产品说明
斯坦福Microdevices的SNA - 586是一款高性能镓
砷化镓异质结双极晶体管MMIC放大器。一
达林顿结构被用于宽带性能
高达5千兆赫。异质结增加了击穿电压
并最小化结之间的漏电流。消除
的发射结的非线性导致更高的抑制
互调产物。典型的IP3为850 MHz的65毫安是
32.5 dBm的。
这些无条件稳定放大器提供的增益为18 dB和
18.4 dBm的为1dB压缩功率，只需要一个单一的
正电压电源。只有2个隔直电容，偏压
电阻器和一个可选的电感器所需的操作。这
MMIC是无线应用，比如一个理想的选择
蜂窝，PCS ，CDPD无线数据和SONET 。
25
20
SNA-586
初步
初步
DC - 5GHz的，可级联
砷化镓HBT MMIC放大器
NGA - 586推荐用于新设计
小信号增益与频率的关系@我
D
=65mA
dB
15
10
5
0
2
产品特点
高输出IP3 ： 32.5 dBm的@ 850 MHz的
可级联50欧姆增益模块
获得专利的GaAs HBT技术
工作在单电源
8
GHz的频率
4
6
应用
蜂窝， PCS ， CDPD ，无线数据， SONET
单位
分钟。
典型值。
17.6
18.4
18.4
32.5
31.6
31.6
17.6
19.6
18.1
17.4
5000
1.4:1
1.4:1
22.3
21.6
21.3
4.0
4.4
4.9
254
5.4
马克斯。
电气规格
符号
参数：测试条件：
GHz的
Z
0
= 50欧姆，我
D
= 65毫安，T = 25°C
在1dB压缩输出功率
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
P
1dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
兆赫
IP
3
三阶截点
电源出每个音调= 0 dBm的
S
21
带宽
S
11
S
22
S
12
NF
V
D
第r ，J -升
小信号增益
（由下定决心
11
, S
22
值）
输入VSWR
输出VSWR
反向隔离
噪声系数，Z
S
= 50欧姆
器件电压
热阻（结 - 铅）
F = DC -5000 MHz的
F = DC -5000 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
F = 1950 MHz的
-
-
dB
dB
dB
dB
V
o
C / W
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有2000斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.stanfordmicro.com
EDS- 101397版本A
初步
初步
SNA - 586 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
绝对最大额定值
此装置的这些参数中的任何一个以上的动作
可能会造成永久性的损害。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
（最大） < （T
J
- T
OP
） / Rth的J-升
参数
电源电流
工作温度
最大输入电网
存储温度范围
工作结温
价值
110
-40至+85
16
-40到+150
+175
单位
mA
C
DBM
C
C
典型
参数
500兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
850兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
1950年兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
2400兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
25°C
19.8
3.9
31.8
17.4
14.1
22.5
19.6
4.0
32.5
17.6
15.6
22.3
18.1
4.0
31.6
18.4
16.6
21.6
17.4
31.6
18.4
16.8
21.3
单位
测试条件
(I
D
= 65毫安，除非另有说明）
dB
分贝
S
= 50欧姆
dBm的音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
DBM
dB
dB
dB
分贝
S
= 50欧姆
dBm的音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
DBM
dB
dB
dB
分贝
S
= 50欧姆
dBm的音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
DBM
dB
dB
dB
dBm的音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
DBM
dB
dB
*注意：
而SNA -586可以在不同的偏置电流下工作，有65毫安时建议
谁料偏向更低的结温，寿命更长。这反映了典型的工作条件
我们已经发现，系统蒸发散是高IP3和平均无故障时间之间的最佳平衡。在一般情况下，平均无故障时间
当在65毫安偏置和操作高达85 ° C的环境温度提高到10万小时以上
温度。
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2
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初步
初步
SNA - 586 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
200
结温（ ° C）
结温与耗散功率
1.E+08
1.E+07
平均无故障时间（小时）
MTTF与耗散功率
85℃的铅温度
180
1.E+06
1.E+05
160
85℃的铅温度
140
0.25
PDISS （W）的
输出IP3与我
D
与频率的关系
65米一
80米一
1.E+04
0.35
0.45
0.25
0.35
PDISS （W）的
输出P1dB为与我
D
与频率的关系
65米一
80米一
0.45
40
21
19
35
DBM
30
DBM
17
15
13
0.5
1.5
25
GHz的
2.5
3.5
0.5
1.5
GHz的
2.5
3.5
4.5
4.25
dB
4
65米一
80米一
NF与我
D
与频率的关系
20
19
dB
小信号增益与我
D
与频率的关系
65mA
80mA
18
17
3.75
3.5
0.5
1
GHz的
16
15
1.5
2
0.5
1.5
GHz的
2.5
3.5
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3
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初步
初步
SNA - 586 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
针＃
1
2
3
功能
在RF
GND
RF OUT / VCC
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用外部隔直流电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔使用以获得最佳性能，以减少铅
电感。放置过孔接近地面会导致越好。
RF输出和偏置引脚。偏差应通过外部提供给该引脚
串联电阻器和射频扼流电感器。由于直流偏压的存在于本
销，一隔直流电容应在大多数的应用中使用（参见
应用原理图） 。偏置网络的供应方应该很清楚
绕过。
相同引脚2 。
4
GND
应用原理图运行在850 MHz的
推荐偏置电阻值
电源电压（ Vs）的
Rbias两端（欧姆）
@ 65毫安
Rbias两端（欧姆）
@ 80毫安
8V
47
39
9V
62
51
12V
110
91
15V
160
130
1uF
68pF
RBIAS
V
S
33nH
50 OHM
微带
2
1
3
100pF
4
100pF
50 OHM
微带
应用原理图运行在1950 MHz的
1uF
22pF
RBIAS
V
S
22nH
50 OHM
微带
2
1
3
68pF
4
68pF
50 OHM
微带
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4
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初步
初步
SNA - 586 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
25
20
-15
S21 ，我
D
= 65毫安，T = 25
°
C
-10
S12 ，我
D
= 65毫安，T = 25
°
C
dB
15
10
5
0
2
4
6
8
dB
-20
-25
GHz的频率
0
2
4
6
8
GHz的频率
0
-5
S11 ，我
D
= 65毫安，T = 25
°
C
0
-5
S22 ，我
D
= 65毫安，T = 25
°
C
dB
-10
-15
-20
-25
0
2
dB
-10
-15
-20
-25
GHz的频率
4
6
8
0
2
4
6
8
GHz的频率
S11 ，我
D
= 65毫安， TA = 25
°
C
频率。敏= 0.05 GHz的
频率。 MAX = 10 GHz的
S22 ，我
D
= 65毫安， TA = 25
°
C
频率。敏= 0.05 GHz的
频率。 MAX = 10 GHz的
F = 10 GHz的
F = 10 GHz的
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
5
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产品说明
斯坦福Microdevices的SNA - 586是一款高性能镓
砷化镓异质结双极晶体管MMIC放大器。一
达林顿结构被用于宽带性能
高达5千兆赫。异质结增加了击穿电压
并最小化结之间的漏电流。消除
的发射结的非线性导致更高的抑制
互调产物。典型的IP3为850 MHz的65毫安是
32.5 dBm的。
这些无条件稳定放大器提供的增益为18 dB和
18.4 dBm的为1dB压缩功率，只需要一个单一的
正电压电源。只有2个隔直电容，偏压
电阻器和一个可选的电感器所需的操作。这
MMIC是无线应用，比如一个理想的选择
蜂窝，PCS ，CDPD无线数据和SONET 。
25
20
SNA-586
初步
初步
DC - 5GHz的，可级联
砷化镓HBT MMIC放大器
NGA - 586推荐用于新设计
小信号增益与频率的关系@我
D
=65mA
dB
15
10
5
0
2
产品特点
高输出IP3 ： 32.5 dBm的@ 850 MHz的
可级联50欧姆增益模块
获得专利的GaAs HBT技术
工作在单电源
8
GHz的频率
4
6
应用
蜂窝， PCS ， CDPD ，无线数据， SONET
单位
分钟。
典型值。
17.6
18.4
18.4
32.5
31.6
31.6
17.6
19.6
18.1
17.4
5000
1.4:1
1.4:1
22.3
21.6
21.3
4.0
4.4
4.9
254
5.4
马克斯。
电气规格
符号
参数：测试条件：
GHz的
Z
0
= 50欧姆，我
D
= 65毫安，T = 25°C
在1dB压缩输出功率
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
P
1dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
兆赫
IP
3
三阶截点
电源出每个音调= 0 dBm的
S
21
带宽
S
11
S
22
S
12
NF
V
D
第r ，J -升
小信号增益
（由下定决心
11
, S
22
值）
输入VSWR
输出VSWR
反向隔离
噪声系数，Z
S
= 50欧姆
器件电压
热阻（结 - 铅）
F = DC -5000 MHz的
F = DC -5000 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
F = 1950 MHz的
-
-
dB
dB
dB
dB
V
o
C / W
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有2000斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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初步
初步
SNA - 586 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
绝对最大额定值
此装置的这些参数中的任何一个以上的动作
可能会造成永久性的损害。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
（最大） < （T
J
- T
OP
） / Rth的J-升
参数
电源电流
工作温度
最大输入电网
存储温度范围
工作结温
价值
110
-40至+85
16
-40到+150
+175
单位
mA
C
DBM
C
C
典型
参数
500兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
850兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
1950年兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
2400兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
25°C
19.8
3.9
31.8
17.4
14.1
22.5
19.6
4.0
32.5
17.6
15.6
22.3
18.1
4.0
31.6
18.4
16.6
21.6
17.4
31.6
18.4
16.8
21.3
单位
测试条件
(I
D
= 65毫安，除非另有说明）
dB
分贝
S
= 50欧姆
dBm的音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
DBM
dB
dB
dB
分贝
S
= 50欧姆
dBm的音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
DBM
dB
dB
dB
分贝
S
= 50欧姆
dBm的音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
DBM
dB
dB
dB
dBm的音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
DBM
dB
dB
*注意：
而SNA -586可以在不同的偏置电流下工作，有65毫安时建议
谁料偏向更低的结温，寿命更长。这反映了典型的工作条件
我们已经发现，系统蒸发散是高IP3和平均无故障时间之间的最佳平衡。在一般情况下，平均无故障时间
当在65毫安偏置和操作高达85 ° C的环境温度提高到10万小时以上
温度。
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初步
SNA - 586 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
200
结温（ ° C）
结温与耗散功率
1.E+08
1.E+07
平均无故障时间（小时）
MTTF与耗散功率
85℃的铅温度
180
1.E+06
1.E+05
160
85℃的铅温度
140
0.25
PDISS （W）的
输出IP3与我
D
与频率的关系
65米一
80米一
1.E+04
0.35
0.45
0.25
0.35
PDISS （W）的
输出P1dB为与我
D
与频率的关系
65米一
80米一
0.45
40
21
19
35
DBM
30
DBM
17
15
13
0.5
1.5
25
GHz的
2.5
3.5
0.5
1.5
GHz的
2.5
3.5
4.5
4.25
dB
4
65米一
80米一
NF与我
D
与频率的关系
20
19
dB
小信号增益与我
D
与频率的关系
65mA
80mA
18
17
3.75
3.5
0.5
1
GHz的
16
15
1.5
2
0.5
1.5
GHz的
2.5
3.5
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初步
初步
SNA - 586 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
针＃
1
2
3
功能
在RF
GND
RF OUT / VCC
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用外部隔直流电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔使用以获得最佳性能，以减少铅
电感。放置过孔接近地面会导致越好。
RF输出和偏置引脚。偏差应通过外部提供给该引脚
串联电阻器和射频扼流电感器。由于直流偏压的存在于本
销，一隔直流电容应在大多数的应用中使用（参见
应用原理图） 。偏置网络的供应方应该很清楚
绕过。
相同引脚2 。
4
GND
应用原理图运行在850 MHz的
推荐偏置电阻值
电源电压（ Vs）的
Rbias两端（欧姆）
@ 65毫安
Rbias两端（欧姆）
@ 80毫安
8V
47
39
9V
62
51
12V
110
91
15V
160
130
1uF
68pF
RBIAS
V
S
33nH
50 OHM
微带
2
1
3
100pF
4
100pF
50 OHM
微带
应用原理图运行在1950 MHz的
1uF
22pF
RBIAS
V
S
22nH
50 OHM
微带
2
1
3
68pF
4
68pF
50 OHM
微带
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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初步
初步
SNA - 586 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
25
20
-15
S21 ，我
D
= 65毫安，T = 25
°
C
-10
S12 ，我
D
= 65毫安，T = 25
°
C
dB
15
10
5
0
2
4
6
8
dB
-20
-25
GHz的频率
0
2
4
6
8
GHz的频率
0
-5
S11 ，我
D
= 65毫安，T = 25
°
C
0
-5
S22 ，我
D
= 65毫安，T = 25
°
C
dB
-10
-15
-20
-25
0
2
dB
-10
-15
-20
-25
GHz的频率
4
6
8
0
2
4
6
8
GHz的频率
S11 ，我
D
= 65毫安， TA = 25
°
C
频率。敏= 0.05 GHz的
频率。 MAX = 10 GHz的
S22 ，我
D
= 65毫安， TA = 25
°
C
频率。敏= 0.05 GHz的
频率。 MAX = 10 GHz的
F = 10 GHz的
F = 10 GHz的
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
5
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QQ：2881677436 复制
