产品说明
斯坦福Microdevices的SNA -276是GaAs单片
宽带放大器（ MMIC）容纳在一个低成本的表面
安装带状线封装。此放大器提供16dB的
当在50毫安和4V偏压获得。
外接DC去耦电容决定低频
反应。使用外部电阻器的允许偏差
灵活性和稳定性。
这些无条件稳定放大器设计用于
作为通用50欧姆增益模块。其他语言版本
芯片形式（ SNA - 200 ） ，它的体积小（ 0.33毫米X 0.33毫米）和
镀金，使其成为混合使用的理想选择
电路。
在SNA -276在磁带和卷轴可在1000， 3000和
每卷5000设备。
SNA-276
DC - 6.5 GHz的，可级联
砷化镓MMIC放大器
输出功率与频率的关系
16
15
产品特点
可级联50欧姆增益模块
16分贝增益， + 14dBm的P1dB
1.5 ：1的输入和输出VSWR
工作在单电源
低成本带状线贴装陶瓷封装
密封式
50欧姆增益模块
应用
窄宽带线性放大器
商业和工业应用
DBM
14
13
12
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
电气规格在TA = 25℃
°
S YM BOL
P一R A M E TE R 5 ：率T e S T C 0 N D是IO N s个：
ID = 5 0米A，Z
0
= 5 0 O ^ h米每秒
S M一出来： IG N A升P 宽E R G一中
F = 0 .1 -2 0.0摹
F = 2 0.0 -4 0.0摹
F = 4 0.0 -6 0.5摹
F = 0 .1 -4 0.0摹
加利其
dB
dB
dB
dB
GHz的
F = 2 0.0摹
F = 2 0.0摹
F = 0 .1 -6 0.5摹
F = 2 0.0摹
F = 2 0.0摹
F = 0 .1 -6 0.5摹
DBM
dB
M IN 。
1 5 .0
1 4 .0
1 3 .0
TY页。
1 6 .0
1 5 .0
1 4 .0
+ /1 .0
6 .5
1 4 .0
5 .5
1 .5 :1
2 7 .0
100
20
3 .5
4 .0
-0 .0 0 1 8
-4 .0
4 .5
6 .0
M AX 。
G
P
G
F
克F中拉TN ê S S小
三维B B A N D瓦特ID日
ü TP UT P owerat 1天BC OMP重新SS IO
N}÷为e F IG ü
在P ü吨/ O ü TP ü吨
牛逼 IR D 2 O R D所è R I T E R C ê P吨P O I N t个
摹RO ü P D E LA
BW 3分贝
P
1dB
NF
VSW
IP
T
3
-
DBM
皮秒
dB
V
D
为O升
V
D
; V。E R 5 ê是O l的T I O 4 N
D E V IC è V LTA克é
D E V I C E G
一个I N
率T e米P·E R A TU 式C产地证电子FF I C即N t个
D E V I权证V L T A G éテ米P·E·R的T ü
C 0 ê F连接C I简吨
G / D牛逼
D V / D牛逼
D B
/ D E克碳
M·V / D E克碳
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.stanfordmicro.com
5-25
SNA -276 DC- 6.5 GHz的MMIC级联放大器
| S11 |与频率的关系
0
-5
-10
18
17
16
| S21 |与频率的关系
dB
-15
-20
-25
-30
0.1
0.5
1
1.5
2
3
4
6
dB
15
14
13
12
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
GHz的
GHz的
| S12 |与频率的关系
0
-5
-10
0
-5
| S22 |与频率的关系
dB
-15
-20
-25
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
dB
-10
-15
-20
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
GHz的
50欧姆增益模块
噪声系数与频率的关系
8
7.5
27
28
TOIP与频率的关系
7
dB
6.5
6
5.5
5
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
DBM
26
25
24
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
GHz的
典型的S参数VDS = 4.0V ，IDS = 50毫安
f重新Q摹
.1 0 0
.2 5 0
.5 0 0
1 .0 0
1 .5 0
2 .0 0
4 .0 0
6 .0 0
8 .0 0
1 0 .0 0
|S 11 |
0 .11 4
0 .1 4 5
0 .1 5 2
0 .1 7 1
0 .1 8 2
0 .1 7 0
0 .0 8 7
0 .1 3 0
0 .2 0 8
0 .3 9 1
S11中A N克
157
135
11 4
57
1
-5 0
38
-7 6
-1 3 2
-1 4 9
|S 2 1 |
6 .8 8 5
6 .7 8 5
6 .6 5 9
6 .4 6 7
6 .2 5 9
6 .1 0 3
5 .1 3 0
4 .1 0 7
3 .6 8 8
2 .9 6 2
S21昂
166
142
139
101
60
22
-1 3 2
81
-7 2
11 8
|S 1 2 |
0 .0 8 2
0 .0 9 8
0 .1 0 6
0 .1 0 6
0 .1 0 6
0 .1 0 8
0 .11 4
0 .111
0 .1 0 8
0 .0 8 1
S12昂
-7
-1 4
-2 8
-5 3
-8 3
-1 0 9
132
12
-11 9
99
|S 2 2 |
0 .0 8 3
0 .0 9 5
0 .11 7
0 .1 4 1
0 .1 6 6
0 .1 7 3
0 .1 4 6
0 .2 6 0
0 .1 0 3
0 .3 4 6
S22昂
145
126
11 5
62
5
-4 6
73
-1 0 8
-2 2
177
（ S参数包括两个1.0密耳直径的键合线的影响，每20密耳长，连接到栅和漏焊盘上模）
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.stanfordmicro.com
5-26
SNA -276 DC- 6.5 GHz的MMIC级联放大器
绝对最大额定值
P A R A M ETE
A B S 0路TE
米XIM ü米
产品型号订购信息
产品型号
设备每卷
带尺寸
SNA-276-TR1
SNA-276-TR2
1000
3000
5000
7"
13"
13"
D E VIC式C urre新台币
宝宽E R D所issipa化
的R F在P UT宝瓦特儿
菊 ctionテ米P·EラTURE
P·Eラ锡克テ米P·Eラ恩重
申通快递RA克èテ米PE岭恩重
70mA
3 2 0米W
1 0 0米W
+2 0 0 C
-4 5 ℃ 8 5℃
5 -6 ℃ 1 5 0℃
ecommended B IA S R ES是与r弗吉尼亚州鲁ES
SNA-276-TR3
供应
电压（Vs）
R偏压（O HM S）
5V
20
7.5V
70
9V
100
12V
160
15V
220
20V
320
注意事项：
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
平均无故障时间与温度的关系@ n = 50毫安
焊接温度
连接点
温度
+155C
平均无故障时间（小时）
+45C
1000000
+80C
+190C
100000
+110C
+220C
10000
50欧姆增益模块
热电阻（无铅路口） ： 556 ° C / W
典型的偏置CON组fi guration
引脚名称
1
2
3
4
在RF
GND
RF出来，
BIAS
GND
25典型性能
°
C
功率增益与器件电流
17
16
5
4.5
60mA
50mA
器件电压与标识
dB
15
14
13
12
0.2
0.5
1.0
1.25
1.5
1.75
Vd
4
3.5
3
40mA
30mA
25mA
2.0
25
30
40
50
60
70
80
GHz的
mA
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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5-27
产品说明
斯坦福Microdevices的SNA -276是GaAs单片
宽带放大器（ MMIC）容纳在一个低成本的表面
安装带状线封装。此放大器提供16dB的
当在50毫安和4V偏压获得。
外接DC去耦电容决定低频
反应。使用外部电阻器的允许偏差
灵活性和稳定性。
这些无条件稳定放大器设计用于
作为通用50欧姆增益模块。其他语言版本
芯片形式（ SNA - 200 ） ，它的体积小（ 0.33毫米X 0.33毫米）和
镀金，使其成为混合使用的理想选择
电路。
在SNA -276在磁带和卷轴可在1000， 3000和
每卷5000设备。
SNA-276
DC - 6.5 GHz的，可级联
砷化镓MMIC放大器
输出功率与频率的关系
16
15
产品特点
可级联50欧姆增益模块
16分贝增益， + 14dBm的P1dB
1.5 ：1的输入和输出VSWR
工作在单电源
低成本带状线贴装陶瓷封装
密封式
50欧姆增益模块
应用
窄宽带线性放大器
商业和工业应用
DBM
14
13
12
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
电气规格在TA = 25℃
°
S YM BOL
P一R A M E TE R 5 ：率T e S T C 0 N D是IO N s个：
ID = 5 0米A，Z
0
= 5 0 O ^ h米每秒
S M一出来： IG N A升P 宽E R G一中
F = 0 .1 -2 0.0摹
F = 2 0.0 -4 0.0摹
F = 4 0.0 -6 0.5摹
F = 0 .1 -4 0.0摹
加利其
dB
dB
dB
dB
GHz的
F = 2 0.0摹
F = 2 0.0摹
F = 0 .1 -6 0.5摹
F = 2 0.0摹
F = 2 0.0摹
F = 0 .1 -6 0.5摹
DBM
dB
M IN 。
1 5 .0
1 4 .0
1 3 .0
TY页。
1 6 .0
1 5 .0
1 4 .0
+ /1 .0
6 .5
1 4 .0
5 .5
1 .5 :1
2 7 .0
100
20
3 .5
4 .0
-0 .0 0 1 8
-4 .0
4 .5
6 .0
M AX 。
G
P
G
F
克F中拉TN ê S S小
三维B B A N D瓦特ID日
ü TP UT P owerat 1天BC OMP重新SS IO
N}÷为e F IG ü
在P ü吨/ O ü TP ü吨
牛逼 IR D 2 O R D所è R I T E R C ê P吨P O I N t个
摹RO ü P D E LA
BW 3分贝
P
1dB
NF
VSW
IP
T
3
-
DBM
皮秒
dB
V
D
为O升
V
D
; V。E R 5 ê是O l的T I O 4 N
D E V IC è V LTA克é
D E V I C E G
一个I N
率T e米P·E R A TU 式C产地证电子FF I C即N t个
D E V I权证V L T A G éテ米P·E·R的T ü
C 0 ê F连接C I简吨
G / D牛逼
D V / D牛逼
D B
/ D E克碳
M·V / D E克碳
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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5-25
SNA -276 DC- 6.5 GHz的MMIC级联放大器
| S11 |与频率的关系
0
-5
-10
18
17
16
| S21 |与频率的关系
dB
-15
-20
-25
-30
0.1
0.5
1
1.5
2
3
4
6
dB
15
14
13
12
0.1
0.5
1
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2
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6
GHz的
GHz的
| S12 |与频率的关系
0
-5
-10
0
-5
| S22 |与频率的关系
dB
-15
-20
-25
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
dB
-10
-15
-20
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
GHz的
50欧姆增益模块
噪声系数与频率的关系
8
7.5
27
28
TOIP与频率的关系
7
dB
6.5
6
5.5
5
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
DBM
26
25
24
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
GHz的
典型的S参数VDS = 4.0V ，IDS = 50毫安
f重新Q摹
.1 0 0
.2 5 0
.5 0 0
1 .0 0
1 .5 0
2 .0 0
4 .0 0
6 .0 0
8 .0 0
1 0 .0 0
|S 11 |
0 .11 4
0 .1 4 5
0 .1 5 2
0 .1 7 1
0 .1 8 2
0 .1 7 0
0 .0 8 7
0 .1 3 0
0 .2 0 8
0 .3 9 1
S11中A N克
157
135
11 4
57
1
-5 0
38
-7 6
-1 3 2
-1 4 9
|S 2 1 |
6 .8 8 5
6 .7 8 5
6 .6 5 9
6 .4 6 7
6 .2 5 9
6 .1 0 3
5 .1 3 0
4 .1 0 7
3 .6 8 8
2 .9 6 2
S21昂
166
142
139
101
60
22
-1 3 2
81
-7 2
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|S 1 2 |
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0 .0 9 8
0 .1 0 6
0 .1 0 6
0 .1 0 6
0 .1 0 8
0 .11 4
0 .111
0 .1 0 8
0 .0 8 1
S12昂
-7
-1 4
-2 8
-5 3
-8 3
-1 0 9
132
12
-11 9
99
|S 2 2 |
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0 .11 7
0 .1 4 1
0 .1 6 6
0 .1 7 3
0 .1 4 6
0 .2 6 0
0 .1 0 3
0 .3 4 6
S22昂
145
126
11 5
62
5
-4 6
73
-1 0 8
-2 2
177
（ S参数包括两个1.0密耳直径的键合线的影响，每20密耳长，连接到栅和漏焊盘上模）
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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5-26
SNA -276 DC- 6.5 GHz的MMIC级联放大器
绝对最大额定值
P A R A M ETE
A B S 0路TE
米XIM ü米
产品型号订购信息
产品型号
设备每卷
带尺寸
SNA-276-TR1
SNA-276-TR2
1000
3000
5000
7"
13"
13"
D E VIC式C urre新台币
宝宽E R D所issipa化
的R F在P UT宝瓦特儿
菊 ctionテ米P·EラTURE
P·Eラ锡克テ米P·Eラ恩重
申通快递RA克èテ米PE岭恩重
70mA
3 2 0米W
1 0 0米W
+2 0 0 C
-4 5 ℃ 8 5℃
5 -6 ℃ 1 5 0℃
ecommended B IA S R ES是与r弗吉尼亚州鲁ES
SNA-276-TR3
供应
电压（Vs）
R偏压（O HM S）
5V
20
7.5V
70
9V
100
12V
160
15V
220
20V
320
注意事项：
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
平均无故障时间与温度的关系@ n = 50毫安
焊接温度
连接点
温度
+155C
平均无故障时间（小时）
+45C
1000000
+80C
+190C
100000
+110C
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10000
50欧姆增益模块
热电阻（无铅路口） ： 556 ° C / W
典型的偏置CON组fi guration
引脚名称
1
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在RF
GND
RF出来，
BIAS
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25典型性能
°
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功率增益与器件电流
17
16
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60mA
50mA
器件电压与标识
dB
15
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30mA
25mA
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80
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522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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QQ：2881677436 复制
