BL
特点
银河电子
SOD1E1---SOD1E8
反向电压： 50 - 600 V
CURRENT ： 1.0
SOD - 123FL
阴极带
顶视图
表面贴装整流器
◇
玻璃钝化装置
◇
非常适合表面安装应用程序
◇
低漏电流
◇
冶金结合建设
◇
高温焊接：
250 ℃ / 10秒码头
1.8 0.1
1.0 0.2
5°
2.8 0.1
0.05 0.30
0.98 0.1
机械数据
◇
案例： JEDEC SOD- 123FL ，在模压塑料
钝化芯片
◇
码头：焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
◇
极性：颜色频带端为负极
◇
重量：0.003盎司， 0.01克
◇
安装位置：任意
5
0.60 0.25
3.7 0.2
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，电阻或电感load.For容性负载，减免电流20 ％ 。
绝对额定值
超氧化物歧化酶
1E1
器件标识代码
超氧化物歧化酶
1E2
E2
100
70
100
E1
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
50
35
50
超氧化物歧化酶SOD超氧化物歧化酶SOD超氧化物歧化酶SOD
1E3 1E4 1E5 1E6 1E7 1E8
单位
E3
E4
E5
E6
E7
E8
150
105
150
200
140
200
1.0
300
210
300
400
280
400
500
350
500
600
420
600
V
V
V
A
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流
T
A
=65℃
峰值正向浪涌电流8.3ms单
半正弦波叠加
在额定负荷
T
L
=25℃
I
FSM
25
A
最大瞬时（注1 ）
在1.0A正向电压
反向电流最大DC @T
A
=25℃
在额定阻断电压DC @T
A
=125℃
最大反向恢复时间（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
V
F
I
R
t
rr
T
j
T
英镑
0.95
5.0
150
35
1.25
1.7
V
A
ns
℃
℃
- 55 --- + 150
- 55 --- + 150
注意： 1.Pulse测试： 300ms的脉冲宽度， 1 ％的占空比。
2.Measured与我
F
= 0.5A ，我
R
= 1A ，我
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
文档编号0280095
BL
银河电子
1.
SOD1E1-SOD1E8
表面贴装整流器
反向电压： 50 - 600 V
CURRENT ： 1.0
SOD - 123FL
特点
◇
◇
◇
◇
◇
玻璃钝化装置
非常适合表面安装应用程序
低漏电流
冶金结合建设
高温焊接：
250 ℃ / 10秒码头
1.9± 0.1
阴极带
顶视图
2.8
±
0.1
1.4± 0.15
0.10-0.30
0.6
±
0.25
3.7
±
0.2
机械数据
◇
◇
◇
◇
案例： JEDEC SOD- 123FL ，在模压塑料
钝化芯片
极性：颜色频带端为负极
重量：0.003盎司， 0.01克
安装位置：任意
单位：毫米
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，电阻或电感load.For容性负载，减免电流20 ％ 。
绝对额定值
超氧化物歧化酶
1E1
器件标识代码
超氧化物歧化酶
1E2
E2
100
70
100
E1
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
50
35
50
超氧化物歧化酶SOD超氧化物歧化酶SOD超氧化物歧化酶SOD
1E3 1E4 1E5 1E6 1E7 1E8
单位
E3
E4
E5
E6
E7
E8
150
105
150
200
140
200
1.0
300
210
300
400
280
400
500
350
500
600
420
600
V
V
V
A
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流
T
A
=65℃
峰值正向浪涌电流8.3ms单
半正弦波叠加
在额定负荷
T
L
=25℃
I
FSM
1.0
±
0.2
25
A
最大瞬时（注1 ）
在1.0A正向电压
反向电流最大DC @T
A
=25℃
在额定阻断电压DC @T
A
=125℃
最大反向恢复时间（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
V
F
I
R
t
rr
T
j
T
英镑
0.95
5.0
150
35
1.25
1.7
V
A
ns
℃
℃
- 55 --- + 150
- 55 --- + 150
注意： 1.Pulse测试： 300ms的脉冲宽度， 1 ％的占空比。
2.Measured与我
F
= 0.5A ，我
R
= 1A ，我
rr
=0.25A.
http://www.luguang.cn
邮箱： lge@luguang.cn
SOD1E1 THRU SOD1E8
表面贴装整流器
50V-600V
1.0A
特点
SOD-123FL
玻璃钝化装置
非常适合表面安装应用程序
低漏电流
冶金结合建设
高温焊接：
℃/10
在码头秒
机械数据
案例： JEDEC SOD- 123FL ，在模压塑料
钝化芯片
码头：焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：颜色频带端为负极
重量：0.003盎司， 0.01克
安装位置：任意
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，电阻或电感load.For容性负载，减免电流20 ％ 。
器件标识代码
超氧化物歧化酶
1E1
E1
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
50
35
50
超氧化物歧化酶
1E2
E2
100
70
100
超氧化物歧化酶SOD超氧化物歧化酶SOD超氧化物歧化酶SOD
1E3 1E4 1E5 1E6 1E7 1E8
单位
E3
E4
E5
E6
E7
E8
150
105
150
200
140
200
1.0
300
210
300
400
280
400
500
350
500
600
420
600
V
V
V
A
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流
T
A
=65℃
峰值正向浪涌电流8.3ms单
半正弦波叠加
在额定负荷
T
L
=25℃
I
FSM
25
A
最大瞬时（注1 ）
在1.0A正向电压
反向电流最大DC @T
A
=25℃
在额定阻断电压DC @T
A
=125℃
最大反向恢复时间（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
V
F
I
R
t
rr
T
j
T
英镑
0.95
5.0
150
35
1.25
1.7
V
A
ns
℃
℃
- 55 --- + 150
- 55 --- + 150
注意： 1.Pulse测试： 300ms的脉冲宽度， 1 ％的占空比。
2.Measured与我
F
= 0.5A ，我
R
= 1A ，我
rr
=0.25A.
电子信箱： sales@taychipst.com
1 2
网站： www.taychipst.com
SOD1E1 THRU SOD1E8
表面贴装整流器
50V-600V
1.0A
收视率和特性曲线
图。 1 - 典型正向电流
降额曲线
峰值正向浪涌电流（ A）
平均正向电流（ A）
SOD1E1 THRU SOD1E8
图。 2 - 最大非重复正向
浪涌电流
25
20
15
10
5
0
1
2
4
6 8 10
20
40
60 80 100
1.0
.8
.6
.4
.2
0
0
25
50
75
100 125 150 175
单相
半波60Hz的
电阻或
感性负载
8.3ms单半正弦波
（ JEDED方法）
环境温度（ ）
循环次数在60Hz
图。 3 - 典型瞬时
正向特性
图。 4 - 典型的反向特性
瞬时正向电流（ A）
100
瞬时反向电流， （ UA）
100
SO
D1
E1
- SO
D1
E4
10
SO
SO
D1
E5
D1
- SO
E7
- SO
D1
E6
D1
E8
10
TJ = 100
1
4
1
.4
TJ = 25
0.1
0.01
.4
Tj=25
o
C
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
.6
.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
.1
0
20
40
60
80
100
120
140
瞬时正向电压（V）的
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
电子信箱： sales@taychipst.com
2 2
网站： www.taychipst.com
SOD1E1 THRU SOD1E8
表面装载超快速整流器
反向电压 - 50至600伏
正向电流 - 1.0安培
SOD-123FL
阴极带
顶视图
特点
玻璃钝化装置
适用于地表mouted应用
低反向漏
冶金结合建设
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.375
”
设计（9.5mm ）引线长度，
5磅。 （ 2.3千克）张力
2.8
±
0.1
1.3± 0.15
0.10-0.30
0.6
±
0.25
１．０±
0.2
1.8± 0.1
机械数据
案例：
JEDEC SOD- 123FL模压塑料车身超过钝化芯片
终端：
镀轴向引线，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量： 0.0007
盎司， 0.02克
3.7
±
0.2
单位：毫米
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹，电阻或电感性负载，容性负载电流降额20％ 。
符号
SOD1E1 SOD1E2
SOD1E3
SOD1E4 SOD1E5
SOD1E6
SO1E8
MDD产品目录号
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压at1.0A
反向电流最大DC
T
A
=25 C
在额定阻断电压DC
T
A
=100 C
最大反向恢复时间（注1 ）
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
单位
伏
伏
伏
AMP
E1
E2
E3
E4
E5
E6
E8
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
1.0
300
210
300
400
280
400
600
420
600
I
FSM
V
F
I
R
TRR
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
英镑
0.95
25.0
1.25
5.0
100.0
35
10
85
-55到+150
1.7
安培
伏
A
ns
pF
K / W
C
注意：
1.Measured与IF = 0.5A ， IR = 1A ， IRR = 0.25A 。
2.Measured在1MHz和应用4.0V DC反向电压
3.PCB安装在0.2 * 0.2" （ 5.0 * 5.0毫米） coppeer焊盘面积。
MDD电子
额定值和特性曲线SOD1E1 THRU SOD1E8
图。 1正向电流降额曲线
图。 2 ，最大非重复峰值正向
浪涌电流
正向平均整流电流，
安培
峰值正向浪涌电流，
安培
1.0
30
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
25
0.8
20
0.6
15
0.4
单相
半波60Hz的
电阻或
感性负载
10
0.2
5.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
10
100
环境温度，C
循环次数在60赫兹
瞬时反向电流，
微安
图。 3 ，典型正向
特征
图。 4 ，典型的反向特性
1,000
正向
当前，安培
20
10
T
J
=25 C
脉冲宽度= 300
s
1 ％占空比
100
1
10
TJ = 100℃
1
0.1
SOD1E1-SOD1E4
SOD1E5-SOD1E6
SOD1E8
0.1
TJ = 25℃
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
1.8
0.01
0
20
40
60
80
100
正向电压，
伏
百分之峰值反向电压， ％
图。 5 ，典型结电容
瞬态热阻抗，
C / W
图。 6 ，典型的瞬态热阻抗
100
结电容， pF的
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压，伏
T，脉冲持续时间，秒。
MDD电子
QQ：2881677436 复制
