产品说明
Sirenza的微器件？ SNA - 186是GaAs单片基础广泛
频带放大器（ MMIC）容纳在一个低成本的表面mount-
能够塑料封装。 1950兆赫，这种放大器提供12分贝
增益和功率的P1dB为+ 13dBm的时成50mA偏压。
使用外部电阻器的允许偏差的灵活性和
稳定。这些无条件稳定放大器的设计
用作一般用途的50欧姆增益模块。
以芯片形式（ SNA - 100 ） ，它的体积小（ 0.33毫米也可
X 0.33毫米）和镀金使其成为一个理想的选择
在混合电路中使用。
SNA-186
DC - 8GHz的级联
砷化镓HBT MMIC放大器
输出功率与频率的关系
15
14
产品特点
专利技术，可靠的GaAs HBT技术
可级联50欧姆增益模块
12分贝增益， + 13dBm的P1dB的
1.5 ：1的输入和输出VSWR
采用单直流电源供电
低成本表面贴装塑料封装
应用
PA驱动放大器
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
IF放大器
无线数据，卫星
单位
dB
dB
dB
dB
GHz的
DBM
DBM
dB
DBM
13
12
11
10
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
GHz的
SY mbol
G
P
G
F
BW3dB
P
1dB
参数
小信号电网增益
增益平坦度
3分贝Bandw ID
输出电网在1dB压缩
频率
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
0.1-8 GHz的
分钟。
11.5
TY页。
12.5
12.0
11.8
+/- 0.5
10.0
马克斯。
13.8
1950 M
Hz
1950 M
Hz
1950 M
Hz
0.1-10千兆赫
0.1-10千兆赫
3.
3
13.0
26
.0
O
IP
3
NF
VSWR
ISOL
V
D
产量
三阶截点
噪声系数
输入/输出
反向隔离
6
.0
1.5:1
16
-
dB
V
器件工作电压
器件工作电流
设备
收益
温度COEF网络cient
3.8
50
-0.0015
4.
3
I
D
DG /胸苷
mA
dB
/°C
° C / W
45
55
R
TH
J-升
热阻（结带领）
350
测试条件：
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 82欧姆
I
D
= 50毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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EDS- 101697版本A
初步
SNA -186 DC - 10 GHz的MMIC级联放大器
在25 ° C典型性能（VDS = 3.8V ， IDS = 50毫安）
| S11 |与频率的关系
0
-5
-10
-15
-20
-25
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
| S21 |与频率的关系
13
12
dB
dB
11
10
9
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
GHz的
GHz的
| S12 |与频率的关系
0
-5
| S22 |与频率的关系
0
-5
dB
-10
-15
-20
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
dB
-10
-15
-20
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
GHz的
GHz的
噪声系数与频率的关系
8
28
27
TOIP与频率的关系
7
dB
6
DBM
26
25
24
5
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
0.1
0.5
1
1.5
2
4
6
8
GHz的
GHz的
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入电网
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
70
mA
6V
+10 dBm的
+
150
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应该满足如下荷兰国际集团表示：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
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初步
SNA -186 DC - 10 GHz的MMIC级联放大器
应用电路元件值
典型应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
参考
代号
频率（MHz）
500
850
1950
2400
3500
C
B
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
C
D
L
C
C
D
L
C
在RF
C
B
1
4
SNA-186
推荐偏置电阻值我
D
=50mA
3
C
B
RF OUT
电源电压（V
S
)
R
BIAS
6V
43
8V
82
10 V
120
12 V
160
2
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
V
S
R
BIAS
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
L
C
S1
C
D
C
B
C
B
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
针＃
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。为了达到最佳的RF
性能，通路孔尽量接近用
接地引线尽可能减少铅
电感。
一部分标识标记
该部分将被打上一个？ S1 ？标志上的
包装的顶表面上。
3
1
2, 4
GND
4
S1
1
2
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
产品型号订购信息
注意： ESD敏感
产品型号
SNA-186-TR1
SNA-186-TR2
SNA-186-TR3
带尺寸
7"
13"
13"
设备/卷
1000
3000
5000
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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尺寸以英寸[毫米]
PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
参见图纸张贴在
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对于公差。
标称封装尺寸
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