SN74TVC3010
10位电压钳位
SCDS088G - 1999年4月 - 修订2003年8月
D
D
D
D
D
设计用于在限压
应用
端口之间的6.5 Ω导通状态的连接
A和B
流通引脚排列，便于印刷的
电路板走线的路由
直接接口GTL +级别
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DBQ ， DGV ， DW ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
该SN74TVC3010提供11平行NMOS
通过晶体管与公共栅极。低
导通状态的开关导通电阻允许
连接被以最小的传播作出
延时。
GND
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
门
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
B10
B11
该装置可被用作具有级联在一起，参考晶体管的栅极10位开关。该
每个传输晶体管的低电压侧被限制为一个电压由基准晶体管设置。这样做是为了
保护组件的输入是高通态电压电平过冲敏感。 （见应用
本数据表中的信息。 ）
所有的TVC阵列中的晶体管具有相同的电气特性;因此，它们中的任何一个也可以
被用作参考晶体管。因为，在装置内，所述特征从晶体管到晶体管的
相等时，最大输出高态电压（V
OH
）近似的参考电压（V
REF
） ，具有
最小的偏差从一个输出到另一个。这是电视广告解决方案，在分立器件的一大优势。
因为晶体管的制造中是对称的，每个位的任一端口连接可以被用作
低电压侧，并在I / O信号是双向的，通过各FET 。
订购信息
TA
SOIC - DW
–40°C 85°C
-40 ℃至85℃
SSOP （ QSOP ） - DBQ
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
包装
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74TVC3010DW
SN74TVC3010DWR
SN74TVC3010DBQR
SN74TVC3010PWR
SN74TVC3010DGVR
TOP- SIDE
记号
TVC3010
TVC3010
TT010
TT010
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2003年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SN74TVC3010
10位电压钳位
SCDS088G - 1999年4月 - 修订2003年8月
简化的原理图
门
24
B1
23
B2
22
B3
21
B4
20
B11
13
1
GND
2
A1
3
A2
4
A3
5
A4
12
A11
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
输入/输出电压范围，V
I / O
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流，I
IK
(V
I
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ： DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
DW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 88 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注释：1.输入和输入/输出负电压额定值可能会超过如果输入和输入/输出钳位电流额定值
观察到。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
VI / O
VGATE
IPASS
TA
输入/输出电压
栅极电压
通晶体管电流
工作自由空气的温度
–40
0
0
20
典型值
最大
5
5
64
85
单位
V
V
mA
°C
2
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SN74TVC3010
10位电压钳位
SCDS088G - 1999年4月 - 修订2003年8月
应用程序的运行条件（见图3）
民
VBIAS
VGATE
VREF
VDPU
IPASS
IREF
TA
偏压
栅极电压
参考电压
漏上拉电压
通晶体管电流
参考晶体管电流
工作自由空气的温度
–40
VREF + 0.6
VREF + 0.6
0
2.36
典型值
2.1
2.1
1.5
2.5
14
5
85
最大
5
5
4.4
2.64
单位
V
V
V
V
mA
A
°C
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
VOL
CI （ GATE ）
首席信息官（关）
CIO （ ON）
ron
VBIAS = 0，
IREF = 5
m
A,
VDPU = 2.625 V，
VI = 3 V或0
VO = 3 V或0
VO = 3 V或0
IREF = 5
m
A,
VDPU = 2.625 V，
VREF = 1.365 V，
RDPU = 150
VS = 0.175 V，
见图1
测试条件
II = -18毫安
VREF = 1.365 V，
RDPU = 150
VS = 0.175 V，
见图1
24
4
12
12
30
12.5
民
TYP
最大
–1.2
350
单位
V
mV
pF
pF
pF
所有典型值是在TA = 25 ℃。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）的终端的最低电压。
在推荐工作的开关特性
V
DPU
= 2.36 V到2.64 V（除非另有说明） （参见图1）
参数
TPLH
的TPH1
从
（输入）
A或B
自由的空气
温度
民
0
0
最大
4
4
范围内，
单位
ns
TO
（输出）
B或A
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3
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参数测量信息
3.3 V
主机板
接口
VDPU
200 k
RDPU =
150
B2
22
RDPU =
150
B3
21
RDPU =
150
B4
20
RDPU =
150
B11
13
门
24
B1 （ VBIAS ）
23
TVC3010
1
2
A1 （ VREF ）
§
3
A2（ VS）的
§
4
A3（ VS）的
§
5
A4（ VS）的
§
12
A11 （ VS ）
漏极开路
测试接口
测试仪校准装置（见注C）
门
输入
测试仪
tPLHREF
2.5 V
1.25 V
1.25 V
0V
tPHLREF
2.5 V
1.25 V
1.25 V
VOL
tPHLDUT
2.5 V
1.25 V
TPLH
（见注D）
电压波形
传播延迟时间
1.25 V
VOL
的TPH1
（见注E）
德网络nition
输出检测过
输出参考
输入测试
符号
§
产量
参考
tPLHDUT
产量
设备
被测
注释：A.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z0 = 50
,
tr
≤
2纳秒， TF
≤
2纳秒。
B的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
C.测试步骤： tPLHREF和tPHLREF通过测量基准测量点的传播延迟得到的。
tPLHDUT和tPHLDUT通过测量被测器件的传播延迟得到的。
D. tPLH的= tPLHDUT - tPLHREF
E.的TPH1 = tPHLDUT - tPHLREF
图1.测试仪校准设置和电压波形
4
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10位电压钳位
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应用信息
TVC背景资料
在个人计算机（PC ）体系结构中，有业内可接受的总线标准。这些标准定义，
除其他事项外，在I / O电压电平在该总线通信。实例包括GTL +主机
总线， AGP显示端口， PCI局部总线。在新的设计中，系统部件必须进行通信
与现有的公交基础设施。提供了一个渐进的升级路径是PC的设计很重要
体系结构，但现有的总线标准，必须被保留。
为了实现无时不在需要的功耗更低，但拥有更快的更小，更快，更轻的设备
性能，大多数新的高性能数字集成电路正在设计和制作
先进的亚微米半导体工艺技术。这些设备具有薄的栅氧化层或短
沟道长度以及可在输入/输出耐受非常低绝对最大电压（ I / O的）
不造成损伤。在许多情况下，这些设备的I / O是不能容忍的高态电压
在预先存在的公共汽车水平与它们必须进行通信。因此，有必要保护
在I /受限制的I / O电压的设备O操作。
德州仪器（ TI ）转换电压钳（ TVC ）系列是为保护专
敏感的I / O （见图2） 。本数据表中的信息说明的的I / O保护应用
TVC的家庭，应使设计工程师能够成功实现利用一个I / O保护电路
TI的TVC解决方案。
低电压
I / O设备
TVC家庭
电压钳
设备
标准电压
I / O总线
图2.薄栅氧化层保护中的应用
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5
QQ：2880707522 复制
