添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1259页 > SN74S1051
加利福尼亚微设备公司
SN 74S1051
12位肖特基势垒二极管总线端接
特点
?? 24集成二极管在单一封装
提供12个信道，双导轨夹紧动作
??提供独立的总线终端正确
外部线路或卡装载条件
??肖特基二极管技术;优秀的前锋
电压和反向恢复特性
??增强的性能比现有设备
16引脚SOIC封装
应用
??本地高速总线终止所有流行
RISC嵌入式微处理器应用
??高速内存和SDRAM内存
总线终端
产品说明
在高速数据线的反射导致下冲和过冲的干扰而可能导致不正确的
系统操作。电阻器端接，当用于端接高速数据线，增加功率消耗
并降低从而降低抗噪声输出（高）水平。肖特基二极管端接是最佳的整体
为应用的解决方案，其中的功耗和噪声的免疫力是关键的考虑因素。
这个集成肖特基二极管网络提供高速数据线路非常有效终止性能
在可变负载条件。该器件以高达每包12行终止支持？每个罐
同时被夹紧到地面和电源轨。
概略结构
D01 D02 D03 D04
2
3
4
5
D05
6
D06 D07 D08
7
10
11
D09 D10 D11
12
13
14
D12
15
V
DD
1
V
DD
16
8
GND
9
GND
1998加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
P / Active是一个注册商标， PAC是一种
1998年加州
微设备公司保留所有权利。商标加利福尼亚微设备公司的。
4 / 98
4 / 98
C0220298D
215黄玉街，加利福尼亚州95035
联系电话： （ 408 ） 263-3214 （ 408 ） 263-7846263-7846
传真： （ 408 ）
www.calmicro.com
215黄玉街， Milpitas的Milpitas，加利福尼亚95035 （408） 263-3214
联系电话：
传真：
www.calmicro.com
1
加利福尼亚微设备公司
SN 74S1051
绝对最大额定值
参数
电源电压
通道钳位电流（连续）
工作温度
储存温度
封装额定功率
标准规格
符号
V
DD
I
钳
TSTG
等级
-0.3V至+ 7V
±50mA
0
O
C至70
O
C
-65
O
C至+150
O
C
625mW ，最大值
绝对最大额定值的限制值，可以单独应用，超出该设备可以被永久地损坏。实用
在任何这些条件的操作不能保证。该设备暴露其绝对最大额定值可能
影响其可靠性。
二极管的特性（T
A
= 0
O
70
O
C)
参数
条件
民
二极管盼着电压
到V
DD
I
F
= 16毫安
I
F
= 50毫安
0.55V
从GND
I
F
= 16毫安
I
F
= 50毫安
0.50V
反向恢复时间（见注1 ）I
F
= 50毫安（估计）
渠道渗漏
0
≤
V
IN
≤
V
DD
输入电容
F = 1MHz时， V
IN
= 2.5V ，T
A
= 25
O
C，V
DD
= 5.0V
ESD保护
MIL -STD -883方法3015
4KV
典型值
0.55V
0.70V
0.50V
0.65V
0.1A
5pF
最大
0.70V
0.90V
0.65V
0.85V
<400pS
5A
标准件订购信息
PA C k的A G ê
奥德环部分N庵为r
引脚
风格
镜筒S
磁带& - [R E E升
16
SOIC窄
SN 74S1051 / T
SN 74S1051 / R
零件标记荷兰国际集团
SN 74S1051
注1 ：
测试电路示出了肖特基二极管在它们的典型应用。的反向恢复时间的影响被测量
使用窄脉冲670- ps的上升和下降时间。此脉冲传播下了60厘米， 54欧姆的带状线制造
上的多层，控制阻抗印制电路板。在测试接地钳位二极管，负边沿
脉冲引起的反射迫使二极管被测成为正向偏置。的正向边沿
脉冲试图把这二极管出正向导通的。反向恢复现象会导致延迟
正边缘的，因时间的已知抵达时间和所观察到的边缘之间所花费的正向偏置
二极管实际上成为反向偏置。在该测量中，然而，没有可观察到的差异，因此
没有延迟，由于二极管的存在下的正边沿。该波形被调节到单独测试的
地面和V
DD
夹。见测试电路。
V
DD
ABT16244A
脉冲
发电机
Z
0
, L
二极管
下
TEST
测试电路。线长度，脉冲宽度和占空比被选择，如只有一个反射参与
在测量中。
1998加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
2
215黄玉街， Milpitas，加利福尼亚95035
联系电话： （ 408 ） 263-3214
传真： （ 408 ） 263-7846
www.calmicro.com
4 / 98
SN74S1051
12位肖特基势垒二极管
BUS-终端阵列
SDLS018A - 1990年9月 - 修订1997年8月
D
D
D
D
为了减少反射噪声
重复峰值正向电流200 mA的
12位阵列结构适合
面向总线的系统
封装选择包括塑料
小外形封装和标准
塑料300密耳的DIP
或N包装
（ TOP VIEW ）
描述
这种肖特基势垒二极管的总线端接阵列
被设计以减少对存储器的反射噪声
公交线路。这种装置由一个12位的
高速肖特基二极管阵列适于
钳位到V
CC
和/或GND 。
该SN74S1051的特点是操作
从0℃至70℃。
V
CC
D01
D02
D03
D04
D05
D06
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
D12
D11
D10
D09
D08
D07
GND
原理图
D01
2
D02
3
D03
4
D04
5
D05
6
D06
7
D07
8
D08
9
D09
12
D10
13
D11
14
D12
15
VCC
1
VCC
16
8
GND
9
GND
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SN74S1051
12位肖特基势垒二极管
BUS-终端阵列
SDLS018A - 1990年9月 - 修订1997年8月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
稳态反向电压，V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V
连续正向电流，I
F
：任何D从GND或V端子
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
共完成所有GND或V
CC
终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 170毫安
重复峰值正向电流
, I
FRM
：从GND或V任何D端子
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
共完成所有GND或V
CC
终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
在（或低于） 25℃自由空气的温度持续总功率耗散（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 625毫瓦
工作自由空气的温度范围内。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些值适用于TW
≤
100
s,
占空比
≤
20%.
注1：上述操作25℃自由空气的温度，减免线性在5米的速度/ W / ℃。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
单二极管操作（见注2 ）
参数
到Vcc
VF
静态正向电压
从GND
VFM
IR
Ct
峰值正向电压
静态反向电流
总电容
到Vcc
从GND
VR = 0V ，
VR = 2V，
测试条件
IF = 18毫安
IF = 50毫安
IF = 18毫安
IF = 50毫安
IF = 200毫安
VR = 7 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
8
4
民
TYP
0.85
1.05
0.75
0.95
1.45
5
5
16
8
最大
1.05
1.3
0.95
1.2
V
A
pF
V
单位
所有典型值是在VCC = 5V ， TA = 25 ℃。
注2 ：试验条件和限制单独地应用到每个二极管。二极管不被测试是开路的测量期间
这些特征。
多个二极管操作
参数
Ix
内部串扰电流
测试条件
总电流IF = 1 A，
总电流IF = 198毫安，
见注3
见注3
民
TYP
0.8
0.02
最大
2
0.2
单位
mA
所有典型值是在VCC = 5V ， TA = 25 ℃。
注3 ：九是在以下条件下测得的与一个二极管静态的，所有其他开关：
开关二极管： TW = 100
s,
占空比= 20 ％
静态二极管： VR = 5 V
静态二极管输入电流是内部串扰电流Ix 。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1和图2）
参数
TRR
反向恢复时间
如果= 10 mA时，
测试条件
IRM （ REC ） = 10毫安，
IR （ REC ）= 1毫安，
RL = 100
民
典型值
8
最大
16
单位
ns
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
SN74S1051
12位肖特基势垒二极管
BUS-终端阵列
SDLS018A - 1990年9月 - 修订1997年8月
参数测量信息
50
450
（见注一）
脉冲
发电机
DUT
采样
示波器
（见注B）
90%
输入脉冲
（见注一）
10%
tr
产量
波形
（见注B）
VFM
VF
注：A的输入脉冲由脉冲发生器具有以下特征提供：痕量= 20纳秒，Z0 = 50
,
频率= 500赫兹，
占空比= 1 ％ 。
B的输出波形是由具有以下特征的示波器监视：痕量
≤
350 ps的，日= 50
,
Ci
≤
5 pF的。
图1.正向恢复电压
DUT
（见注一）
脉冲
发电机
IF
采样
示波器
（见注B）
tf
10%
输入脉冲
（见注一）
90%
If
0
产量
波形
（见注B） IR （ REC ）
TRR
IRM （ REC ）
注意： TF = 0.5纳秒，Z0 = 50 ： A的输入脉冲是由具有以下特征的脉冲发生器提供
,
tw
≥
50纳秒，
占空比= 1 ％ 。
B的输出波形是由具有以下特征的示波器监视：痕量
≤
350 ps的，日= 50
,
Ci
≤
5 pF的。
图2.反向恢复时间
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
SN74S1051
12位肖特基势垒二极管
BUS-终端阵列
SDLS018A - 1990年9月 - 修订1997年8月
应用信息
在存储器装置（ DRAM中，静态存储器， EPROM中，等等）的输入端或在发生大的负的瞬变
许多时钟器件的时钟线路会导致设备的操作不当。该SN74S1051二极管
终止阵列有助于抑制由于传输线的反射，串扰负瞬变，并
开关噪声。
相比于电阻终端方案二极管端接有几个优点。分压电阻或
Thevenin等效终止可以导致功耗大幅度增加。利用单个电阻器的
到地终止线通常会导致输出高电平的劣化，从而降低噪声的免疫力。
串联的阻尼电阻器放置在驱动器的输出降低负瞬变，但它们也可以增加
传播延迟的路线，作为一个串联电阻减小了驱动装置的输出驱动能力。二极管
终端则没有这些缺点。
二极管阵列在减少负瞬态操作在下面的附图进行说明。二极管
传导电流时的电压达到负的值足够大，以使二极管导通。制止
负的瞬变通过该二极管的电流 - 电压特性曲线跟踪。典型
电流 - 电压曲线的SN74S1051示于图3和图4 。
以说明二极管阵列如何起到减少负瞬态在传输线的端部，所述测试装置
在图5中进行了评价。使用和不使用二极管所产生的波形示于图6中。
发生在二极管阵列在抑制负瞬变的最大效益时，二极管阵列
放在行和/或一个长存根分支的主传输线的端部的端部。二极管也可以
用于减少发生的负瞬态由于在一个行的中间的不连续性。这样的一个例子
是提供了一个附加卡背板插槽。
二极管的正向电流
vs
二极管的正向电压
–100
–90
–80
I
I
- 正向电流 - 毫安
–70
–60
–50
–40
–30
–20
–10
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
VI - 正向电压 - V
TA = 25°C
图3.典型的输入电流与输入电压
（下二极管）
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
SN74S1051
12位肖特基势垒二极管
BUS-终端阵列
SDLS018A - 1990年9月 - 修订1997年8月
二极管的正向电流
vs
二极管的正向电压
100
90
80
I
I
- 正向电流 - 毫安
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
VI - 正向电压 - V
TA = 25°C
图4.典型输入电流与输入电压
（上二极管）
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
SN74S1051
12位肖特基势垒二极管
BUS-终端阵列
SDLS018B - 1990年9月 - 修订2003年3月
D
D
D
为了减少反射噪声
重复峰值正向电流200 mA的
12位阵列结构适合
面向总线的系统
D，N ， NS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
这种肖特基势垒二极管的总线端接阵列
被设计以减少对存储器的反射噪声
公交线路。这种装置由一个12位的
高速肖特基二极管阵列适于
钳位到V
CC
和/或GND 。
订购信息
TA
PDIP - N
0 ° C至70℃
SOIC - D
SOP - NS
TSSOP - PW
包装
管
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
V
CC
D01
D02
D03
D04
D05
D06
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
D12
D11
D10
D09
D08
D07
GND
订购
产品型号
SN74S1051N
SN74S1051D
SN74S1051DR
SN74S1051NSR
SN74S1051PWR
TOP- SIDE
记号
SN74S1051N
S1051
74S1051
S1051
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
原理图
D01
2
D02
3
D03
4
D04
5
D05
6
D06
7
D07
10
D08
11
D09
12
D10
13
D11
14
D12
15
VCC
1
VCC
16
8
GND
9
GND
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2003年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SN74S1051
12位肖特基势垒二极管
BUS-终端阵列
SDLS018B - 1990年9月 - 修订2003年3月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
稳态反向电压，V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V
连续正向电流，I
F
：任何D从GND或V端子
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
共完成所有GND或V
CC
终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 170毫安
, I
重复峰值正向电流
FRM
：从GND或V任何D端子
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
共完成所有GND或V
CC
终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注1 ） ：D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
N包装， 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67 ° C / W
NS包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108 ° C / W
工作自由空气的温度范围内。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些值适用于TW
≤
100
s,
占空比
≤
20%.
注1 ：该封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
单二极管操作（见注2 ）
参数
到Vcc
VF
静态正向电压
从GND
VFM
IR
Ct
峰值正向电压
静态反向电流
总电容
到Vcc
从GND
VR = 0V ，
VR = 2V，
测试条件
IF = 18毫安
IF = 50毫安
IF = 18毫安
IF = 50毫安
IF = 200毫安
VR = 7 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
8
4
民
TYP
0.85
1.05
0.75
0.95
1.45
5
5
16
8
最大
1.05
1.3
0.95
1.2
V
A
pF
V
单位
所有典型值是在VCC = 5V ， TA = 25 ℃。
注2 ：试验条件和限制单独地应用到每个二极管。二极管不被测试是开路的测量期间
这些特征。
多个二极管操作
参数
Ix
内部串扰电流
测试条件
总电流IF = 1 A，
总电流IF = 198毫安，
见注3
见注3
民
TYP
0.8
0.02
最大
2
0.2
单位
mA
所有典型值是在VCC = 5V ， TA = 25 ℃。
注3 ：九是在以下条件下测得的与一个二极管静态的，所有其他开关：
开关二极管： TW = 100
s,
占空比= 20 ％
静态二极管： VR = 5 V
静态二极管输入电流是内部串扰电流，1× 。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1和图2）
参数
TRR
反向恢复时间
如果= 10 mA时，
测试条件
IRM （ REC ） = 10毫安，
IR （ REC ）= 1毫安，
RL = 100
民
典型值
8
最大
16
单位
ns
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
SN74S1051
12位肖特基势垒二极管
BUS-终端阵列
SDLS018B - 1990年9月 - 修订2003年3月
参数测量信息
50
450
（见注一）
脉冲
发电机
DUT
采样
示波器
（见注B）
90%
输入脉冲
（见注一）
10%
tr
产量
波形
（见注B）
VFM
VF
注：A的输入脉冲由脉冲发生器具有以下特征提供：痕量= 20纳秒，Z0 = 50
,
频率= 500赫兹，
占空比= 1 ％ 。
B的输出波形是由具有以下特征的示波器监视：痕量
≤
350 ps的，日= 50
,
Ci
≤
5 pF的。
图1.正向恢复电压
DUT
（见注一）
脉冲
发电机
IF
采样
示波器
（见注B）
tf
10%
输入脉冲
（见注一）
90%
If
0
产量
波形
（见注B） IR （ REC ）
TRR
IRM （ REC ）
注意： TF = 0.5纳秒，Z0 = 50 ： A的输入脉冲是由具有以下特征的脉冲发生器提供
,
tw
≥
50纳秒，
占空比= 1 ％ 。
B的输出波形是由具有以下特征的示波器监视：痕量
≤
350 ps的，日= 50
,
Ci
≤
5 pF的。
图2.反向恢复时间
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
SN74S1051
12位肖特基势垒二极管
BUS-终端阵列
SDLS018B - 1990年9月 - 修订2003年3月
应用信息
在存储器装置（ DRAM中，静态存储器， EPROM中，等等）的输入大的负瞬态或在时钟线
许多经计时装置可导致器件的操作不当。该SN74S1051二极管阵列终止
有助于抑制由传输线反射，串扰和开关噪声的负瞬态。
相比于电阻终端方案二极管端接有几个优点。分电阻或
戴维宁等效终端可导致功耗的显着增加。利用单个电阻器的
到地终止线通常会导致输出高电平的劣化，从而降低噪声的免疫力。
串联的阻尼电阻器放置在驱动器的输出降低负瞬变，但它们也可以增加
传播延迟的路线，因为串联电阻减小了驱动装置的输出驱动能力。
二极管端接有没有这些缺点。
二极管阵列在减少负瞬态操作在下面的附图进行说明。二极管
传导电流时的电压达到负的值足够大，以使二极管导通。制止
负的瞬变通过该二极管的电流 - 电压特性曲线跟踪。典型
电流 - 电压曲线的SN74S1051示于图3和图4 。
以说明二极管阵列如何起到减少负瞬态在传输线的端部，所述测试装置
在图5中进行了评价。使用和不使用二极管所产生的波形示于图6中。
发生在二极管阵列在抑制负瞬变的最大效益时，二极管阵列
放在行和/或一个长存根分支的主传输线的端部的端部。二极管也可以
减少的发生是由于在一个行的中间不连续的负的瞬变。这样的一个例子是在一个时隙
提供了一个附加卡的背板。
二极管的正向电流
vs
二极管的正向电压
–100
–90
–80
I
I
- 正向电流 - 毫安
–70
–60
–50
–40
–30
–20
–10
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
VI - 正向电压 - V
TA = 25°C
图3.典型的输入电流与输入电压
（下二极管）
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
SN74S1051
12位肖特基势垒二极管
BUS-终端阵列
SDLS018B - 1990年9月 - 修订2003年3月
二极管的正向电流
vs
二极管的正向电压
100
90
80
I
I
- 正向电流 - 毫安
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
VI - 正向电压 - V
TA = 25°C
图4.典型输入电流与输入电压
（上二极管）
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
查看更多SN74S1051PDF信息
推荐型号
SN74AUP1G02DRLRG4
SN74AUP1G32DSFR
STTH102A
SN74AUP1G58DCKR
SIT2200M200
SK5BS
ST6399
S80C186-25
SI2304
SMD1812P110TSA
SAA7109
STM32F103C8T6TR
SLE66CX80PE
S4924-473K
SG137AK
SLVU2.8-8A1
SMAJ8.0A-13-F
SN65LBC171
SB05-2412D
SI3212-KT
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SN74S1051
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
SN74S1051
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8719
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SN74S1051
TI
2443+
23000
SOP
一级代理专营，原装现货，价格优势
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
SN74S1051
TI/德州仪器
21+
5690
TSOP16
全新原装正品/质量有保证
安徽纽本科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1229871090 复制
电话：400-15695632345
联系人：薛女士
地址：宣州区麒麟大道11号-102
SN74S1051
德州仪器
24+
1002
MODULE
全新原装现货原盒原标实拍欢迎询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
SN74S1051
TI
2409+
6279
SOP
只有全新原装！假一赔十！可以开增票！
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SN74S1051
TI/德州仪器
21+
5690
TSOP16
全新原装正品/质量有保证
深圳市和谐世家电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2441261114 复制
电话：0755-82731800
联系人：付先生
地址：深圳市福田区振华路118号华丽装饰大厦2栋2单元320室
SN74S1051
CMD
24+
只做原装正品
深圳市维基鸿电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：12979146271572952678 复制 点击这里给我发消息 QQ：1693854995 复制

电话：19520735817/13148740183
联系人：米小姐，黄小姐
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
SN74S1051
TI
21+
3050
DIP-14
原新原装正品.量大可订货！
查询更多SN74S1051供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！