
0.230
Y
0.300
Z
0.610
Y( 2个)
Y2
X (2x)
Y( 2个)
C
X
X1
X2
Y
Y1
Y2
价值
(单位:mm)
0.350
0.200
0.450
0.550
0.375
0.475
1.000
X (2x)
C
X2
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意:所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考,因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接,并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息,请参考文件IPC- 7351A ,命名
公约标准的SMT焊盘布局,并为国际电网的详细信息,请参阅文档IEC,出版97 。
AP02001启示录52
1 27
www.diodes.com
拟议的焊盘布局
Diodes公司
X1 - DFN1006-3 / X2- DFN1006-3
C
X
1
X
G2
G1
Y
Z
尺寸值(单位:mm)
Z
1.1
G1
0.3
G2
0.2
X
0.7
X1
0.25
Y
0.4
C
0.7
X2-DFN1010-6
X1
C
Y( 6X )
尺寸
C
G
X
X1
Y
Y1
Y1
价值
(单位:mm)
0.350
0.150
0.200
0.900
0.550
1.250
1
G(4x)
X(6x)
X1-DFN1212-3
X
Y
X
X1-DFN1212-3
B型
Y2
Y1
(2x)
C
X1
(2x)
尺寸值(单位:mm)
C
0.80
X
0.42
X1
0.32
Y
0.50
Y1
0.50
Y2
1.50
Y
X2
Y3
Y2
X1(2x)
Y1
(2x)
C
尺寸值(单位:mm)
C
0.80
X
0.42
X1
0.32
X2
0.90
Y
0.50
Y1
0.50
Y2
0.20
Y3
1.50
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意:所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考,因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接,并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息,请参考文件IPC- 7351A ,命名
公约标准的SMT焊盘布局,并为国际电网的详细信息,请参阅文档IEC,出版97 。
AP02001启示录52
2 27
www.diodes.com
拟议的焊盘布局
Diodes公司
X2-DFN1410-6
X1
C
Y(6x)
尺寸
C
G
X
X1
Y
Y1
Y1
价值
(单位:mm)
0.500
0.250
0.250
1.250
0.525
1.250
1
G(4x)
X(6x)
X1-DFN1411-3
C
X2
X1
G2 X
Y
Z
G1
尺寸
Z
G1
G2
X
X1
X2
Y
C
值(单位:mm)
1.38
0.15
0.15
0.95
0.75
0.40
0.75
0.76
X1 - DFN1612-6 / X2- DFN1310-6
G2
X2
Y2
G1
b
Y1
G3
a
X1
尺寸
G1
G2
G3
X1
X2
Y1
Y2
a
b
X1-DFN1612-6
0.15
0.175
0.15
0.60
0.25
0.65
0.45
0.10
0.15
X2- DFN1310-6
0.16
0.17
0.15
0.52
0.20
0.52
0.375
0.09
0.06
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意:所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考,因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接,并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息,请参考文件IPC- 7351A ,命名
公约标准的SMT焊盘布局,并为国际电网的详细信息,请参阅文档IEC,出版97 。
AP02001启示录52
3 27
www.diodes.com
拟议的焊盘布局
Diodes公司
U-DFN1616-6
X3
X1 - DFN1616-6 E型
Y
X2
C
Y( 2个)
尺寸
C
X
X1
X2
X3
Y
Y1
Y2
G
X1
尺寸值(单位:mm)
Z
1.3
G
0.175
X1
0.50
X2
0.525
Y
0.30
C
0.50
Y2
X2
X1
Y1
Z
X (6x)
C
价值
(单位:mm)
0.500
0.300
0.200
0.720
0.400
0.475
0.620
1.900
U-DFN1616-8
X2
Y2
a
G2
Y1
G1
尺寸值(单位:mm)
G1
0.15
G2
0.20
X1
0.65
X2
0.25
Y1
1.25
Y2
0.50
C
0.40
a
0.10
X1
C
U-DFN2018-6
X
Y
C
Y1
G
尺寸
C
G
X
X1
Y
Y1
值(单位:mm)
0.50
0.20
0.25
1.60
0.35
1.20
X1
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意:所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考,因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接,并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息,请参考文件IPC- 7351A ,命名
公约标准的SMT焊盘布局,并为国际电网的详细信息,请参阅文档IEC,出版97 。
AP02001启示录52
4 27
www.diodes.com
拟议的焊盘布局
Diodes公司
U-DFN2020-3
X
X2
X4
Y3
Y4
R3
G
Y1
X1
C
Y2
Y5
X3
R2
Y
R1
尺寸
C
G
X
X1
X2
X3
X4
Y
价值
价值
尺寸
(单位:mm)
(单位:mm)
1.00
Y1
0.60
0.15
Y2
0.45
1.40
Y3
0.45
0.35
Y4
0.698
0.45
Y5
0.313
0.322
R1
0.225
0.60
R2
0.05
1.10
R3
0.20
U-DFN2020-6
X2
X1
Y( 6X )
尺寸
C
X
X1
X2
Y
Y1
Y2
Y2
Y1
价值
(单位:mm)
0.650
0.350
1.650
1.700
0.525
1.010
2.400
X (6x)
C
X2-DFN2020-6
X2
X1
Y
尺寸
C
X
X1
X2
Y
Y1
Y2
Y3
Y3
Y2
Y1
价值
(单位:mm)
0.650
0.400
1.050
1.700
0.500
1.600
1.600
2.300
X (6x)
C
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意:所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考,因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接,并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息,请参考文件IPC- 7351A ,命名
公约标准的SMT焊盘布局,并为国际电网的详细信息,请参阅文档IEC,出版97 。
AP02001启示录52
5 27
www.diodes.com
拟议的焊盘布局
Diodes公司
拟议的焊盘布局
基于IPC- 7351A
X1 - DFN1006-2 / X2 - DFN1006-2 / MiniMELF / MELF / SOD323 / SOD123 / SOD523 / SMA / SMB / SMC
C
X
Y
G
Z
尺寸
Z
G
X
Y
C
X1- DFN1006-2 /
MiniMELF
X2-DFN1006-2
1.1
4.7
0.3
2.1
0.7
1.7
0.4
1.3
0.7
3.5
MELF
6.3
3.3
2.7
1.5
4.8
SOD123
4.9
2.5
0.7
1.2
3.7
SOD323
3.75
1.05
0.65
1.35
2.40
SOD523
2.3
1.1
0.8
0.6
1.7
SMA
6.5
1.5
1.7
2.5
4.0
SMB
6.8
1.8
2.3
2.5
4.3
SMC
9.4
4.4
3.3
2.5
6.8
X3-DFN0603-2
Z
C
X1 - DFN1006-3 / X2- DFN1006-3
C
X
1
X
G2
Y( 2个)
尺寸值(单位:mm)
C
0.355
X
0.230
Y
0.300
Z
0.610
G1
Y
X (2x)
尺寸值(单位:mm)
Z
1.1
G1
0.3
G2
0.2
X
0.7
X1
0.25
Y
0.4
C
0.7
Z
X1-DFN1212-3
X
Y
Y2
Y1
(2x)
C
X1
(2x)
尺寸
C
X
X1
Y
Y1
Y2
值(单位:mm)
0.80
0.42
0.32
0.50
0.50
1.50
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意:所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考,因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接,并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息,请参考文件IPC- 7351A ,命名
公约标准的SMT焊盘布局,并为国际电网的详细信息,请参阅文档IEC,出版97 。
AP02001启示录43
1 14
www.diodes.com
拟议的焊盘布局
Diodes公司
X1-DFN1212-3
B型
X
Y
X2
Y3
Y2
X1(2x)
Y1
(2x)
C
尺寸
C
X
X1
X2
Y
Y1
Y2
Y3
值(单位:mm)
0.80
0.42
0.32
0.90
0.50
0.50
0.20
1.50
X1-DFN1411-3
C
X2
X1
G2 X
Y
Z
G1
尺寸
Z
G1
G2
X
X1
X2
Y
C
值(单位:mm)
1.38
0.15
0.15
0.95
0.75
0.40
0.75
0.76
X1 - DFN1612-6 / X2- DFN1310-6
G2
X2
Y2
G1
b
Y1
G3
a
X1
尺寸X1- DFN1612-6 X2- DFN1310-6
G1
0.15
0.16
G2
0.175
0.17
G3
0.15
0.15
X1
0.60
0.52
X2
0.25
0.20
Y1
0.65
0.52
Y2
0.45
0.375
a
0.10
0.09
b
0.15
0.06
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意:所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考,因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接,并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息,请参考文件IPC- 7351A ,命名
公约标准的SMT焊盘布局,并为国际电网的详细信息,请参阅文档IEC,出版97 。
AP02001启示录43
2 14
www.diodes.com
拟议的焊盘布局
Diodes公司
U-DFN1616-6
Y
X2
G
X1
C
X2
a
G2
U-DFN1616-8
尺寸值(单位:mm)
Z
1.3
G
0.175
X1
0.50
X2
0.525
Y
0.30
C
0.50
Y2
Y1
G1
尺寸值(单位:mm)
G1
0.15
G2
0.20
X1
0.65
X2
0.25
Y1
1.25
Y2
0.50
C
0.40
a
0.10
Z
X1
C
U-DFN2018-6
X
Y
C
Y1
G
尺寸
C
G
X
X1
Y
Y1
值(单位:mm)
0.50
0.20
0.25
1.60
0.35
1.20
X1
U-DFN2020-3
X
X2
X4
Y3
Y4
R3
G
Y1
X1
C
Y2
Y5
X3
R2
Y
R1
尺寸
C
G
X
X1
X2
X3
X4
Y
价值
价值
尺寸
(单位:mm)
(单位:mm)
1.00
Y1
0.60
0.15
Y2
0.45
1.40
Y3
0.45
0.35
Y4
0.698
0.45
Y5
0.313
0.322
R1
0.225
0.60
R2
0.05
1.10
R3
0.20
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意:所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考,因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接,并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息,请参考文件IPC- 7351A ,命名
公约标准的SMT焊盘布局,并为国际电网的详细信息,请参阅文档IEC,出版97 。
AP02001启示录43
3 14
www.diodes.com
拟议的焊盘布局
Diodes公司
U-DFN2020-3
B型
X
Y1
U-DFN2020-6
Y
C
G
尺寸
C
G
X
X1
Y
Y1
Y2
Y
G
X1
Y2
C
价值
(单位:mm)
1.30
0.24
0.35
1.52
1.09
0.47
0.50
X2
尺寸
Z
G
X1
X2
Y
C
X1
G
Y
Z
价值
(单位:mm)
1.67
0.15
0.90
0.45
0.37
0.65
U-DFN2020-6
B型
Y
X2
G1
X1
C
U-DFN2020-6
E型
价值
(单位:mm)
1.67
0.20
0.40
1.0
0.45
0.37
0.70
0.65
尺寸
G
尺寸
C
X
X1
X2
Y
Y1
Y2
Y3
G
Y1
Z
Z
G
G1
X1
X2
Y
Y1
C
Y3 Y2
X2
Y1
X1
价值
(单位:mm)
0.650
0.400
0.285
1.050
0.500
0.920
1.600
2.300
X (6x)
C
Y( 2个)
U-DFN2510-8
X1
X
X1
U-DFN2523-6
尺寸
Y
Y1
G
c
c1
c
c1
G
X
X1
Y
Y1
价值
(单位:mm)
0.5
1.0
0.2
0.2
0.4
0.6
1.4
Y1
Y2
Y3
Y
C
X
尺寸值(单位:mm)
C
0.650
X
0.400
X1
1.700
Y
0.650
Y1
0.450
Y2
1.830
Y3
2.700
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意:所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考,因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接,并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息,请参考文件IPC- 7351A ,命名
公约标准的SMT焊盘布局,并为国际电网的详细信息,请参阅文档IEC,出版97 。
AP02001启示录43
4 14
www.diodes.com
拟议的焊盘布局
Diodes公司
W-DFN3020-8
B型
C
X
Y1
G
Y2
Y
G1
X1
尺寸值(单位:mm)
C
0.650
G
0.285
G1
0.090
X
0.400
X1
1.120
Y
0.730
Y1
0.500
Y2
0.365
U-DFN3030-4
尺寸
C
G1
G2
G3
G4
G5
G6
G7
G8
R
X
X1
X2
X3
Y
Y1
Y2
Y3
值(单位:mm)
1.300
0.100
0.150
0.830
0.115
0.135
0.170
0.500
0.500
0.150
0.500
1.375
1.225
1.175
1.980
1.015
0.715
0.650
U-DFN3030-8
C
Y3 (2个)
G4
X3
G6
G1
R
Y
G2
Z
Y2
G3
X1
Y1
G7
G5
X2
X1
G8
X2
Y
C
尺寸值(单位:mm)
Z
2.59
G
0.11
X1
2.49
X2
0.65
Y
0.39
C
0.65
G
X (4x)
U-DFN3030-8
E型
X (x8)
Y
(x8)
C
Y1
Y2
尺寸
C
C1
X
Y
Y1
Y2
值(单位:mm)
0.65
2.35
0.30
0.65
1.60
2.75
C1
全尺寸显示以毫米为单位的标称值
注意:所建议的焊盘图形尺寸已经仅供参考,因为根据应用的实际焊盘布局可变化。
这些号码可基于用户设备能力或制造条件进行修改。更强大的模式可能需要对波
焊接,并通过添加0.2的'Z'的尺寸来计算。欲了解更多信息,请参考文件IPC- 7351A ,命名
公约标准的SMT焊盘布局,并为国际电网的详细信息,请参阅文档IEC,出版97 。
AP02001启示录43
5 14
www.diodes.com
拟议的焊盘布局
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXRE160
增强型0.6V可调式精密并联稳压器
描述
该ZXRE160是5端可调分流稳压器产品
优异的温度稳定性和输出
处理能力。这
引脚分配
ZXRE160_H5 ( SC70 / SOT353 )和
ZXRE160_ET5 ( TSOT25 )
顶视图
器件提供增强的ZXRE060一部分用在
比较器模式的应用。
新产品
在并联稳压器方式下, ZXRE160简化的设计
隔离的低电压的DC-DC调节器。凭借其低0.6V FB引脚,它可以
控制轨道低至0.6V的调节。这使得该器件非常
对艺术的微处理器的状态, DSP和可编程逻辑器件的核心电压
POL转换器。
该器件集电极开路输出可在0.2V至18V的,并
调节的输出电压可以通过选择两个外部设置
分压电阻。从集电极开路输出分离输入
使得能够使用的ZXRE160使低成本的低压降
监管机构在低输入电压下工作。
该ZXRE160是两个档次可用0.5 %的初始容差
并分别在A和标准等级1 % 。它是在可
节省空间的薄型5引脚SC70 / SOT353 ,薄TSOT25很
小DFN1520封装。
OUT
3
4
ZXRE160_FT4 ( X2- DFN1520-6 )
顶视图
保护地
6
1
IN
N / C
2
5
GND
FB
特点
低参考电压(V
FB
= 0.6V)
-40 ° C至+ 125°C温度范围
在+ 25 °C基准电压容差
0.5 % ZXRE160A
1%
ZXRE160
露出标志或浮动
连接到GND
应用
隔离式DC- DC转换器
核心电压POL
低电压低压差线性稳压器
并联型稳压器
可调电压基准
典型温度漂移
<4毫伏( 0 ° C至+ 70 ° C)
<6毫伏( -40 ° C至+ 85°C )
<12mV ( -40 ° C至+ 125°C )
0.2V至18V集电极开路输出
高电源抑制
( >45分贝在300kHz )
完全无铅&完全符合RoHS (注1 & 2 )
卤素和无锑。 “绿色”设备(注3 )
注意事项:
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令(RoHS ) & 2011/65 / EU指令(RoHS 2 )兼容。
2.关于Diodes公司的免费锑, "Green"和无铅卤素 - 和定义的详细信息,请参阅http://www.diodes.com 。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴, <900ppm氯( <1500ppm总溴+ Cl)的和
<1000ppm锑化合物。
ZXRE160
文件编号: DS35688修订版2 - 2
1 15
www.diodes.com
2012年6月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXRE160
典型应用电路
新产品
引脚说明
包名称
引脚数
SC70 / SOT353 ,
X2-DFN1520-6
TSOT25
1
—
5
4
2
3
—
1
2
3
4
5
6
旗
引脚名称
功能
保护地
—
OUT
FB
GND
IN
—
电源接地:接地回路的输出晶体管的发射极:连接地线和
GND在一起。
无连接
输出:连接一个电容接近OUT和GND之间的设备的闭环
稳定。见
应用信息
部分。
反馈输入。阈值电压600mV的象征。
模拟接地:接地回路,以供参考和放大器:连接GND和PGND
在一起。
电源输入:连接一个0.1μF的陶瓷电容靠近器件从IN到GND 。
浮动或连接到GND
ZXRE160
文件编号: DS35688修订版2 - 2
2 15
www.diodes.com
2012年6月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXRE160
绝对最大额定值
(电压GND , @T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
符号
V
IN
V
OUT
V
FB
P
GND
I
OUT
T
J
T
ST
参数
相对于电压GND
电压相对于GND OUT
FB电压相对于GND
保护地线的电压相对于GND
OUT引脚电流
工作结温
储存温度
等级
20
20
20
-0.3到+0.3
20
-40至150
55 150
单位
V
V
V
V
mA
°C
°C
新产品
这些压力额定值只。绝对最大额定值之外的操作可能会导致设备故障。
工作在绝对最大额定值长时间可能会降低设备的可靠性。
半导体器件的ESD敏感,并且可以通过暴露于ESD事件损坏。
处理和运输这些设备时,合适的ESD应采取预防措施。
封装热性能数据
包
SC70/SOT353
TSOT25
X2-DFN1520-6
θ
JA
400°C/W
250°C/W
待定
P
DIS
T
A
= 25 ° C,T
J
= 150°C
310mW
500mW
待定
推荐工作条件
(@T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
符号
V
IN
V
IN
V
OUT
I
OUT
T
A
参数
电压范围( 0至+ 125° C)
电压范围( -40 ° C至0 ° C)
输出电压范围
OUT引脚电流
工作环境温度
范围
民
2
2.2
0.2
0.3
-40
最大
18
18
18
15
+125
单位
V
mA
°C
ZXRE160
文件编号: DS35688修订版2 - 2
4 15
www.diodes.com
2012年6月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXRE160
电气特性
(@T
A
= + 25 ° C,V
DD
= 3V ,除非另有说明)。
T
A
= + 25 ° C,V
IN
= 3.3V, V
OUT
= V
FB
, I
OUT
= 5毫安,除非另有说明。 ) (注4)
符号
参数
条件
ZXRE160A
ZXRE160
T
A
= 0 ° C至+ 85°C
ZXRE160A
ZXRE160
ZXRE160A
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
ZXRE160
ZXRE160A
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
ZXRE160
民
0.597
0.594
0.595
0.592
0.594
0.591
0.593
0.590
典型值
0.6
0.6
最大
0.603
0.606
0.605
0.608
0.606
0.609
0.607
0.610
单位
新产品
V
FB
反馈电压
V
FB
负载
FB
LINE
反馈引脚负载
规
反馈引脚线
规
输出电压
规
I
OUT
= 1至15mA
V
IN
= 2V至18V
V
IN
= 2.2V至18V
V
OUT
= 0.2V至18V ,
I
OUT
= 1毫安
(参考图1)
V
IN
= 18V
3.8
T
A
= -40至+ 125°C
0.3
T
A
= -40至+ 125°C
6
10
1
1.5
1
mV
mV
FB
OVR
T
A
= -40至+ 125°C
-45
1.5
mV
I
FB
FB输入偏置电流
T
A
= -40至+ 125°C
V
FB
= 0.7V
-200
-50
0.35
0
50
0.7
nA
V
IN
= 2V至18V
I
OUT
= 0.3毫安
V
IN
= 2.2V至18V
I
IN
输入电流
V
IN
= 2V至18V
I
OUT
= 10毫安
V
IN
= 2.2V至18V
V
IN
= 18V ,我
OUT
= 0.3毫安
V
IN
= 18V,
I
OUT ( LK )
输出漏电流
动态输出
阻抗
V
OUT
= 18V,
V
FB
=0V
Z
OUT
PSRR
BW
G
注意:
mA
T
A
= -40至+ 125°C
0.48
T
A
= -40至+ 125°C
V
FB
= 0.7V
1
1
1.5
3
0.1
T
A
= +125°C
0.25
T
A
= -40至+ 125°C
>45
600
5000
1
0.4
0.6
A
mA
I
OUT
= 1至15mA
F < 1KHz的
Ω
dB
千赫
毫安/ V
电源抑制F = 300kHz的
比
V
AC
= 0.3V
PP
放大器的单位增益
频率
扩音器
跨
参考文献:图2
4.生产该装置的测试是在+ 25 ℃下进行。设备和参数在工作温度指定的功能操作
范围是由设计,表征和过程控制保证。
ZXRE160
文件编号: DS35688修订版2 - 2
5 15
www.diodes.com
2012年6月
Diodes公司