产品说明
Sirenza的Microdevices的SNA - 200是GaAs单片
裸片形式的宽带放大器（ MMIC ） 。 19时50兆赫，这
放大器增益为16dB的时候成50mA偏压。
这些无条件稳定的放大器被设计用作
通用50欧姆增益模块。它的小尺寸（ 0.33毫米X
0.33毫米）和镀金使其使用的理想选择
在混合电路。
外接DC去耦电容决定低频
反应。使用外部电阻器的允许偏差
灵活性和稳定性。
在SNA -200 ，每百100设备提供凝胶帕克什。
包装形式也可（ SNA -276 & SNA -286 ）
输出功率与频率的关系
16
15
SNA-200
DC - 6.5 GHz的，可级联
砷化镓MMIC放大器
不推荐在新
设计，使用SNA -200S
产品特点
可级联50欧姆增益模块
16分贝增益， + 14dBm的P1dB
1.5 ：1的输入和输出VSWR
工作在单电源
芯片背面进行研磨
DBM
14
13
12
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
符号
G
P
G
F
BW3dB
P
1dB
NF
VSWR
参数
小信号电网增益
增益平坦度
3分贝Bandw ID
输出电网在1dB压缩
噪声系数
输入/输出
单位
dB
dB
dB
dB
GHz的
DBM
dB
频率
850兆赫
1950年兆赫
2400兆赫
0.1-4.0 GHz的
分钟。
典型值。
16.0
15.5
15.3
+/-
1.0
马克斯。
6.5
1950 M
Hz
1950 M
Hz
0.1-6.5 GHz的
1950 M
Hz
0.1-6.5 GHz的
3.
3
14.0
5.5
1.5:1
-
DBM
dB
V
O
IP
3
ISOL
V
D
产量
三阶截点
反向隔离
27.0
20
3.8
50
-0.001
8
4.
3
器件工作电压
器件工作电流
设备
收益
温度COEF网络cient
I
D
DG /胸苷
mA
dB
/°C
° C / W
45
55
R
TH
，J -B
热阻（结到背面）
270
测试条件：
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 82欧姆
I
D
= 50毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用不承担任何责任
这些信息，所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。本文描述的任何专利权或许可给任何电路都
暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..
全球版权所有。
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS - 102429 C版本
初步
SNA -200 DC- 6.5 GHz的MMIC级联放大器
25典型性能
°
C（ VDS = 3.8V ， IDS = 50毫安）
| S11 |与频率的关系
0
-5
14
13
| S21 |与频率的关系
dB
-10
-15
-20
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
dB
12
11
10
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
GHz的
| S12 |与频率的关系
0
-5
-10
-15
-20
-25
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
| S22 |与频率的关系
0
-5
dB
dB
-10
-15
-20
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
GHz的
噪声系数与频率的关系
8
7.5
7
27
28
TOIP与频率的关系
dB
6.5
6
5.5
5
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
DBM
26
25
24
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
GHz的
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
70
mA
6V
+20 dBm的
+
200
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
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EDS - 102429 C版本
初步
SNA -200 DC- 6.5 GHz的MMIC级联放大器
典型应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
参考
代号
频率（MHz）
500
850
1950
2400
3500
C
B
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
C
D
L
C
C
D
L
C
在RF
C
B
1
4
SNA-200
推荐偏置电阻值我
D
=50mA
3
C
B
RF OUT
电源电压（V
S
)
R
BIAS
6V
43
8V
82
10 V
120
12 V
160
2
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
建议合排列
（用于上述S参数数据结构）
MMIC的简化原理图
有关建议的处理，芯片粘接和固定的方法，请参见本应用笔记的
www.sirenza.com 。
AN- 041 （ PDF ）处理未包装的模
产品型号订购信息
产品型号
凝胶包
100件。每包
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
SNA-200
模具每Sirenza的应用笔记发货
AN- 039视觉标准无包装模具
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产品说明
斯坦福Microdevices的SNA - 200是GaAs单片
裸片形式的宽带放大器（ MMIC ） 。该放大器
提供增益16dB的时候成50mA和4V偏颇。
外接DC去耦电容决定低频
反应。使用外部电阻器的允许偏差
灵活性和稳定性。
这些无条件稳定放大器设计用于
作为通用50欧姆增益模块。其他语言版本
包装形式（ SNA -276 ， -286 & -287 ） ，它的体积小
（ 0.33毫米X 0.33毫米）和镀金使其成为理想的
选择在混合电路中使用。
在SNA -200可在凝胶帕克什每100个设备
容器。
SNA-200
DC - 6.5 GHz的，可级联
砷化镓MMIC放大器
输出功率与频率的关系
16
15
DBM
14
13
12
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
产品特点
可级联50欧姆增益模块
16分贝增益， + 14dBm的P1dB
1.5 ：1的输入和输出VSWR
工作在单电源
芯片背面进行研磨
应用
窄宽带线性放大器
商业和工业应用
50欧姆增益模块
GHz的
电气规格在TA = 25℃
°
S YM BOL
P一R A M E TE R 5 ：率T e S T C 0 N D ITIO N s个：
ID = 5 0米A，Z
0
= 5 0 O ^ h米每秒
S M一出来： IG N A升P 宽E R G一中
F = 0 。 1 - 2 0.0摹
F = 2 。 0 - 4 0.0摹
F = 4 。 0 - 6 0.5摹
F = 0 。 1 - 4 0.0摹
加利其
dB
dB
dB
dB
GHz的
F = 2 0.0摹
F = 2 0.0摹
F = 0 。 1 - 6 0.5摹
F = 2 0.0摹
F = 2 0.0摹
F = 0 。 1 - 6 0.5摹
DBM
dB
M IN 。
1 5 .0
1 4 .0
1 3 .0
TY页。
1 6 .0
1 5 .0
1 4 .0
+ /1 .0
6 .5
1 4 .0
5 .5
1 .5 :1
2 7 .0
100
20
3 .5
4 .0
- 0 .0 0 1 8
- 4 .0
4 .5
6 .0
M AX 。
G
P
G
F
克我N·拉T N ê S S小
三维B B A N D瓦特ID吨
本安输出P owerat 1天BC ompress IO
N}÷为e F IG ü
在P ü吨/ O ü TP ü吨
在T牛逼 IR D 2 O R D所è R IN TE R C ê P吨P 2 O
摹R 0 ü P D E LA
BW 3分贝
P
1dB
NF
VSW
IP
T
3
-
DBM
皮秒
dB
V
D
为O升
V
D
; V。E R 5 ê是O LA TIO N
D E V IC è V LTA克é
D E V I C E G
一个I N
率T e米P·E·R的T ü 式C产地证电子FF I C即N t个
D E V IC è V LTA克èテ米P·Eラ恩
C 0 ê FF I C即N t个
G / D牛逼
D V / D牛逼
D B
/ D E克碳
M·V / D E克碳
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
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5-21
SNA -200 DC- 6.5 GHz的MMIC级联放大器
25典型性能
°
C（ VDS = 4.0V ， IDS = 50毫安）
| S11 |与频率的关系
0
-5
14
13
| S21 |与频率的关系
dB
-10
-15
-20
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
dB
12
11
10
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
GHz的
| S12 |与频率的关系
0
-5
-10
0
-5
| S22 |与频率的关系
dB
-15
-20
-25
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
dB
-10
-15
-20
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
GHz的
50欧姆增益模块
噪声系数与频率的关系
8
7.5
27
28
TOIP与频率的关系
7
dB
6.5
6
DBM
26
25
5.5
5
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
24
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
GHz的
GHz的
建议合排列
MMIC的简化原理图
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5-22
SNA -200 DC- 6.5 GHz的MMIC级联放大器
绝对最大额定值
P A R A M ETE
A B S 0路TE
米XIM ü米
产品型号订购信息
产品型号
SNA-200
设备每百
100
D E VIC式C urre新台币
宝宽E R D所issipa化
的R F在P UT宝瓦特儿
菊 ctionテ米P·EラTURE
P·Eラ锡克テ米P·Eラ恩重
申通快递RA克èテ米PE岭恩重
70mA
3 2 0米W
1 0 0米W
+2 0 0 C
-4 5 ℃ 8 5℃
5 -6 ℃ 1 5 0℃
注意事项：
其中任何一项上述1.操作此设备的
参数可能会造成永久性的损害。
平均无故障时间与温度的关系@ n = 50毫安
模具底部
温度
+55C
连接点
温度
+155C
平均无故障时间（小时）
1000000
+90C
+190C
100000
+120C
+220C
10000
50欧姆增益模块
热电阻（无铅路口） ： 500 ° C / W
典型的偏置CON组fi guration
芯片粘接
该芯片粘接过程中重视机械模具来
电路衬底。此外，电连接
在其上的管芯被安装在地面上的轨迹和
建立热通道通过其热量可以离开
死了。
引线键合
电连接到所述管芯是通过丝
债券。斯坦福Microdevices的建议楔
粘结或球焊到这些设备的焊盘。
推荐楔焊过程
组装技术
环氧芯片粘接建议。顶部和底部
金属是金。导电银填充环氧树脂的
推荐使用。此方法涉及使用环氧树脂的至
形成在芯片的背面和金之间的接头
基板的金属化区域。 150℃固化1
小时是必要的。推荐环氧树脂是ABLEBOND
84-1LMIT1从ABLESTIK 。
1.将加热块的温度为260℃ ±10℃ 。
2.使用预应力之间（退火）金线
0.0005至0.001英寸的直径。
3.提示粘合压力应介于15和
20克且不应超过20克。该
足迹楔叶上金线的
应该是钢丝直径在1.5和2.5
跨越了一个很好的结合。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.stanfordmicro.com
5-23
QQ：2880707522 复制
