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半导体
SO3417 / SO3417 (B )
LED灯
特点
橙色透明镜片类型
φ3mm的(T - 1 )的所有
塑料模具类型
可在磁带和卷轴
外形尺寸
直筒型
3.0±
0.2
单位:
挡块型
3.0±
0.2
mm
5.3±
0.2
2.9±
0.2
5.3±
0.2
2.9±
0.2
5.2±
0.5
0.4
23.0MIN
0.4
23.0MIN
1.0MIN
2.54喃
2.54喃
1.0MIN
1 2
3.8±
0.2
3.6±
0.2
1 2
3.8±
0.2
3.6±
0.2
引脚连接
1.Anode
2.Cathode
KLO-3000-000
1
SO3417 / SO3417 (B )
绝对最大额定值
特征
功耗
正向电流
*
1
最大正向电流
反向电压
工作温度
储存温度
符号
P
D
I
F
I
FP
V
R
T
OPR
T
英镑
评级
85
30
50
4
-3585
-40100
单位
mW
mA
mA
V
260 ℃ ,持续5秒
*
2
焊接温度
T
SOL
* 1.Duty比= 1/10 ,脉冲宽度= 0.1毫秒
* 2 。保持距离超过2.0毫米从印刷电路板到LED封装件的底
电气特性
特征
正向电压
符号
V
F
I
V
测试条件
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
V
R
=4V
I
F
= 20mA下
分钟。典型值。马克斯。
-
27
-
-
-
-
2.0
64
615
35
-
±22
2.7
100
-
-
10
-
单位
V
MCD
nm
nm
uA
*3
发光强度
峰值波长
频谱带宽
反向电流
λ
P
Δ
λ
I
R
θ
1/2
*4
半角
* 3 。发光强度分类
* 3 。发光强度最大容差为每个等级划分界限是
±18%
I
27~43
J
43~68
K
68~100
*4.
θ
1/2
是离轴角,其中所述发光强度是
1/2
的峰强度
KLO-3000-000
2
SO3417 / SO3417 (B )
特性图
图。 1 I
F
- V
F
图。 2我
V
- I
F
电流I
F
[马]
正向电压V
F
[V]
发光强度I
v
[ MCD ]
前锋
前锋
电流I
F
[马]
图。 3我
F
- TA
图4频谱分布
电流I
F
[马]
前锋
环境温度TA [ ℃ ]
相对强度[%]
波长
λ
[牛顿米]
图。 5辐射图
相对发光强度㈣ [ % ]
KLO-3000-000
3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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