SN74LVC2G79
双上升沿触发的D型触发器
SCES498B - 2003年10月 - 修订2003年12月
D
可以在德州仪器
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
4.2 ns的电压为3.3 V
低功耗， 10 μA最大I
CC
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
典型的V
OLP
（输出地弹跳）
＆ LT ; 0.8 V电压V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25°C
典型的V
OHV
（输出V
OH
冲）
>2 V在V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25°C
I
关闭
功能支持部分掉电
模式操作
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DCT或DCU包装
（ TOP VIEW ）
1CLK
1D
2Q
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1Q
2D
2CLK
YEP或YZP包装
（底视图）
GND
2Q
1D
1CLK
4 5
3 6
2 7
1 8
2CLK
2D
1Q
V
CC
描述/订购信息
这种双正边沿触发的D型触发器设计为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
当在数据的数据（D）输入是否满足建立时间要求，该数据被转移到在Q输出
在时钟脉冲的正向边沿。时钟触发发生在电压电平，而不是直接相关
在时钟脉冲的上升时间。以下，保持时间间隔，在D输入的数据可以在不改变
影响水平的输出。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了
模具作为包。
订购信息
TA
包装
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YEP
-40 ° C至85°C
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
SSOP - DCT
VSSOP - DCU
磁带和卷轴
SN74LVC2G79YZPR
磁带和卷轴
磁带和卷轴
SN74LVC2G79DCTR
SN74LVC2G79DCUR
C79_ _ _
C79_
订购
产品型号
SN74LVC2G79YEPR
_ _CR_
TOP- SIDE
标记
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DCT ：实际的顶部端标记有一个指定的年，月，和封装/测试网站另外三个字符。
DCU ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEP / YZP ：实际的顶部端标记有三个前述的字符来表示年，月，和序列码，和一个
下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成
（1 =锡铅，
=无铅） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
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1
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双上升沿触发的D型触发器
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描述/订购信息（续）
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
功能表
输入
CLK
↑
↑
L
D
H
L
X
产量
Q
H
L
Q0
逻辑图，每个触发器（正逻辑）
CLK
C
C
TG
C
C
C
D
TG
TG
TG
C
Q
C
C
C
C
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
输出电压范围，V
O
（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
输入钳位电流，I
IK
(V
I
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
输出钳位电流，I
OK
(V
O
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
连续输出电流，I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
连续电流通过V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注3 ） ： DCT封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220 ° C / W
DCU包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 227 ° C / W
YEP / YZP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 102 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注释：1.输入负电压和输出电压额定值，可能会超过如果输入和输出电流额定值观察。
2. VCC的值在推荐工作条件表中提供。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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推荐工作条件（见注4 ）
民
操作
VCC
电源电压
数据保存时间只有
VCC = 1.65 V至1.95 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 3 V至3.6 V
VCC = 4.5 V至5.5 V
VCC = 1.65 V至1.95 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 3 V至3.6 V
VCC = 4.5 V至5.5 V
0
0
VCC = 1.65 V
VCC = 2.3 V
IOH
高电平输出电流
VCC = 3 V
VCC = 4.5 V
VCC = 1.65 V
VCC = 2.3 V
IOL
低电平输出电流
VCC = 3 V
VCC = 4.5 V
VCC = 1.8 V
±
0.15 V, 2.5 V
±
0.2 V
ΔT/ ΔV
输入过渡上升或下降速率
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
VCC = 5 V
±
0.5 V
1.65
1.5
0.65
×
VCC
1.7
2
0.7
×
VCC
0.35
×
VCC
0.7
0.8
0.3
×
VCC
5.5
VCC
4
8
16
24
32
4
8
16
24
32
20
10
5
NS / V
mA
mA
V
V
V
V
最大
5.5
V
单位
VIH
高电平输入电压
VIL
低电平输入电压
VI
VO
输入电压
输出电压
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注4 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
IOH = -100
mA
IOH = -4毫安
IOH = -8毫安
VOH
IOH = -16毫安
IOH = -24毫安
IOH = -32毫安
IOL = 100
mA
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
VOL
IOL = 16毫安
IOL = 24毫安
IOL = 32毫安
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
D输入
VI = 5.5 V或GND
VI或VO = 5.5 V
VI = 5.5 V或GND ，
一个输入在VCC - 0.6 V，
IO = 0
在VCC和GND的其他投入
测试条件
VCC
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至5.5 V
0
3.5
民
VCC0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±1
±1
5
500
mA
mA
mA
mA
pF
V
V
典型值
最大
单位
VI = VCC或GND
所有典型值是在VCC = 3.3 V ， TA = 25 ℃。
时序要求在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有
说明）（参见图2）
VCC = 1.8 V
±
0.15 V
民
fclock
tw
TSU
th
时钟频率
脉冲持续时间， CLK高或低
建立时间
CLK ↑前
保持时间， CLK ↑数据后，
数据高
数据低
2.5
2.2
2.2
1.4
最大
160
2.5
1.4
1.4
0.8
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
160
2.5
1.1
1.1
0.7
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
160
2.5
0.9
0.9
0.5
ns
ns
VCC = 5 V
±
0.5 V
民
最大
160
兆赫
ns
单位
4
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开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内，C
L
= 15 pF的
（除非另有说明）（参见图1）
参数
FMAX
tPD的
CLK
Q
从
（输入）
TO
（输出）
VCC = 1.8 V
±
0.15 V
民
160
3
9.1
最大
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
160
1.5
6
最大
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
160
1.3
4.2
最大
VCC = 5 V
±
0.5 V
民
160
1.1
3.7
最大
兆赫
ns
单位
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内，C
L
= 30 pF或者
50 pF（除非另有说明）（参见图2）
参数
FMAX
tPD的
CLK
Q
从
（输入）
TO
（输出）
VCC = 1.8 V
±
0.15 V
民
160
4.4
9.9
最大
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
160
2.3
7
最大
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
160
2
5.2
最大
VCC = 5 V
±
0.5 V
民
160
1.3
4.5
最大
兆赫
ns
单位
经营特色，T
A
= 25°C
参数
CPD
功率耗散电容
测试条件
F = 10MHz的
VCC = 1.8 V
典型值
23
VCC = 2.5 V
典型值
23
VCC = 3.3 V
典型值
24
VCC = 5 V
典型值
28
单位
pF
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5
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