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初步
初步
SNA-686
产品说明
Sirenza的微器件? SNA - 686是GaAs HBT MMIC放大器
容纳在一个低成本,表面安装的塑料封装。
异质结增加了击穿电压和
最大程度地减少结之间的漏电流。消除
的发射结的非线性导致更高的抑制
的互调产物。
使用外部电阻器的允许偏差的灵活性和
稳定。这些无条件稳定放大器的设计
用作一般用途的50欧姆增益模块。
以芯片形式( SNA -600 ) ,它的体积小( 0.38毫米也可
X 0.38毫米)和镀金使其成为一个理想的选择
在混合电路中使用。
获得&回波损耗与频率的关系
16
(I
D
= 65毫安,T
领导
=+25°C)
0
DC - 6 GHz的,可级联
砷化镓HBT MMIC放大器
不建议用于新设计
请参阅应用笔记AN- 019的候补
12
增益(dB )
-6
回波损耗(分贝)
8
-12
产品特点
获得专利的GaAs HBT技术
可级联50欧姆增益模块
34 dBm的输出IP3 @ 850 MHz的
工作在单电源
低成本表面贴装塑料封装
应用
蜂窝, PCS , CDPD ,无线数据, SONET
单位
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
M赫兹
4
-18
0
0
1
2
3
4
频率(GHz )
5
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
6
7
-24
SY mbol
P
1dB
参数
输出电网在1dB压缩
频率
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
分钟。
15.7
TY页。
17.6
17.7
17.4
34.0
32.1
30.0
11.1
11.2
11.3
6000
1.3:1
1.4:1
16.3
16.5
16.6
7.3
马克斯。
IP
3
三阶截点
29.1
10.0
10.1
S
21
Bandw ID
VSWR
IN
VSWR
OUT
S
12
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
小信号增益
(由下定决心
11
, S
22
值)
输入VSWR
输出VSWR
反向隔离
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻(结 - 铅)
12.2
12.3
DC - 6000米赫兹
DC - 6000米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
1950年M赫兹
-
-
dB
dB
dB
dB
V
I
o
8.8
5.6
72
5.0
58
5.3
65
261
C / W
测试条件:
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 43欧姆
I
D
= 65毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时,每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的微器件
对使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格若有变更,恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何
Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2004 Sirenza的Microdevices公司,公司。保留所有权利世界范围内。
522 Almanor大道,桑尼维尔,CA 94085
电话: ( 800 ) SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 101398 C版本
初步
初步
SNA - 686 DC- 6GHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
频率(MHz)
SY mbol
参数
单位
100
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
输出电网在1dB压缩
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 8v
R
BIAS
= 43欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
11.1
11.1
35.0
17.5
11.1
34.0
17.6
22.3
15.3
16.3
7.3
11.2
32.1
17.7
19.6
17.8
16.5
7.3
11.3
30.0
17.4
18.4
19.6
16.6
11.3
29.5
16.0
16.2
25.2
15.9
16.2
7.2
17.9
22.2
17.0
测试条件:
I
D
= 65毫安典型。
T
L
= 25C
OIP3音频间隔为1 MHz时,每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
绝对最大R atings
操作,实际对THI第德维CE超越这些李密TS任何人可以
会造成永久性的损害。对别人一同孔蒂理性操作,实际,
在德维CE电压和电流不得超过马克西妈妈
吴操作,实际值特定网络编辑表中的一个页面上。
碧为C ondi TI组件也应该殉SFY在followi吴expressi :
I
D
V
D
< (T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
参数
马克斯。 EVI CE光凭目前 (我
D
)
马克斯。 EVI CE电压(V
D
)
马克斯。 RF输入功率
马克斯。 Juncti的温度。 (T
J
)
吴操作,实际温度。范围(T
L
)
马克斯。储存温度。
绝对限制
120毫安
7V
+16 dBm的
+175°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
注意:
而SNA - 686可以在不同的偏置电流下工作, 65毫安是推荐的偏见
更低的结温,寿命更长。这反映了我们已经发现典型的操作条件
要高IP3和平均无故障时间之间的最佳平衡。一般情况下,平均无故障时间提高到超过10万
当在65毫安偏置和操作高达85 ° C的环境温度小时。
结温与耗散功率
260
250
结温( ° C)
240
230
MTTF与耗散功率
1.E+08
1.E+07
平均无故障时间(小时)
85°C温度铅
220
210
200
190
180
170
160
0.3
0.35
0.4
0.45
耗散功率( W)
0.5
0.55
0.6
1.E+06
T
J
最大
1.E+05
85°C温度铅
1.E+04
1.E+03
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
耗散功率( W)
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电话: ( 800 ) SMI- MMIC
2
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初步
初步
SNA - 686 DC- 6GHz的级联MMIC放大器
典型的射频性能(V
DS
= 5.3V ,我
DS
= 65毫安,T
领导
=25° C)
获得&隔离与频率的关系
16
收益
隔离
0
0
-5
回波损耗(分贝)
回波损耗与频率的关系
12
增益(dB )
-5
隔离度(dB )
-10
-15
-20
输入回波损耗
-25
输出回波损耗
8
-10
GHz的
4
-15
0
0
1
2
3
4
5
6
7
频率(GHz )
-20
-30
0
1
2
3
4
5
6
7
频率(GHz )
输出IP3与频率的关系
39
36
33
30
27
24
21
0.5
1.0
1.5
2.0
频率(GHz )
2.5
3.0
3.5
21
18
15
12
9
6
3
0.5
1.0
的P1dB与频率的关系
P1dB的( DBM)
OIP3 ( dBm的)
1.5
2.0
频率(MHz)
2.5
3.0
3.5
噪声系数与频率的关系
8.0
7.5
7.0
NF( dB)的
6.5
6.0
5.5
5.0
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
频率(GHz )
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电话: ( 800 ) SMI- MMIC
3
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初步
初步
SNA - 686 DC- 6GHz的级联MMIC放大器
应用电路元件值
典型应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
参考
代号
频率(MHz)
500
850
1950
2400
3500
C
B
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
C
D
L
C
C
D
L
C
在RF
C
B
1
4
SNA-686
3
C
B
推荐偏置电阻值我
D
=65mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
RF OUT
2
电源电压(V
S
)
R
BIAS
8V
43
9V
56
12 V
100
15 V
150
注释:R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
V
S
R
BIAS
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷,如图所示。
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
L
C
S6
C
D
C
B
C
B
针#
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。为了达到最佳的RF
性能,通路孔尽量接近用
接地引线尽可能减少铅
电感。
一部分标识标记
该部分将标有S6 ?? ??标志上的
包装的顶表面上。
3
1
2, 4
GND
4
S6
1
2
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上,因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
注意: ESD敏感
产品型号订购信息
产品型号
SNA-686
带尺寸
7"
设备/卷
1000
在搬运,包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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初步
初步
SNA - 686 DC- 6GHz的级联MMIC放大器
尺寸以英寸[毫米]
PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
参见图纸张贴在
www.sirenza.com
对于公差。
标称封装尺寸
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电话: ( 800 ) SMI- MMIC
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初步
初步
SNA-686
产品说明
Sirenza的微器件? SNA - 686是GaAs HBT MMIC放大器
容纳在一个低成本,表面安装的塑料封装。
异质结增加了击穿电压和
最大程度地减少结之间的漏电流。消除
的发射结的非线性导致更高的抑制
的互调产物。
使用外部电阻器的允许偏差的灵活性和
稳定。这些无条件稳定放大器的设计
用作一般用途的50欧姆增益模块。
以芯片形式( SNA -600 ) ,它的体积小( 0.38毫米也可
X 0.38毫米)和镀金使其成为一个理想的选择
在混合电路中使用。
获得&回波损耗与频率的关系
16
(I
D
= 65毫安,T
领导
=+25°C)
0
DC - 6 GHz的,可级联
砷化镓HBT MMIC放大器
不建议用于新设计
请参阅应用笔记AN- 019的候补
12
增益(dB )
-6
回波损耗(分贝)
8
-12
产品特点
获得专利的GaAs HBT技术
可级联50欧姆增益模块
34 dBm的输出IP3 @ 850 MHz的
工作在单电源
低成本表面贴装塑料封装
应用
蜂窝, PCS , CDPD ,无线数据, SONET
单位
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
M赫兹
4
-18
0
0
1
2
3
4
频率(GHz )
5
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
6
7
-24
SY mbol
P
1dB
参数
输出电网在1dB压缩
频率
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
分钟。
15.7
TY页。
17.6
17.7
17.4
34.0
32.1
30.0
11.1
11.2
11.3
6000
1.3:1
1.4:1
16.3
16.5
16.6
7.3
马克斯。
IP
3
三阶截点
29.1
10.0
10.1
S
21
Bandw ID
VSWR
IN
VSWR
OUT
S
12
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
小信号增益
(由下定决心
11
, S
22
值)
输入VSWR
输出VSWR
反向隔离
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻(结 - 铅)
12.2
12.3
DC - 6000米赫兹
DC - 6000米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
1950年M赫兹
-
-
dB
dB
dB
dB
V
I
o
8.8
5.6
72
5.0
58
5.3
65
261
C / W
测试条件:
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 43欧姆
I
D
= 65毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时,每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的微器件
对使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格若有变更,恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何
Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2004 Sirenza的Microdevices公司,公司。保留所有权利世界范围内。
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电话: ( 800 ) SMI- MMIC
1
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初步
初步
SNA - 686 DC- 6GHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
频率(MHz)
SY mbol
参数
单位
100
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
输出电网在1dB压缩
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 8v
R
BIAS
= 43欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
11.1
11.1
35.0
17.5
11.1
34.0
17.6
22.3
15.3
16.3
7.3
11.2
32.1
17.7
19.6
17.8
16.5
7.3
11.3
30.0
17.4
18.4
19.6
16.6
11.3
29.5
16.0
16.2
25.2
15.9
16.2
7.2
17.9
22.2
17.0
测试条件:
I
D
= 65毫安典型。
T
L
= 25C
OIP3音频间隔为1 MHz时,每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
绝对最大R atings
操作,实际对THI第德维CE超越这些李密TS任何人可以
会造成永久性的损害。对别人一同孔蒂理性操作,实际,
在德维CE电压和电流不得超过马克西妈妈
吴操作,实际值特定网络编辑表中的一个页面上。
碧为C ondi TI组件也应该殉SFY在followi吴expressi :
I
D
V
D
< (T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
参数
马克斯。 EVI CE光凭目前 (我
D
)
马克斯。 EVI CE电压(V
D
)
马克斯。 RF输入功率
马克斯。 Juncti的温度。 (T
J
)
吴操作,实际温度。范围(T
L
)
马克斯。储存温度。
绝对限制
120毫安
7V
+16 dBm的
+175°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
注意:
而SNA - 686可以在不同的偏置电流下工作, 65毫安是推荐的偏见
更低的结温,寿命更长。这反映了我们已经发现典型的操作条件
要高IP3和平均无故障时间之间的最佳平衡。一般情况下,平均无故障时间提高到超过10万
当在65毫安偏置和操作高达85 ° C的环境温度小时。
结温与耗散功率
260
250
结温( ° C)
240
230
MTTF与耗散功率
1.E+08
1.E+07
平均无故障时间(小时)
85°C温度铅
220
210
200
190
180
170
160
0.3
0.35
0.4
0.45
耗散功率( W)
0.5
0.55
0.6
1.E+06
T
J
最大
1.E+05
85°C温度铅
1.E+04
1.E+03
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
耗散功率( W)
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电话: ( 800 ) SMI- MMIC
2
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初步
初步
SNA - 686 DC- 6GHz的级联MMIC放大器
典型的射频性能(V
DS
= 5.3V ,我
DS
= 65毫安,T
领导
=25° C)
获得&隔离与频率的关系
16
收益
隔离
0
0
-5
回波损耗(分贝)
回波损耗与频率的关系
12
增益(dB )
-5
隔离度(dB )
-10
-15
-20
输入回波损耗
-25
输出回波损耗
8
-10
GHz的
4
-15
0
0
1
2
3
4
5
6
7
频率(GHz )
-20
-30
0
1
2
3
4
5
6
7
频率(GHz )
输出IP3与频率的关系
39
36
33
30
27
24
21
0.5
1.0
1.5
2.0
频率(GHz )
2.5
3.0
3.5
21
18
15
12
9
6
3
0.5
1.0
的P1dB与频率的关系
P1dB的( DBM)
OIP3 ( dBm的)
1.5
2.0
频率(MHz)
2.5
3.0
3.5
噪声系数与频率的关系
8.0
7.5
7.0
NF( dB)的
6.5
6.0
5.5
5.0
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
频率(GHz )
522 Almanor大道,桑尼维尔,CA 94085
电话: ( 800 ) SMI- MMIC
3
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EDS - 101398 C版本
初步
初步
SNA - 686 DC- 6GHz的级联MMIC放大器
应用电路元件值
典型应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
参考
代号
频率(MHz)
500
850
1950
2400
3500
C
B
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
C
D
L
C
C
D
L
C
在RF
C
B
1
4
SNA-686
3
C
B
推荐偏置电阻值我
D
=65mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
RF OUT
2
电源电压(V
S
)
R
BIAS
8V
43
9V
56
12 V
100
15 V
150
注释:R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
V
S
R
BIAS
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷,如图所示。
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
L
C
S6
C
D
C
B
C
B
针#
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。为了达到最佳的RF
性能,通路孔尽量接近用
接地引线尽可能减少铅
电感。
一部分标识标记
该部分将标有S6 ?? ??标志上的
包装的顶表面上。
3
1
2, 4
GND
4
S6
1
2
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上,因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
注意: ESD敏感
产品型号订购信息
产品型号
SNA-686
带尺寸
7"
设备/卷
1000
在搬运,包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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电话: ( 800 ) SMI- MMIC
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EDS - 101398 C版本
初步
初步
SNA - 686 DC- 6GHz的级联MMIC放大器
尺寸以英寸[毫米]
PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
参见图纸张贴在
www.sirenza.com
对于公差。
标称封装尺寸
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