产品说明
斯坦福Microdevices的SNA - 676是一款高性能
砷化镓异质结双极晶体管（ MMIC ），装在一个
低成本表面安装带状线包。达林顿
配置被用于宽带性能6.5
千兆赫。
这些无条件稳定放大器提供增益11分贝
并且当在5.7V和70毫安施力的P1dB为+ 18dBm的。这
MMIC只需要一个suply电压。利用一个
外部电阻允许偏差的灵活性和稳定性。
以芯片形式（ SNA -600 ） ，它的体积小（0.4mm间距也可
X 0.4mm间距）和镀金使其成为一个理想的选择
在混合电路中使用。
在SNA - 676在磁带和卷轴可在1000 ， 3000和
每卷5000设备。
SNA-676
DC - 6.5 GHz的，可级联
砷化镓MMIC放大器
输出功率与频率的关系
22
20
18
产品特点
可级联50欧姆增益模块
11分贝增益， + 18dBm的P1dB的
高线性度， + 36dBm的TOIP典型。
1.5 ：1的输入和输出VSWR
采用单直流电源供电
低成本带状线贴装陶瓷封装
50欧姆增益模块
应用
窄宽带线性放大器
商业和工业应用
DBM
16
14
12
0.1
1
2
3
4
5
6
7
8
GHz的
在大电气规格= 25℃
SYM BOL
P一R A M E TE R 5 ：率T e S T C 0 N D ITIO N s个：
ID = 7 0米A，Z
0
= 5 0 O ^ h米每秒
S M一出来： IG N A L G一中
三维B B A N D瓦特ID日
ü TP UT P owerat 1天BC OMP重新SS IO
F = 0 .1 -2 0.0摹
F = 2 0.0 -6 0.5摹
F = 0 .1 -4 0.0摹
F = 4 0.0 -6 0.5摹
F = 0 .1 -6 0.5摹
F = 0 .1 -2 0.0摹
F = 2 0.0摹
F = 0 .1 -6 0.5摹
DBM
皮秒
dB
V
D B / D E克碳
M·V / D E克碳
4 .8
F = 0 .1 -4 0.0摹
F = 4 0.0 -6 0.5摹
加利其
dB
dB
GHz的
DBM
M IN 。
9 .0
8 .0
TY页。
11 .0
9 .0
6 .5
1 8 .0
1 6 .0
7 .5
8 .5
1 .5 :1
3 6 .0
120
1 7 .0
5 .7
-0 .0 0 2 3
-5 .0
6 .8
M AX 。
G
P
BW 3分贝
P
1dB
NF
VSW
IP
T
3
N}÷为e F IG ü
在P ü吨/ O ü TP ü吨
牛逼H I R D所 D E R I N t个在T E R C ê P吨P 2 O
摹R 0 ü P D E LA
; V。E R 5 ê是O LA TIO N
D E V IC è V LTA克é
D E V I权证
G A I N
率T e米P·E·R的T ü 式C产地证电子FF I C即N t个
evice V oltage牛逼emperature OE FF icient
dB
D
为O升
VD
G / D牛逼
D V / D牛逼
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.stanfordmicro.com
5-89
SNA - 676 DC- 6.5 GHz的MMIC级联放大器
25典型性能
°
C（ VDS = 5.7V ， IDS = 70毫安）
| S11 |与频率的关系
-5
-10
-15
12
10
| S21 |与频率的关系
dB
-20
-25
-30
0.1
1
2
3
4
5
6
7
8
dB
8
6
4
0.1
1
2
3
4
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6
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GHz的
GHz的
| S12 |与频率的关系
0
-5
-10
-5
-10
-15
| S22 |与频率的关系
dB
-15
-20
-25
0.1
1
2
3
4
5
6
7
8
dB
-20
-25
-30
0.1
1
2
3
4
5
6
7
8
GHz的
GHz的
50欧姆增益模块
噪声系数与频率的关系
10
9
8
38
36
34
TOIP与频率的关系
dB
dB
7
6
5
0.1
1
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6.5
32
30
28
0.1
1
2
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5
6
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GHz的
GHz的
典型的S参数VDS = 5.7V ，IDS = 70毫安
F REQ
摹
|S 1 1 |
S 11
A N克
|S 2 1 |
S 2 1
A N克
|S 1 2 |
S 1 2
A N克
|S 2 2 |
S 2 2
A N克
.1 0 0
.2 5 0
.5 0 0
1 .0 0
1 .5 0
2 .0 0
2 .5 0
3 .0 0
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4 .5 0
5 .0 0
5 .5 0
6 .0 0
6 .5 0
0 .1 5 2
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0 .1 3 1
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0 .0 8 5
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0 .0 7 7
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-1 4
-2 5
-4 2
-8 3
-1 3 0
178
109
52
0
-4 4
-9 0
-1 4 2
169
62
-5 7
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3 .6 0 2
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3 .4 0 1
3 .2 9 0
3 .2 8 0
3 .1 0 4
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2 .6 5 8
2 .3 5 9
152
145
140
102
59
21
-2 2
-6 4
-1 0 6
-1 4 4
175
128
87
47
1
0 .0 9 5
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0 .1 4 8
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0 .1 2 4
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-4
-1 0
-3 0
-5 9
-9 0
-1 2 0
-1 5 2
180
147
11 8
88
60
29
0
-3 5
0 .1 9 8
0 .2 0 5
0 .2 4 7
0 .2 2 2
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-4
-2 6
-5 6
-11 2
-1 7 9
120
54
1
-6 0
-11 7
177
11 7
51
-1 0
-7 6
（ S参数包括两个1.0密耳直径的键合线的影响，每20密耳长，连接到栅和漏焊盘上模）
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.stanfordmicro.com
5-90
SNA - 676 DC- 6.5 GHz的MMIC级联放大器
绝对最大额定值
P A R时é德
A B S 0路TE
米XIM ü米
产品型号订购信息
产品型号
设备每卷
带尺寸
SNA-676-TR1
D E VIC ê铜rren吨
宝宽E R d为抿了TIO N
的R F浦吨P流é
菊多人回放TEM P时代重新恩
P·E ratin克テ米P·Eラ恩重
申通快递RA克èテ米P·EラTURE
11 0米一
... 00男女
2 00米W
+2 0 0 C
-4 5℃至8 5C
5 -6 ℃ 1 50℃
SNA-676-TR2
SNA-676-TR3
1000
3000
5000
7"
13"
13"
ecommended B IA S R ES是与r弗吉尼亚州鲁ES
注意事项：
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
供应
电压（Vs）
R偏压（O HM S）
5V
*
7.5V
24
9V
46
12V
89
15V
131
20V
203
**不推荐
平均无故障时间与温度的关系@ n = 70毫安
焊接温度
连接点
温度
+155C
平均无故障时间（小时）
+55C
1000000
+90C
+190C
100000
+120C
+220C
10000
50欧姆增益模块
热电阻（无铅路口） ： 250 ° C / W
典型的偏置CON组fi guration
引脚名称
1
2
3
4
在RF
GND
RF OUT
和偏置
GND
25典型性能
°
C
功率增益与器件电流
20毫安步骤
12.0
11.5
11.0
10.5
10.0
9.5
9.0
8.5
8.0
0.1
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
5.5
5
50
55
60
65
70
75
80
80mA
器件电压与标识
7
6.5
dB
40mA
VDC
6
GHz的
mA
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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5-91
产品说明
斯坦福Microdevices的SNA - 676是一款高性能
砷化镓异质结双极晶体管（ MMIC ），装在一个
低成本表面安装带状线包。达林顿
配置被用于宽带性能6.5
千兆赫。
这些无条件稳定放大器提供增益11分贝
并且当在5.7V和70毫安施力的P1dB为+ 18dBm的。这
MMIC只需要一个suply电压。利用一个
外部电阻允许偏差的灵活性和稳定性。
以芯片形式（ SNA -600 ） ，它的体积小（0.4mm间距也可
X 0.4mm间距）和镀金使其成为一个理想的选择
在混合电路中使用。
在SNA - 676在磁带和卷轴可在1000 ， 3000和
每卷5000设备。
SNA-676
DC - 6.5 GHz的，可级联
砷化镓MMIC放大器
输出功率与频率的关系
22
20
18
产品特点
可级联50欧姆增益模块
11分贝增益， + 18dBm的P1dB的
高线性度， + 36dBm的TOIP典型。
1.5 ：1的输入和输出VSWR
采用单直流电源供电
低成本带状线贴装陶瓷封装
50欧姆增益模块
应用
窄宽带线性放大器
商业和工业应用
DBM
16
14
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0.1
1
2
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4
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GHz的
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F = 2 0.0 -6 0.5摹
F = 0 .1 -4 0.0摹
F = 4 0.0 -6 0.5摹
F = 0 .1 -6 0.5摹
F = 0 .1 -2 0.0摹
F = 2 0.0摹
F = 0 .1 -6 0.5摹
DBM
皮秒
dB
V
D B / D E克碳
M·V / D E克碳
4 .8
F = 0 .1 -4 0.0摹
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加利其
dB
dB
GHz的
DBM
M IN 。
9 .0
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TY页。
11 .0
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7 .5
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M AX 。
G
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P
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T
3
N}÷为e F IG ü
在P ü吨/ O ü TP ü吨
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; V。E R 5 ê是O LA TIO N
D E V IC è V LTA克é
D E V I权证
G A I N
率T e米P·E·R的T ü 式C产地证电子FF I C即N t个
evice V oltage牛逼emperature OE FF icient
dB
D
为O升
VD
G / D牛逼
D V / D牛逼
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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5-89
SNA - 676 DC- 6.5 GHz的MMIC级联放大器
25典型性能
°
C（ VDS = 5.7V ， IDS = 70毫安）
| S11 |与频率的关系
-5
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-15
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| S21 |与频率的关系
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1
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GHz的
GHz的
50欧姆增益模块
噪声系数与频率的关系
10
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TOIP与频率的关系
dB
dB
7
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0.1
1
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GHz的
GHz的
典型的S参数VDS = 5.7V ，IDS = 70毫安
F REQ
摹
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-1 4
-2 5
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-2 2
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0 .1 2 4
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51
-1 0
-7 6
（ S参数包括两个1.0密耳直径的键合线的影响，每20密耳长，连接到栅和漏焊盘上模）
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SNA - 676 DC- 6.5 GHz的MMIC级联放大器
绝对最大额定值
P A R时é德
A B S 0路TE
米XIM ü米
产品型号订购信息
产品型号
设备每卷
带尺寸
SNA-676-TR1
D E VIC ê铜rren吨
宝宽E R d为抿了TIO N
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菊多人回放TEM P时代重新恩
P·E ratin克テ米P·Eラ恩重
申通快递RA克èテ米P·EラTURE
11 0米一
... 00男女
2 00米W
+2 0 0 C
-4 5℃至8 5C
5 -6 ℃ 1 50℃
SNA-676-TR2
SNA-676-TR3
1000
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5000
7"
13"
13"
ecommended B IA S R ES是与r弗吉尼亚州鲁ES
注意事项：
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
供应
电压（Vs）
R偏压（O HM S）
5V
*
7.5V
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131
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203
**不推荐
平均无故障时间与温度的关系@ n = 70毫安
焊接温度
连接点
温度
+155C
平均无故障时间（小时）
+55C
1000000
+90C
+190C
100000
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10000
50欧姆增益模块
热电阻（无铅路口） ： 250 ° C / W
典型的偏置CON组fi guration
引脚名称
1
2
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在RF
GND
RF OUT
和偏置
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°
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20毫安步骤
12.0
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器件电压与标识
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522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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5-91
QQ：2881677436 复制
