【SN65C1406 ， SN75C1406三重低功耗驱动器/接收SLLS148E - 1990年5月】,IC型号SN75C1406DWR,SN75C1406DWR PDF资料,SN75C1406DWR经销商,ic,电子元器件-51电子网

SN65C1406 ， SN75C1406

三重低功耗驱动器/接收

SLLS148E - 1990年5月 - 修订2001年10月

达到或超过要求

TIA / EIA- 232 -F和ITU建议

V.28

极低的功耗。。。

5 mW的典型

广驱动器电源电压范围。。。

±4.5

V到

±15

驱动器输出压摆率受限

30 V / μs的最大

接收器输入迟滞。。。 1000 mV的典型值

PUSH - PULL接收器输出

在芯片接收器1微秒噪声滤波器

在功能上可与摩托罗拉

MC145406和德州仪器

TL145406

封装选择包括塑料

小外形封装（ D， DW ， NS）和包

DIP封装（ N）

SN65C1406 。。。，D封装

SN75C1406 。。。 D， DW ，N或NS包装

（ TOP VIEW ）

1RA

1DY

2RA

2DY

3RA

3DY

1RY

1DA

2RY

2DA

3RY

3DA

GND

描述

该SN65C1406和SN75C1406是包含三个独立的驱动器的低功耗采用BiMOS设备和

所使用的接口的数据终端设备（DTE）与数据电路终端设备接收

（DCE）。这些装置被设计为符合TIA / EIA- 232- F。该SN65C1406的驱动器和接收器

和SN75C1406那些类似的SN75C188四极驱动器和SN75C189A四倍接收机，

分别。驱动程序具有被限制为最大30伏/微秒的控制输出压摆率，并且

接收器有抑制输入噪声脉冲短于1过滤器

这两种功能使您不必

外部元件。

该SN65C1406和SN75C1406使用低功耗技术的采用BiMOS技术设计的。在大多数

应用中，包含在这些设备接口到单个输入外围设备，如接收机

的ACE ， UART接口，或微处理器。通过使用采样，这样的外围设备通常是不敏感的

输入信号的过渡时间。如果不是这种情况，或者用于其它用途，则建议的

SN65C1406和SN75C1406接收器输出由单一的施密特输入门或单门的可缓冲

HCMOS ， ALS ，或74F逻辑系列。

该SN65C1406的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。该SN75C1406的特点是

操作从0℃至70℃。

可选项

包装设备

小

概要

(D)

SN65C1406D

SN75C1406D

小

概要

（ DW ）

—

SN75C1406DW

塑料

DIP

(N)

—

SN75C1406N

塑料

小尺寸

（纳秒）

—

SN75C1406NS

-40 ° C至85°C

0 ° C至70℃

在D， DW和PW包可以录音和缠绕。添加后缀R键设备类型

（例如， SN75C1406DR ）。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

版权

2001年，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

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达拉斯，德克萨斯州75265

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逻辑图（正逻辑）

一般每个接收器

2, 4, 6

15, 13, 11

典型的每个驱动程序

3, 5, 7

14, 12, 10

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输入和输出的原理图

等效驱动器输入

等效驱动器输出

VDD

输入

国内

1.4 V参考

160

产量

VSS

GND

VSS

等效接收器输入

等效接收器输出

VCC

输入

3.4 k

产量

1.5 k

ESD

保护

ESD

保护

530

GND

所有显示的电阻值是有名无实。

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在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压： V

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 15 V

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –15 V

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V

输入电压范围，V

：驱动程序。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

到V

接收器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -30 V至30 V

输出电压范围，V

：驱动程序。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。（V

- 6 V）至（Ⅴ

+ 6 V)

接收器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至（V

+ 0.3 V)

封装的热阻抗，

（见注2 ）：D包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 73 ° C / W

DW包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 57 ° C / W

N包装，。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 67 ° C / W

NS包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 64 ° C / W

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 260℃

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至150

°C

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注： 1.所有电压都是相对于网络的接地端子。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

推荐工作条件

民

VDD

VSS

VCC

VIH

VIL

IOH

IOL

电源电压

输入电压

高电平输入电压

低电平输入电压

高电平输出电流

低电平输出柯伦

经营自由空气温度

自由的空气

SN65C1406

SN75C1406

–40

司机

接收器

0.8

–1

3.2

4.5

–4.5

4.5

VSS + 2

喃

–12

最大

–15

VDD

单位

°C

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驱动部分

电气特性在工作自由空气的温度范围内，V

= 12 V, V

= –12 V,

= 5 V

10％（除非另有说明）

参数

VOH

VOL

IIH

IIL

IOS （H ）

IOS （L）的

国际直拨电话

国际空间站

高位

高电平输出电压

低电平输出电压

（见注3 ）

高层次的输入电流

低电平输入电流

高水平的短路

输出电流

低级别的短路

输出电流

从VDD电源电流

从VSS供电电流

输出电阻

VIH = 0.8 V，

见图1

VIH = 2V，

见图1

VI = 5 V ，

VI = 0 ，

VI = 0.8 V，

VI = 2 V ，

测试条件

RL = 3 kΩ的，

见图2

VO = 0或VSS ，

VO = 0或VDD

见图1

VDD = 5V ，

VDD = 12 V ，

VDD = 5V ，

VDD = 12 V ，

VSS = - 5 V

VSS = - 12 V

VSS = - 5 V

VSS = - 12 V

300

–7.5

7.5

–12

115

–115

400

VDD = 5V ，

VDD = 12 V ，

VDD = 5V ，

VDD = 12 V ，

VSS = - 5 V

VSS = - 12 V

VSS = - 5 V

VSS = - 12 V

民

TYP

4.5

10.8

–4.4

–10.7

–4

–10

–1

–19.5

19.5

250

–250

最大

单位

无负载，

所有输入为2 V或0.8 V

无负载，

所有输入为2 V或0.8 V

VDD = VSS = VCC = 0 ，

见注4

VO = - 2 V至2 V ，

所有典型值是在TA = 25 ℃。

§不超过一个输出应在同一时间被短路。

注： 3.代数公约，其中更积极的（少负）限制指定为最大，用在本数据手册逻辑

水平而已。

4.测试条件是那些由TIA / EIA- 232 -F指定。

开关特性在T

= 25 ° C，V

= 12 V, V

= –12 V, V

= 5 V

10%

参数

TPLH

的TPH1

tTLH

TTHL

tTLH

TTHL

传播延迟时间，由低到高层次的output§

传播延迟时间，高到低级别的output§

过渡时间，由低到高层次的output

过渡时间，高到低级别的output

过渡时间，由低到高层次的输出＃

过渡时间，高到低级别的输出＃

输出压摆率

测试条件

RL = 3 kΩ至7千欧， CL = 15 pF的，

见图3

RL = 3 kΩ至7千欧， CL = 15 pF的，

见图3

RL = 3 kΩ至7千欧， CL = 15 pF的，

见图3

RL = 3 kΩ至7千欧， CL = 15 pF的，

见图3

RL = 3 kΩ至7千欧， CL = 2500 pF的，

见图3

RL = 3 kΩ至7千欧， CL = 2500 pF的，

见图3

RL = 3 kΩ至7千欧， CL = 15 pF的，

见图3

0.53

民

典型值

1.2

2.5

最大

3.5

3.2

单位

V / μs的

§的TPH1和tPLH的包括附加的时间，由于芯片上的压摆率，并在50 ％的点被测量。

测量输出波形的10 ％和90％点之间的

3 -V和之间＃测量 - 3 -V的点的输出波形（ TIA / EIA- 232 -F的条件）与所有未使用的输入端连接到高电平或低电平的

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