包装信息 - SOD323
标称重量
每个设备4.9mg额定起重量。
磁带和卷轴信息
方向
阴极
胶带宽度
(mm)
8
8
带尺寸
（英寸）
7
13
数
组件
3,000
10,000
磁带选项
指标
TA
TC
压纹载带配置
P0
K
t
顶盖
TAPE
D
P2
10球场culmulative
公差带
±0.2mm (±0.008”)
E
见注1
A0
见注1
F
W
B1
K0
见注1
B0
P
浮雕
中心线
腔
D1
饲料用户方向
尺寸
毫米（英寸）
A0，B0 ，K0
B 1 （最大）
D
D 1 （最大）
E
F
P
磁带尺寸（mm ）
8
见注
*
4.55 (0.179)
1.50 + 0.10 - 0.00
1.00 (0.039)
1.75 ± 0.10
3.50 ± 0.10
(0.138 ± 0.004)
4.00 ±0.10
(0.157 ± 0.004)
12
见注
*
8.20 (0.323)
1.50 + 0.10 - 0.00
1.50 (0.059)
1.75 ± 0.10
5.50 ± 0.05
(0.217 ± 0.002)
4.00 ±0.10
(0.157 ± 0.004)
8.00 ±0.10
(0.315 ± 0.004)
16
见注
*
12.10 (0.476)
1.50 + 0.10 - 0.00
1.50 (0.059)
1.75 ± 0.10
7.50 ± 0.10
(0.295 ± 0.004)
4.00 ± 0.10
(0.157 ± 0.004)
8.00 ±0.10
(0.315 ± 0.004)
12.00 ± 0.10
(0.472 ± 0.004)
4.00 ± 0.10
2.00 ± 0.05
0.40
16.30 (0.642)
24
见注
*
20.10 (0.791)
1.50 + 0.10 - 0.00
1.50 (0.059)
1.75 ± 0.10
11.50 ± 0.10
(0.453 ± 0.004)
4.00 ± 0.10
(0.157 ± 0.004)
为20.00 ± 0.10
(0.787 ± 0.004)
在4.00 （ 0.157 ）
增量
4.00 ± 0.10
2.00 ± 0.05
0.40
24.30 (0.957)
P0
P2
T（ MAX 。 ）
W
4.00 ± 0.10
2.00 ± 0.05
0.40
8.00 (0.315)
4.00 ± 0.10
2.00 ± 0.05
0.40
12.00 ± 0.30
(0.472 ± 0.012)
注意事项：
* A 0， B 0和K 0尺寸相对于EIA / JEDEC旋转和横向移动的要求来确定
（参见图1） 。
第3期 - 2007年3月
捷特科PLC 2007
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包装信息 - SOD323
0.5mm
最大
20 °最大
部件
空穴
中线
0.5mm
最大
20 °最大
B0
部件
中线
A0
素描A（俯视图）
组件横向移动
草图乙（侧面或正面剖视图）
组件旋转 - 侧视图
素描C（顶视图）
体旋转 - 顶视图
图1 - 旋转和横向移动
REEL配置
核心磁带插槽
磁带开始。
2.5毫米分钟。宽度，
10毫米分钟。深度
T
B
A
D
N
C
FULL RADIUS
G
磁带选项
TA
TC
A最大。
179 (7.047)
330 (12.992)
B分。
1.5 (0.06)
G
C
13.00 - 13.02
(0.512 - 0.52)
敏。
25.0 (0.984)
20.2 (0.795)
T最大。
N不小于。
50 (1.969)
磁带尺寸
8mm
12mm
16mm
24mm
8.4 -9.9 (0.33 - 0.39)
12.4 -16.4 (0.49 - 0.569)
16.4 -18.4 (0.65 - 0.729 )
24.4 - 26.4 (0.96 – 1.039)
14.4 (0.567)
18.4 (0.724)
22.4 (0.882)
30.4 (1.197)
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再现的任何顺序或接触或任何目的或形式部分被视为与有关产品或服务的表示。
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第3期 - 2007年3月
捷特科PLC 2007
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恩智浦半导体
产品数据表
低漏电二极管
特点
塑料SMD封装
低漏电流：典型值。 3 pA的
转换时间：典型值。 0.8
s
连续反向电压：最大。 75 V
重复峰值反向电压：最大。 85 V
重复峰值正向电流：最大。 500毫安。
应用
低漏电流的表面安装应用程序
电路。
描述
外延，以低中速开关二极管
漏电流封装在小SOD323贴片
塑料封装。
订购信息
TYPE
数
BAS416
包
名字
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
标识代码：
D4.
标记栏显示的阴极。
手册， halfpage
BAS416
钉扎
针
1
2
描述
阴极
阳极
1
2
MAM406
Fig.1
简化外形（ SOD323 ） （ SC - 76）和
符号。
VERSION
SOD323
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
方波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;见图4
t = 1
s
T = 1毫秒
t=1s
P
合计
T
英镑
T
j
记
1.装置安装在一FR4印刷电路板。
总功耗
储存温度
结温
T
AMB
= 25
°C;
注1
65
4
1
0.5
250
+150
150
A
A
A
mW
°C
°C
见图2
条件
分钟。
马克斯。
85
75
200
500
V
V
mA
mA
单位
2004年1月26日
2
恩智浦半导体
产品数据表
低漏电二极管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
看科幻G.3
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
I
R
反向电流
见图5
V
R
= 75 V
V
R
= 75 V ;牛逼
j
= 150
°C
C
d
t
rr
二极管电容
反向恢复时间
V
R
= 0; F = 1兆赫;见图6
从我开机时，
F
= 10 mA至
I
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安;见图7
0.003
3
2
0.8
5
80
3
0.9
1
1.1
1.25
条件
典型值。
BAS416
马克斯。
V
V
V
V
单位
nA
nA
pF
s
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.参考SOD323 （ SC - 76 ）标准安装条件。
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
450
单位
K / W
2004年1月26日
3
恩智浦半导体
产品数据表
低漏电二极管
图形数据
MHC323
BAS416
手册， halfpage
300
手册， halfpage
300
MLB752 - 1
IF
（MA ）
IF
（MA ）
200
(1)
(2)
(3)
200
100
100
0
0
100
TAMB （ ° C）
200
0
0
0.4
0.8
1.2
V F （ V）
1.6
设备安装在一FR4印刷电路板。
(1) T
j
= 150
°C;
典型值。
(2) T
j
= 25
°C;
典型值。
(3) T
j
= 25
°C;
最大值。
Fig.2
允许的最大持续
正向电流为一个函数
环境温度。
Fig.3
正向电流为一个函数
正向电压。
10
2
手册，全页宽
IFSM
(A)
MBG704
10
1
10
1
1
基于方波电流。
T
j
= 25
°C
前激增。
10
10
2
10
3
TP （微秒）
10
4
图4最大允许非重复峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
2004年1月26日
4
QQ：2881677436 复制
