键入SNU
缓冲电容器
充油，金属外壳的缓冲应用
有了强大的网络流明/纸/铝箔延伸建设，
键入SNU电容具有低电感和高
峰值电流额定值，使它们非常适用于电源
缓冲的应用程序。类型SNU可以用于
降低整个半导体器件的电压瞬变
如可控硅。
亮点
高峰值电流额定值
薄膜/纸/铝箔延伸建设
内部保护（不UL认证）
铝箱（镀锡钢板可取代
铝）
特定网络阳离子
符合欧盟指令
2002/95 / EC的要求
限制使用铅（Pb）的，
汞（Hg ） ，镉（Cd ） ，
六价铬铬（Cr （ VI ） ） ，
多溴联苯（PBB ）
和多溴联苯
醚（ PBDE ） 。
电容范围：
电压范围：
电容Tolereance ：
温度范围：
耗散因数：
自感：
0.05 μF至2.0 μF
1000 V峰值， 2000 V峰值
±10%
-50 C至+70 C
0.3 ％最大
0.10 μHn最大
外形绘图
评级
当前
帽
(F)
0.10
0.25
0.50
1.00
2.00
0.05
0.10
0.25
0.50
1.00
目录
产品型号
SNU102K104R-F
SNU102K254R-F
SNU102K504R-F
SNU102K105R-F
SNU102K205R-F
SNU202K503R-F
SNU202K104R-F
SNU202K254R-F
SNU202K504R-F
SNU202K105R-F
案例高度（H ）
CODE
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
（英寸）
2.13
2.13
2.13
2.13
3.13
2.13
2.13
2.13
2.88
4.50
1000 V峰值
3
4
6
7
11
2
3
4
7
12
@ 55 C
（武器）
2000 V峰值
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