SN75LVDS82
FLATLINK 接收器
SLLS259D - 1996年11月 - 修订1999年5月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
4:28数据通道扩展最高可达227.5
每秒百万字节(兆字节/秒)
吞吐量
适用于SVGA , XGA , SXGA或显示
数据传输从控制器到
显示器具有非常低的EMI
4个数据通道和时钟低电压
差分通道,并在28个数据和
时钟低电压TTL输出通道
工作于3.3 V单电源供电,
250 mW的典型值
5V容限输入SHTDN
下降时钟边沿触发输出
封装在超薄紧缩小外形
包20密耳端子节距
功耗低于1 mW的当残疾人
广相位锁定频率输入
范围内。 。 。 31 MHz至68 MHz的
所需的PLL无需外部元件
投入达到或超过要求
在ANSI EIA / TIA -644标准
改善置换为全国
DS90C582
DGG包装
( TOP VIEW )
描述
该SN75LVDS82 FlatLink 接收器包含
26
31
四个串行- 7位并行输出移位寄存器,一个7×
27
30
时钟合成器和五个低电压差分
28
29
在一个单一的信令(LVDS)线接收器
集成电路。这些功能允许接收从兼容发射机同步数据,如对
SN75LVDS81 ,超五类平衡线对导线和扩展到单端低电压TTL 28位
( LVTTL )以较低的传送速率同步的数据。该SN75LVDS82也可以与SN75LVDS84使用
或SN75LVDS85 21位传输。
当接收时,高速LVDS数据被接收并加载到寄存器中以七次(7× )的速率
LVDS输入时钟( CLKIN ) 。然后,数据被卸载到一个28位宽的LVTTL并行总线在CLKIN速率。
甲锁相环时钟合成电路产生一个7×时钟为内部时钟和输出时钟对
该扩展的数据。在SN75LVDS82呈现在输出时钟( CLKOUT )的下降沿有效数据。
该SN75LVDS82仅需要5线端接电阻的差分输入和很少或没有控制。
数据总线出现相同的输入处的发射器和接收器的输出与所述数据
传输对用户透明。唯一可能的用户干预的情况是使用关机/清除
( SHTDN )低电平有效的输入,以抑制所述时钟和关断的LVDS接收器更低的功耗。一
上SHTDN低电平清除所有的内部寄存器,以一个较低的水平。
该SN75LVDS82的特点是工作在0周围空气温度
_
C至70
_
C.
D22
D23
D24
GND
D25
D26
D27
LVDSGND
A0M
A0P
A1M
A1P
LVDSV
CC
LVDSGND
A2M
A2P
CLKINM
CLKINP
A3M
A3P
LVDSGND
PLLGND
PLLV
CC
PLLGND
shtdn
CLKOUT
D0
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
V
CC
D21
D20
D19
GND
D18
D17
D16
V
CC
D15
D14
D13
GND
D12
D11
D10
V
CC
D9
D8
D7
GND
D6
D5
D4
D3
V
CC
D2
D1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
FlatLink是德州仪器公司的注册商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1999年,德州仪器
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达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN75LVDS82
FLATLINK 接收器
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功能框图
串行输入/并联
出移位寄存器
A1P
A1M
在串行
CLK
A,B , ...摹
D0
D1
D2
D3
D4
D6
D7
串行输入/并联
出移位寄存器
A2P
A2M
在串行
A,B , ...摹
CLK
串行输入/并联
出移位寄存器
输入总线
A3P
A3M
在串行
CLK
D8
D9
D12
D13
D14
D15
D18
A,B , ...摹
D19
D20
D21
D22
D24
D25
D26
串行输入/并联
出移位寄存器
A4P
A4M
在串行
CLK
A,B , ...摹
控制逻辑
shtdn
D27
D5
D10
D11
D16
D17
D23
7 ×时钟/ PLL
CLKINP
CLKINM
7 × CLK
CLOCK IN
CLOCK OUT
CLKOUT
2
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SN75LVDS82
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CLKIN
前一个周期
A0
D0–1
D7
当前周期
D3
下一个周期
D0
D7+1
D6
D4
D2
D1
A1
D8–1
D18
D15
D14
D13
D12
D9
D8
D18+1
A2
D19–1
D26
D25
D24
D22
D21
D20
D19
D26+1
A3
D27–1
D23
D17
D16
D11
D10
D5
D27
D23+1
CLKOUT
D0
DN - 1
Dn
图1. SN75LVDS82加载和换挡时机序列
等效输入和输出示意图说明
VCC
VCC
300 k
300 k
5
D输出
ANP
ANM
VCC
7V
7V
shtdn
输入
50
产量
7V
300 k
输入
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7V
DN + 1
3
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在工作自由空气的温度绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
(见注1 )
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-0.5V至4 V
输出电压范围,V
O
( DXX终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
输入电压范围,V
I
(以外的任何SHTDN终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
输入电压范围,V
I
( SHTDN ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至5.5 V
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 (见耗散额定值表)
工作温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0
_
C至70
_
C
存储温度范围,T
英镑
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65
_
C至150
_
C
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260
_
C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有电压值都是相对于GND ,除非另有说明。
额定功耗表
包
DGG
TA
≤
25°C
额定功率
1377毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
11.0毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
822毫瓦
这是结点到环境的热阻的倒数时,安装在板上的,并与没有空气流动。
推荐工作条件
民
电源电压VCC
高电平输入电压, VIH ( SHTDN )
低电平输入电压, VIL ( SHTDN )
差分输入电压, | VID |
共模输入电压,维多利亚州(参见图2和图3)
经营自由的空气温度, TA
0.1
|V
ID
2
0
|
2.4
3
2
0.8
0.6
ID
*
|V2 |
喃
3.3
最大
3.6
单位
V
V
V
V
V
°C
VCC - 0.8
70
时序要求
民
tc
tsu1
周期时间,输入clock§
建立时间,输入(参见图7 )
14.7
600
600
喃
最大
32.4
单位
ns
ps
ps
th1
保持时间,输入(参见图7 )
§参数TC定义为最小的32 000个时钟周期的平均持续时间。
4
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电气特性在推荐工作条件(除非另有说明)
参数
VIT +
维特
VOH
VOL
正向差动输入阈值电压
负向差动输入阈值电压
高电平输出电压
低电平输出电压
IOH = -4毫安
IOL = 4毫安
禁用,
所有输入打开
启用后,
ANP = 1 V ,
ANM = 1.4 V,
TC = 15.38纳秒
ICC
静态电流(平均值)
启用后,
CL = 8 pF的,
灰度图案(参见图4) ,
TC = 15.38纳秒
启用后,
CL = 8 pF的,
最坏情况下的图案(参见图5)
TC = 15.38纳秒
IIH
IIL
IIN
IOZ
高电平输入电流( SHTDN )
低电平输入电流( SHTDN )
输入电流( LVDS输入端A和CLKIN )
高阻抗输出电流
VIH = VCC
VIL = 0
0
≤
VI
≤
2.4 V
VO = 0或VCC
–100
2.4
0.4
280
测试条件
民
TYP
最大
100
单位
mV
mV
V
V
A
60
74
mA
74
mA
107
±20
±20
±20
±10
mA
A
A
A
A
所有典型值是在VCC = 3.3 V , TA = 25 ℃。
代数约定,其中,所述较少阳性(更负)限制的设计最小,用于该数据片的负向
输入电压阈值而已。
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