SN74SSTU32864
25位可配置寄存缓冲器
与SSTL_18输入和输出
SCES434 - 2003年3月
D
D
D
D
D
D
D
德州仪器会员
Widebus + 家庭
引脚排列优化DDR- II DIMM PCB布局
配置为25位, 1:1或14位, 1:2
寄存缓冲器
片选输入门的数据输出
改变状态,并最小化系统
耗电量
输出边缘控制电路可有效降低
开关噪声,在未终结线
支持SSTL_18数据输入
差分时钟( CLK和CLK )输入
D
D
D
D
支持LVCMOS接通的水平
控制和复位输入
RESET输入禁用差分输入
接收器,复位所有寄存器和
强制所有输出低
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 5000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
描述/订购信息
这个25位的1:1或14位1:2配置的注册缓冲器被设计为1.7 V至1.9 -VV
CC
操作。在
1: 1的引脚配置,每个DIMM只有一个设备需要驱动9 SDRAM的负载。在1:2的引脚
配置中,每个DIMM两个设备都需要驱动18 SDRAM的负载。
所有的输入都是SSTL_18 ,除了LVCMOS复位( RESET )和LVCMOS控制(CN )的投入。所有输出
边缘控制电路的未终结DIMM负载优化,满足SSTL_18规范。
该SN74SSTU32864工作在差分时钟( CLK和CLK ) 。数据登记在路口
CLK的持续高CLK变低。
在C0输入控制1的引脚排列配置: 2引脚排列,从寄存器的配置(当低)到
注册-B配置(高时) 。 C1的输入控制引脚排列配置25位1 : 1 (时低)
14位的1 :2(高时) 。 C0和C1不应在正常操作期间进行切换。它们应是硬连线的
一个有效的低电平或高电平配置寄存器中所需的模式。在25位的1: 1的引脚配置,
在A6 ,D6和H6的端子被驱动为低电平而不宜使用。
该设备支持低功耗待机操作。当RESET为低电平时,差分输入接收器
残疾人和无驱动(浮动)的数据,时钟和基准电压(V
REF
)的输入是允许的。另外,当
RESET为低电平时,所有寄存器复位,所有输出都被拉低。该LVCMOS RESET和CN投入始终
必须在一个有效的逻辑高电平或低电平举行。
这两个V
REF
引脚( A 3和T3 ) ,是由大约150个内部连接在一起
.
然而,这是
仅需要连接两个V中的一个
REF
引脚到外部V
REF
电源。未使用的V
REF
针
应带V被终止
REF
耦合电容。
订购信息
TA
0 ° C至70℃
包
LFBGA - GKE
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74SSTU32864GKER
TOP- SIDE
记号
SU864
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus +是德州仪器公司的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74SSTU32864
25位可配置寄存缓冲器
与SSTL_18输入和输出
SCES434 - 2003年3月
描述/订购信息(续)
该器件还支持通过监控系统的芯片选择低功耗主动操作( DCS与CSR)
输入和意志门更改状态时, DCS和企业社会责任的投入是很高的尺寸Qn输出。如果任DCS
或CSR投入低,尺寸Qn输出正常。 RESET输入的优先级高于DCS与企业社会责任
控制和强制输出低电平。如果DCS控制功能不期望的话, CSR的输入可以是硬线连接的
到地面,在这种情况下,用于DCS系统的建立时间要求的是一样的,其它D数据输入。
为确保从寄存器定义的输出稳定的时钟已经提供之前, RESET必须在中国北京举行
上电时低的状态。
GKE包装
( TOP VIEW )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
终端分配为1:1的寄存器( C0 = 0 ,C1 = 0)
1
D1 ( DCKE )
D2
D3
D4 ( DODT )
D5
D6
NC
CLK
CLK
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
2
NC
D15
D16
NC
D17
D18
RESET
D7 ( DCS )
企业社会责任
D19
D20
D21
D22
D23
D24
D25
3
VREF
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
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VCC
VREF
4
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
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VCC
VCC
5
Q1 ( QCKE )
Q2
Q3
Q4 ( QODT )
Q5
Q6
C1
Q7 ( QCS )
NC
Q8
Q9
Q10
Q11
Q12
Q13
Q14
6
DNU
Q15
Q16
DNU
Q17
Q18
C0
DNU
NC
Q19
Q20
Q21
Q22
Q23
Q24
Q25
括号中的每个引脚名称表示的DDR- II DIMM信号名称。
NC - 无内部连接
DNU =不使用
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
SN74SSTU32864
25位可配置寄存缓冲器
与SSTL_18输入和输出
SCES434 - 2003年3月
逻辑图1 : 1配置寄存器(正逻辑)
RESET
CLK
CLK
VREF
D1 ( DCKE )
G2
H1
J1
A3 , T3
A1
D
CLK
R
A5
Q1 ( QCKE )
D4 ( DODT )
D1
D
CLK
R
D5
Q4 ( QODT )
D7 ( DCS )
H2
D
CLK
R
H5
Q7 ( QCS )
企业社会责任
J2
一个22通道
D2
B1
D
CE
CLK
R
B5
Q2
至21的其它信道( D3 ,D5,D6 ,D8 -D25 )
邮政信箱655303
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3
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25位可配置寄存缓冲器
与SSTL_18输入和输出
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GKE包装
( TOP VIEW )
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K
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2
3
4
5
6
A
终端分配1 : 2寄存器A ( C0 = 0 , C1 = 1 )
1
D1 ( DCKE )
D2
D3
D4 ( DODT )
D5
D6
NC
CLK
CLK
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
2
NC
DNU
DNU
NC
DNU
DNU
RESET
D7 ( DCS )
企业社会责任
DNU
DNU
DNU
DNU
DNU
DNU
DNU
3
VREF
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
VREF
4
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
VCC
5
Q1A
( QCKEA )
Q2A
Q3A
Q4A
( QODTA )
Q5A
Q6A
C1
Q7A
( QCSA )
NC
Q8A
Q9A
Q10A
Q11A
Q12A
Q13A
Q14A
6
Q1B
( QCKEB )
Q2B
Q3B
Q4B
( QODTB )
Q5B
Q6B
C0
Q7B
( QCSB )
NC
Q8B
Q9B
Q10B
Q11B
Q12B
Q13B
Q14B
M
N
P
R
T
括号中的每个引脚名称表示的DDR- II DIMM信号名称。
NC - 无内部连接
DNU =不使用
4
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达拉斯,德克萨斯州75265
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25位可配置寄存缓冲器
与SSTL_18输入和输出
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逻辑图1 : 2寄存器的配置(正逻辑)
RESET
CLK
CLK
VREF
D1 ( DCKE )
G2
H1
J1
A3 , T3
A1
D
CLK
R
A6
Q1B ( QCKEB )
A5
Q1A ( QCKEA )
D4 ( DODT )
D1
D
CLK
R
D5
Q4A ( QODTA )
D6
Q4B ( QODTB )
D7 ( DCS )
H2
D
CLK
R
H5
Q7A ( QCSA )
H6
Q7B ( QCSB )
企业社会责任
J2
其中11个频道的
D2
B1
D并行
CLK
B5
Q2A
B6
R
Q2B
至10的其它信道( D3 ,D5,D6 ,D8 -D14 )
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5
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25位可配置寄存缓冲器
与SSTL_18输入和输出
SCES434 - 2003年3月
D
D
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D
D
D
D
德州仪器会员
Widebus + 家庭
引脚排列优化DDR- II DIMM PCB布局
配置为25位, 1:1或14位, 1:2
寄存缓冲器
片选输入门的数据输出
改变状态,并最小化系统
耗电量
输出边缘控制电路可有效降低
开关噪声,在未终结线
支持SSTL_18数据输入
差分时钟( CLK和CLK )输入
D
D
D
D
支持LVCMOS接通的水平
控制和复位输入
RESET输入禁用差分输入
接收器,复位所有寄存器和
强制所有输出低
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 5000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
描述/订购信息
这个25位的1:1或14位1:2配置的注册缓冲器被设计为1.7 V至1.9 -VV
CC
操作。在
1: 1的引脚配置,每个DIMM只有一个设备需要驱动9 SDRAM的负载。在1:2的引脚
配置中,每个DIMM两个设备都需要驱动18 SDRAM的负载。
所有的输入都是SSTL_18 ,除了LVCMOS复位( RESET )和LVCMOS控制(CN )的投入。所有输出
边缘控制电路的未终结DIMM负载优化,满足SSTL_18规范。
该SN74SSTU32864工作在差分时钟( CLK和CLK ) 。数据登记在路口
CLK的持续高CLK变低。
在C0输入控制1的引脚排列配置: 2引脚排列,从寄存器的配置(当低)到
注册-B配置(高时) 。 C1的输入控制引脚排列配置25位1 : 1 (时低)
14位的1 :2(高时) 。 C0和C1不应在正常操作期间进行切换。它们应是硬连线的
一个有效的低电平或高电平配置寄存器中所需的模式。在25位的1: 1的引脚配置,
在A6 ,D6和H6的端子被驱动为低电平而不宜使用。
该设备支持低功耗待机操作。当RESET为低电平时,差分输入接收器
残疾人和无驱动(浮动)的数据,时钟和基准电压(V
REF
)的输入是允许的。另外,当
RESET为低电平时,所有寄存器复位,所有输出都被拉低。该LVCMOS RESET和CN投入始终
必须在一个有效的逻辑高电平或低电平举行。
这两个V
REF
引脚( A 3和T3 ) ,是由大约150个内部连接在一起
.
然而,这是
仅需要连接两个V中的一个
REF
引脚到外部V
REF
电源。未使用的V
REF
针
应带V被终止
REF
耦合电容。
订购信息
TA
0 ° C至70℃
包
LFBGA - GKE
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74SSTU32864GKER
TOP- SIDE
记号
SU864
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus +是德州仪器公司的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
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SN74SSTU32864
25位可配置寄存缓冲器
与SSTL_18输入和输出
SCES434 - 2003年3月
描述/订购信息(续)
该器件还支持通过监控系统的芯片选择低功耗主动操作( DCS与CSR)
输入和意志门更改状态时, DCS和企业社会责任的投入是很高的尺寸Qn输出。如果任DCS
或CSR投入低,尺寸Qn输出正常。 RESET输入的优先级高于DCS与企业社会责任
控制和强制输出低电平。如果DCS控制功能不期望的话, CSR的输入可以是硬线连接的
到地面,在这种情况下,用于DCS系统的建立时间要求的是一样的,其它D数据输入。
为确保从寄存器定义的输出稳定的时钟已经提供之前, RESET必须在中国北京举行
上电时低的状态。
GKE包装
( TOP VIEW )
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终端分配为1:1的寄存器( C0 = 0 ,C1 = 0)
1
D1 ( DCKE )
D2
D3
D4 ( DODT )
D5
D6
NC
CLK
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D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
2
NC
D15
D16
NC
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RESET
D7 ( DCS )
企业社会责任
D19
D20
D21
D22
D23
D24
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3
VREF
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
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GND
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GND
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4
VCC
GND
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VCC
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Q1 ( QCKE )
Q2
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Q4 ( QODT )
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Q7 ( QCS )
NC
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DNU
Q15
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DNU
Q17
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C0
DNU
NC
Q19
Q20
Q21
Q22
Q23
Q24
Q25
括号中的每个引脚名称表示的DDR- II DIMM信号名称。
NC - 无内部连接
DNU =不使用
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
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25位可配置寄存缓冲器
与SSTL_18输入和输出
SCES434 - 2003年3月
逻辑图1 : 1配置寄存器(正逻辑)
RESET
CLK
CLK
VREF
D1 ( DCKE )
G2
H1
J1
A3 , T3
A1
D
CLK
R
A5
Q1 ( QCKE )
D4 ( DODT )
D1
D
CLK
R
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Q4 ( QODT )
D7 ( DCS )
H2
D
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R
H5
Q7 ( QCS )
企业社会责任
J2
一个22通道
D2
B1
D
CE
CLK
R
B5
Q2
至21的其它信道( D3 ,D5,D6 ,D8 -D25 )
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
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25位可配置寄存缓冲器
与SSTL_18输入和输出
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GKE包装
( TOP VIEW )
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A
B
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A
终端分配1 : 2寄存器A ( C0 = 0 , C1 = 1 )
1
D1 ( DCKE )
D2
D3
D4 ( DODT )
D5
D6
NC
CLK
CLK
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
2
NC
DNU
DNU
NC
DNU
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RESET
D7 ( DCS )
企业社会责任
DNU
DNU
DNU
DNU
DNU
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VREF
GND
VCC
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VCC
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VREF
4
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
VCC
5
Q1A
( QCKEA )
Q2A
Q3A
Q4A
( QODTA )
Q5A
Q6A
C1
Q7A
( QCSA )
NC
Q8A
Q9A
Q10A
Q11A
Q12A
Q13A
Q14A
6
Q1B
( QCKEB )
Q2B
Q3B
Q4B
( QODTB )
Q5B
Q6B
C0
Q7B
( QCSB )
NC
Q8B
Q9B
Q10B
Q11B
Q12B
Q13B
Q14B
M
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括号中的每个引脚名称表示的DDR- II DIMM信号名称。
NC - 无内部连接
DNU =不使用
4
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达拉斯,德克萨斯州75265
SN74SSTU32864
25位可配置寄存缓冲器
与SSTL_18输入和输出
SCES434 - 2003年3月
逻辑图1 : 2寄存器的配置(正逻辑)
RESET
CLK
CLK
VREF
D1 ( DCKE )
G2
H1
J1
A3 , T3
A1
D
CLK
R
A6
Q1B ( QCKEB )
A5
Q1A ( QCKEA )
D4 ( DODT )
D1
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D5
Q4A ( QODTA )
D6
Q4B ( QODTB )
D7 ( DCS )
H2
D
CLK
R
H5
Q7A ( QCSA )
H6
Q7B ( QCSB )
企业社会责任
J2
其中11个频道的
D2
B1
D并行
CLK
B5
Q2A
B6
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Q2B
至10的其它信道( D3 ,D5,D6 ,D8 -D14 )
邮政信箱655303
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