SN74SSTV16857

14位寄存缓冲器

与SSTL_2输入和输出

SCES344E - 2000年12月 - 修订2002年11月

D

德州仪器会员

D

D

D

D

D

D

D

D

Widebus家庭

支持SSTL_2数据输入

输出满足SSTL_2 II类

特定网络阳离子

差分时钟（ CLK和CLK ）输入

支持LVCMOS接通的水平

复位输入

RESET输入禁用差分输入

接收器，复位所有寄存器和

强制所有输出低

流通结构优化PCB

布局

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

ESD保护超过JESD 22

- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）

- 200 -V机型号（ A115 -A ）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

DGG包装

（ TOP VIEW ）

描述

这14位寄存缓冲器设计为2.3 -V

以2.7 V V

CC

操作。

所有的输入都是SSTL_2 ，除了LVCMOS复位

（ RESET ）输入。所有输出SSTL_2 ， II类

兼容。

Q1

Q2

GND

V

DDQ

Q3

Q4

Q5

GND

V

DDQ

Q6

Q7

V

DDQ

GND

Q8

Q9

V

DDQ

GND

Q10

Q11

Q12

V

DDQ

GND

Q13

Q14

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

D1

D2

GND

V

CC

D3

D4

D5

D6

D7

CLK

CLK

V

CC

GND

V

REF

RESET

D8

D9

D10

D11

D12

V

CC

GND

D13

D14

该SN74SSTV16857工作在差分时钟（ CLK和CLK ） 。数据登记在路口

CLK的持续高CLK变低。

该设备支持低功耗待机操作。当RESET为低电平时，差分输入接收器

残疾人和无驱动（浮动）的数据，时钟和基准电压（V

REF

）的输入是允许的。另外，当

RESET为低电平时，所有寄存器复位，所有输出都被拉低。该LVCMOS RESET输入必须始终

要在有效的逻辑高电平或低电平举行。

为确保从寄存器定义的输出稳定的时钟已经提供之前， RESET必须在中国北京举行

上电时低的状态。

订购信息

TA

0 ° C至70℃

包装

TSSOP - DGG

磁带和卷轴

订购

产品型号

SN74SSTV16857DGGR

TOP- SIDE

记号

SSTV16857

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计

准则可在www.ti.com/sc/package 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

Widebus是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2002年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

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14位寄存缓冲器

与SSTL_2输入和输出

功能表

输入

RESET

H

H

H

L

CLK

↑

↑

L或H

X或浮

CLK

↓

↓

L或H

X或浮

D

H

L

X

X或浮

产量

Q

H

L

Q0

L

逻辑图（正逻辑）

RESET

CLK

CLK

VREF

D1

34

38

39

35

48

1D

C1

R

1

Q1

其中的14个频道

TO 13其他渠道

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

或V

DDQ

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至3.6 V

输入电压范围，V

I

（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V

CC

+ 0.5 V

输出电压范围，V

O

（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V

DDQ

+ 0.5 V

输入钳位电流，I

IK

(V

I

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

输出钳位电流，I

OK

(V

O

＆ LT ; 0或V

O

＆ GT ; V

DDQ

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±50

mA

连续输出电流，I

O

(V

O

= 0至V

DDQ

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±50

mA

连续电流通过每个V

CC

, V

DDQ

或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±100

mA

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。

2.该值被限制为3.6伏的最大值。

3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

2

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与SSTL_2输入和输出

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推荐工作条件（见注4 ）

民

VCC

VDDQ

VREF

VTT

VI

VIH

VIL

VIH

VIL

VIH

VIL

VICR

六（ PP）

IOH

IOL

电源电压

输出电源电压

参考电压（VREF = VDDQ / 2）

终止电压

输入电压

交流高电平的输入电压

AC低电平输入电压

直流高电平的输入电压

DC低电平输入电压

高电平输入电压

低电平输入电压

共模输入电压范围

峰 - 峰值输入电压

高电平输出电流

低电平输出电流

数据输入

数据输入

数据输入

数据输入

RESET

RESET

CLK ， CLK

CLK ， CLK

0.97

360

–20

20

mA

1.7

0.7

1.53

VREF+150mV

VREF–150mV

VDDQ

2.3

1.15

VREF–40mV

0

VREF+310mV

VREF–310mV

1.25

VREF

喃

最大

2.7

2.7

1.35

VREF+40mV

VCC

单位

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

mV

TA

工作自由空气的温度

0

70

_C

注4 ：该设备的复位输入必须在一个有效的逻辑电平举行（不浮动），以确保器件正常工作。差分输入

不得浮除非RESET为低。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文学

数SCBA004 。

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

VIK

VOH

VOL

II

ICC

所有的输入

静态待机

静态工作

动态工作 -

只有时钟

ICCD

动态工作 -

按每个数据输入

输出高

输出低

r

OH - ROL

数据输入

Ci

CLK ， CLK

RESET

II = -18毫安

IOH = -100

A

IOH = -16毫安

IOL = 100

A

IOL = 16毫安

VI = VCC或GND

RESET = GND

RESET = VCC ， VI = VIH （ AC）或VIL （ AC）

复位值= VCC时， VI = VIH （AC）或VIL（ AC）

CLK和CLK的开关占空比为50％

复位值= VCC时， VI = VIH （AC）或VIL（ AC）

CLK和CLK的开关占空比为50％ ，

一个数据输入的切换

二分之一时钟频率，50 ％占空比

IOH = -20毫安

IOL = 20毫安

IO = 20 mA时， TA = 25℃

VI = VREF

±

310毫伏

VICR = 1.25 V ， VI （ PP ） = 360 mV的

IO = 0

2.5 V

9

IO = 0

2.7

27V

8

28

测试条件

VCC和

VDDQ

2.3 V

2.3 V至2.7 V

2.3 V

2.3 V至2.7 V

2.3 V

2.7 V

VDDQ–0.2

1.95

0.2

0.35

±5

10

56

V

A

A

mA

A/

兆赫

A/

时钟

兆赫/

D输入

20

20

6

2.5

2.5 V

2.5

2.5

3

3

3

3.5

3.5

3.5

pF

F

民

TYP

最大

–1.2

单位

V

V

ROH

ROL

RO（ Δ ）

2.3 V至2.7 V

2.3 V至2.7 V

2.5 V

7

7

VI = VCC或GND

所有典型值是在VCC = 2.5 V ， TA = 25 ℃。

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时序要求在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有

说明）（参见图1）

VCC = 2.5 V

±

0.2 V

民

fclock

tw

TACT

TINACT

TSU

时钟频率

脉冲持续时间

差分输入活动时间（见注5 ）

差分输入端处于非活动状态的时间（见注6 ）

快速压摆率（见注7和9）

格局

集P的时间

缓慢的压摆率（见注8和9）

快速压摆率（见注7和9）

th

保持时间

缓慢的压摆率（见注8和9）

数据英尺CLK ↑

CLK ↑ d后T， CLK ↓

CLK ↑数据之前， CLK ↓

T B F

CLK “

0.75

0.9

0.75

0.9

ns

ns

CLK ， CLK高或低

2.5

22

22

最大

200

兆赫

ns

ns

ns

单位

对于此测试条件下， VDDQ总是等于VCC。

注： 5.数据输入必须保持为低电平的机智分钟的最短时间，复位后采取高。

6.数据和时钟输入必须在有效的水平（不浮动）为TINACT分钟的最短时间举行， RESET为低电平之后。

7.数据信号输入的转换速率

≥1

V / ns的

8.数据信号输入的转换速率

≥0.5

V / ns的和

<1

V / ns的

9. CLK ， CLK输入转换率

≥1

V / ns的。

开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明） （参见图1）

参数

FMAX

tPD的

的TPH1

从

（输入）

TO

（输出）

VCC = 2.5 V

±

0.2 V

民

200

CLK和CLK

RESET

Q

Q

1.1

2.8

5

最大

兆赫

ns

ns

单位

对于此测试条件下， VDDQ总是等于VCC。

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参数测量信息

VTT

50

从输出

被测

CL = 30 pF的

（见注一）

测试点

负载电路

tw

VIH

输入

LVCMOS

RESET

输入

TINACT

ICC

（见

注二）

90%

10%

电压和电流波形

输入活动和非活动时间

VCC

VCC/2

VCC/2

0V

TACT

ICCH

ICCL

定时

输入

TPLH

VICR

VICR

电压波形

脉冲持续时间

六（ PP）

VREF

VREF

VIL

的TPH1

VOH

产量

VTT

电压波形

传播延迟时间

VTT

VOL

六（ PP）

定时

输入

VICR

LVCMOS

RESET

输入

VIH

VCC/2

VIL

的TPH1

TSU

输入

VREF

th

VIH

VREF

VIL

产量

VOH

VTT

VOL

电压波形

传播延迟时间

电压波形

建立和保持时间

注：A CL包括探针和夹具电容。

二IC卡用在VCC或GND保持时钟和数据输入测试和IO = 0毫安。

C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR

≤

10兆赫，Z0 = 50

,

输入转换率= 1 V / ns的

±20%

（除非另有说明） 。

D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。

E. VTT = VREF = VDDQ / 2

F. VIH = VREF + 310毫伏（交流电压等级）的差分输入。 VIH = VCC为LVCMOS输入。

G. VIL = VREF - 310毫伏（交流电压等级）的差分输入。 VIL = GND为LVCMOS输入。

H. tPLH的和的TPH1相同公吨。

图1.负载电路和电压波形

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