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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第270页 > SN74LVC2G53DCTR
SN74LVC2G53
单刀双掷（ SPDT ）模拟开关或
2 ： 1模拟复用器/解复用器
SCES324K - 2001年7月 - 修订2003年9月
D
可以在德州仪器
D
D
D
D
D
D
D
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
1.65 V至5.5 V V
CC
手术
高开 - 关输出电压比
线性程度高
高速，一般为0.5纳秒（V
CC
= 3 V,
C
L
= 50 pF的）
低导通电阻，通常
≈6.5
(V
CC
= 4.5 V)
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DCT或DCU包装
（ TOP VIEW ）
COM
INH
GND
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
Y1
Y2
A
是的，是的， YZA ，或YZP包装
（底视图）
GND
GND
INH
COM
4 5
3 6
2 7
1 8
A
Y2
Y1
V
CC
描述/订购信息
此双模拟多路复用器/多路分解器被设计为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC2G53可以处理模拟和数字信号。该设备允许与振幅信号
高达5.5V（峰值） ，以在任一方向进行传输。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了
模具作为包。
应用包括信号选通，剁碎，调制或解调器（调制解调器） ，以及信号复用为
模拟 - 数字和数字 - 模拟转换系统。
订购信息
TA
包装
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.17毫米的小凸起 - YEA
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.17毫米的小凸点 - YZA （无铅）
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YEP
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
SSOP - DCT
VSSOP - DCU
3000卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
SN74LVC2G53YEPR
SN74LVC2G53YZPR
SN74LVC2G53DCTR
SN74LVC2G53DCUR
SN74LVC2G53DCUT
C53_
C53_ _ _
订购
产品型号
SN74LVC2G53YEAR
SN74LVC2G53YZAR
_ _ _C4_
TOP- SIDE
标记
-40 ° C至85°C
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DCT ：实际的顶部端标记有一个指定的年，月，和封装/测试网站另外三个字符。
DCU ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEA / YZA ， YEP / YZP ：实际的顶部端标记有前三个字符来表示年，月，和序列码，
一下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成
（1 =锡铅，
=无铅） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SCES324K - 2001年7月 - 修订2003年9月
SN74LVC2G53
单刀双掷（ SPDT ）模拟开关或
2 ： 1模拟复用器/解复用器
功能表
控制
输入
INH
L
L
H
A
L
H
X
ON
通道
Y1
Y2
无
逻辑图（正逻辑）
A
5
SW
7
Y1
SW
INH
2
6
1
Y2
COM
注意一个：为了简单起见，通过图4和图6至10示出在图1中的试验条件为多路分解器构成。信号可以
从COM传递到Y1 （ Y2 ），或从Y1 （ Y2 ），以COM 。
简化示意图，各开关（SW）
COM
Y
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
SN74LVC2G53
单刀双掷（ SPDT ）模拟开关或
2 ： 1模拟复用器/解复用器
SCES324K - 2001年7月 - 修订2003年9月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
输入电压范围，V
I
（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
开关I / O电压范围，V
I / O
（见注1 ，2和3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
控制输入钳位电流，I
IK
(V
I
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口的二极管电流，我
IOK
(V
I / O
＆ LT ; 0或V
I / O
＆ GT ; V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
通态电流开关，我
T
(V
I / O
= 0至V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
连续电流通过V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注4 ） ： DCT封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220 ° C / W
DCU包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 227 ° C / W
YEA / YZA包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140 ° C / W
YEP / YZP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 102 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.所有电压是相对于地面，除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3.该值限制为5.5 V，最大。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件（见注5 ）
民
VCC
VI / O
电源电压
I / O端口电压
VCC = 1.65 V至1.95 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 3 V至3.6 V
VCC = 4.5 V至5.5 V
VCC = 1.65 V至1.95 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 3 V至3.6 V
VCC = 4.5 V至5.5 V
0
VCC = 1.65 V至1.95 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 3 V至3.6 V
VCC = 4.5 V至5.5 V
1.65
0
VCC
×
0.65
VCC
×
0.7
VCC
×
0.7
VCC
×
0.7
VCC
×
0.35
VCC
×
0.3
VCC
×
0.3
VCC
×
0.3
5.5
20
20
10
10
NS / V
最大
5.5
VCC
单位
V
V
VIH
高电平输入电压，控制输入
V
VIL
低层次的输入电压，控制输入
V
VI
控制输入电压
V
ΔT/ ΔV
输入过渡的上升/下降时间
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注5 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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3
SCES324K - 2001年7月 - 修订2003年9月
SN74LVC2G53
单刀双掷（ SPDT ）模拟开关或
2 ： 1模拟复用器/解复用器
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
测试条件
VI = VCC或GND ，
VINH = VIL
（参见图1和图2）
IS = 4毫安
IS = 8毫安
IS = 24毫安
IS = 32毫安
IS = 4毫安
IS = 8毫安
IS = 24毫安
IS = 32毫安
IS = 4毫安
IS = 8毫安
IS = 24毫安
IS = 32毫安
VCC
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
民
TYP
13
10
8.5
6.5
86.5
23
13
8
最大
30
20
17
13
120
30
20
15
7
5
3
2
±1
±0.1
±1
±0.1
±1
±0.1
1
500
3.5
6.5
5V
5V
10
19.5
pF
pF
A
A
单位
罗恩
通态电阻开关
罗恩（p）的
峰值通态电阻
VI = VCC和GND ，
VINH = VIL
（参见图1和图2）
r
on
通态电阻的差别
交换机之间
VI = VCC和GND ，
VC = VIH
（参见图1和图2）
IS （OFF）的
断态开关漏电流
VI = VCC和VO = GND或
VI = GND和VO = VCC ，
VINH = VIH（参见图3）
VI = VCC或GND ， VINH = VIL ，
VO =打开（见图4）
VC = VCC或GND
VC = VCC或GND
VC = VCC - 0.6 V
Y
IS （上）
II
ICC
I
CC
CIC
首席信息官（关）
CIO （ ON）
- TA = 25°C
通态开关漏电流
控制输入电流
电源电流
供应电流变化
控制输入电容
开关量输入/输出电容
开关量输入/输出电容
COM
5.5 V
5.5 V
5.5 V
5.5 V
5V
A
A
A
A
A
A
pF
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （见图5）
参数
TPD
10
tdis§
10
从
（输入）
COM或Y
INH
TO
（输出）
Y或COM
COM或Y
3.3
3.2
2.9
VCC = 1.8 V
±
0.15 V
民
最大
2
9
10.9
10.3
2.5
2.3
2.1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
1.2
6.1
8.3
7.2
2.2
2.3
1.9
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.8
5.4
8.1
5.8
1.8
1.6
1.3
VCC = 5 V
±
0.5 V
民
最大
0.6
4.5
8
5.4
ns
ns
单位
ns
tdis§
2.1
9.4
1.4
7.9
1.1
7.2
1
5
tPLH的和的TPH1相同公吨。传播延迟是该开关的典型的通态电阻所计算的RC时间常数和
指定的负载电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
§ tPZL和tPZH是相同的10 。
tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
A
COM或Y
4
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SN74LVC2G53
单刀双掷（ SPDT ）模拟开关或
2 ： 1模拟复用器/解复用器
SCES324K - 2001年7月 - 修订2003年9月
模拟开关特性，T
A
= 25°C
参数
从
（输入）
TO
（输出）
测试条件
VCC
1.65 V
CL = 50 pF的， RL = 600
,
鱼翅=正弦波
（参见图6）
频率响应
（开关）
COM或Y
Y或COM
CL = 5 pF的，RL = 50
,
鱼翅=正弦波
（参见图6）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
CL = 50 pF的， RL = 600
,
翅片= 1兆赫（正弦波）
（参见图7 ）
串扰
（之间切换）
COM或Y
Y或COM
CL = 5 pF的，RL = 50
,
翅片= 1兆赫（正弦波）
（参见图7 ）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
相声
（控制输入到信号输出）
INH
COM或Y
CL = 50 pF的， RL = 600
,
翅片= 1兆赫（方波）
（参见图8）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
CL = 50 pF的， RL = 600
,
翅片= 1兆赫（正弦波）
（参见图9）
直通衰减
（开关OFF）
COM或Y
Y或COM
CL = 5 pF的，RL = 50
,
翅片= 1兆赫（正弦波）
（参见图9）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
CL = 50 pF的， RL = 10 K，
k,
翅片= 1千赫（正弦波）
（参见图10）
正弦波失真
COM或Y
Y或COM
CL = 50 pF的， RL = 10 K，
k,
翅片= 10千赫（正弦波）
（参见图10）
鳍调整电压，以获得0 dBm的输出处。增加散热片频率，直到分贝仪读取-3分贝。
调整鳍片的电压，以获得0 dBm的输入端。
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
典型值
35
120
190
215
>300
>300
>300
>300
58
58
58
58
42
42
42
42
35
50
70
100
60
60
60
60
50
50
50
50
0.1
0.025
0.015
0.01
0.15
0.025
0.015
0.01
%
dB
mV
dB
兆赫
单位
经营特色，T
A
= 25°C
参数
CPD
功率耗散电容
测试条件
CL = 50 pF的，
F = 10MHz的
VCC = 1.8 V
典型值
9
VCC = 2.5 V
典型值
10
VCC = 3.3 V
典型值
10
VCC = 5 V
典型值
12
单位
pF
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5
SN74LVC2G53
单刀双掷（ SPDT ）模拟开关或
2 ： 1模拟复用器/解复用器
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D
可以在德州仪器
D
D
D
D
D
D
D
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
1.65 V至5.5 V V
CC
手术
高开 - 关输出电压比
线性程度高
高速，一般为0.5纳秒（V
CC
= 3 V,
C
L
= 50 pF的）
低导通电阻，通常
≈6.5
(V
CC
= 4.5 V)
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DCT或DCU包装
（ TOP VIEW ）
COM
INH
GND
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
Y1
Y2
A
是的，是的， YZA ，或YZP包装
（底视图）
GND
GND
INH
COM
4 5
3 6
2 7
1 8
A
Y2
Y1
V
CC
描述/订购信息
此双模拟多路复用器/多路分解器被设计为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC2G53可以处理模拟和数字信号。该设备允许与振幅信号
高达5.5V（峰值） ，以在任一方向进行传输。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了
模具作为包。
应用包括信号选通，剁碎，调制或解调器（调制解调器） ，以及信号复用为
模拟 - 数字和数字 - 模拟转换系统。
订购信息
TA
包装
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.17毫米的小凸起 - YEA
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.17毫米的小凸点 - YZA （无铅）
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YEP
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
SSOP - DCT
VSSOP - DCU
3000卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
SN74LVC2G53YEPR
SN74LVC2G53YZPR
SN74LVC2G53DCTR
SN74LVC2G53DCUR
SN74LVC2G53DCUT
C53_
C53_ _ _
订购
产品型号
SN74LVC2G53YEAR
SN74LVC2G53YZAR
_ _ _C4_
TOP- SIDE
标记
-40 ° C至85°C
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DCT ：实际的顶部端标记有一个指定的年，月，和封装/测试网站另外三个字符。
DCU ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEA / YZA ， YEP / YZP ：实际的顶部端标记有前三个字符来表示年，月，和序列码，
一下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成
（1 =锡铅，
=无铅） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
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1
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SN74LVC2G53
单刀双掷（ SPDT ）模拟开关或
2 ： 1模拟复用器/解复用器
功能表
控制
输入
INH
L
L
H
A
L
H
X
ON
通道
Y1
Y2
无
逻辑图（正逻辑）
A
5
SW
7
Y1
SW
INH
2
6
1
Y2
COM
注意一个：为了简单起见，通过图4和图6至10示出在图1中的试验条件为多路分解器构成。信号可以
从COM传递到Y1 （ Y2 ），或从Y1 （ Y2 ），以COM 。
简化示意图，各开关（SW）
COM
Y
2
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单刀双掷（ SPDT ）模拟开关或
2 ： 1模拟复用器/解复用器
SCES324K - 2001年7月 - 修订2003年9月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
输入电压范围，V
I
（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
开关I / O电压范围，V
I / O
（见注1 ，2和3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
控制输入钳位电流，I
IK
(V
I
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口的二极管电流，我
IOK
(V
I / O
＆ LT ; 0或V
I / O
＆ GT ; V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
通态电流开关，我
T
(V
I / O
= 0至V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
连续电流通过V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注4 ） ： DCT封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220 ° C / W
DCU包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 227 ° C / W
YEA / YZA包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140 ° C / W
YEP / YZP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 102 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.所有电压是相对于地面，除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3.该值限制为5.5 V，最大。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件（见注5 ）
民
VCC
VI / O
电源电压
I / O端口电压
VCC = 1.65 V至1.95 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 3 V至3.6 V
VCC = 4.5 V至5.5 V
VCC = 1.65 V至1.95 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 3 V至3.6 V
VCC = 4.5 V至5.5 V
0
VCC = 1.65 V至1.95 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 3 V至3.6 V
VCC = 4.5 V至5.5 V
1.65
0
VCC
×
0.65
VCC
×
0.7
VCC
×
0.7
VCC
×
0.7
VCC
×
0.35
VCC
×
0.3
VCC
×
0.3
VCC
×
0.3
5.5
20
20
10
10
NS / V
最大
5.5
VCC
单位
V
V
VIH
高电平输入电压，控制输入
V
VIL
低层次的输入电压，控制输入
V
VI
控制输入电压
V
ΔT/ ΔV
输入过渡的上升/下降时间
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注5 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
SCES324K - 2001年7月 - 修订2003年9月
SN74LVC2G53
单刀双掷（ SPDT ）模拟开关或
2 ： 1模拟复用器/解复用器
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
测试条件
VI = VCC或GND ，
VINH = VIL
（参见图1和图2）
IS = 4毫安
IS = 8毫安
IS = 24毫安
IS = 32毫安
IS = 4毫安
IS = 8毫安
IS = 24毫安
IS = 32毫安
IS = 4毫安
IS = 8毫安
IS = 24毫安
IS = 32毫安
VCC
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
民
TYP
13
10
8.5
6.5
86.5
23
13
8
最大
30
20
17
13
120
30
20
15
7
5
3
2
±1
±0.1
±1
±0.1
±1
±0.1
1
500
3.5
6.5
5V
5V
10
19.5
pF
pF
A
A
单位
罗恩
通态电阻开关
罗恩（p）的
峰值通态电阻
VI = VCC和GND ，
VINH = VIL
（参见图1和图2）
r
on
通态电阻的差别
交换机之间
VI = VCC和GND ，
VC = VIH
（参见图1和图2）
IS （OFF）的
断态开关漏电流
VI = VCC和VO = GND或
VI = GND和VO = VCC ，
VINH = VIH（参见图3）
VI = VCC或GND ， VINH = VIL ，
VO =打开（见图4）
VC = VCC或GND
VC = VCC或GND
VC = VCC - 0.6 V
Y
IS （上）
II
ICC
I
CC
CIC
首席信息官（关）
CIO （ ON）
- TA = 25°C
通态开关漏电流
控制输入电流
电源电流
供应电流变化
控制输入电容
开关量输入/输出电容
开关量输入/输出电容
COM
5.5 V
5.5 V
5.5 V
5.5 V
5V
A
A
A
A
A
A
pF
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （见图5）
参数
TPD
10
tdis§
10
从
（输入）
COM或Y
INH
TO
（输出）
Y或COM
COM或Y
3.3
3.2
2.9
VCC = 1.8 V
±
0.15 V
民
最大
2
9
10.9
10.3
2.5
2.3
2.1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
1.2
6.1
8.3
7.2
2.2
2.3
1.9
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.8
5.4
8.1
5.8
1.8
1.6
1.3
VCC = 5 V
±
0.5 V
民
最大
0.6
4.5
8
5.4
ns
ns
单位
ns
tdis§
2.1
9.4
1.4
7.9
1.1
7.2
1
5
tPLH的和的TPH1相同公吨。传播延迟是该开关的典型的通态电阻所计算的RC时间常数和
指定的负载电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
§ tPZL和tPZH是相同的10 。
tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
A
COM或Y
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
SN74LVC2G53
单刀双掷（ SPDT ）模拟开关或
2 ： 1模拟复用器/解复用器
SCES324K - 2001年7月 - 修订2003年9月
模拟开关特性，T
A
= 25°C
参数
从
（输入）
TO
（输出）
测试条件
VCC
1.65 V
CL = 50 pF的， RL = 600
,
鱼翅=正弦波
（参见图6）
频率响应
（开关）
COM或Y
Y或COM
CL = 5 pF的，RL = 50
,
鱼翅=正弦波
（参见图6）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
CL = 50 pF的， RL = 600
,
翅片= 1兆赫（正弦波）
（参见图7 ）
串扰
（之间切换）
COM或Y
Y或COM
CL = 5 pF的，RL = 50
,
翅片= 1兆赫（正弦波）
（参见图7 ）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
相声
（控制输入到信号输出）
INH
COM或Y
CL = 50 pF的， RL = 600
,
翅片= 1兆赫（方波）
（参见图8）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
CL = 50 pF的， RL = 600
,
翅片= 1兆赫（正弦波）
（参见图9）
直通衰减
（开关OFF）
COM或Y
Y或COM
CL = 5 pF的，RL = 50
,
翅片= 1兆赫（正弦波）
（参见图9）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
CL = 50 pF的， RL = 10 K，
k,
翅片= 1千赫（正弦波）
（参见图10）
正弦波失真
COM或Y
Y或COM
CL = 50 pF的， RL = 10 K，
k,
翅片= 10千赫（正弦波）
（参见图10）
鳍调整电压，以获得0 dBm的输出处。增加散热片频率，直到分贝仪读取-3分贝。
调整鳍片的电压，以获得0 dBm的输入端。
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
典型值
35
120
190
215
>300
>300
>300
>300
58
58
58
58
42
42
42
42
35
50
70
100
60
60
60
60
50
50
50
50
0.1
0.025
0.015
0.01
0.15
0.025
0.015
0.01
%
dB
mV
dB
兆赫
单位
经营特色，T
A
= 25°C
参数
CPD
功率耗散电容
测试条件
CL = 50 pF的，
F = 10MHz的
VCC = 1.8 V
典型值
9
VCC = 2.5 V
典型值
10
VCC = 3.3 V
典型值
10
VCC = 5 V
典型值
12
单位
pF
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
SN74LVC2G53
单刀双掷（ SPDT ）模拟开关或
2 ： 1模拟复用器/解复用器
SCES324K - 2001年7月 - 修订2003年9月
D
可以在德州仪器
D
D
D
D
D
D
D
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
1.65 V至5.5 V V
CC
手术
高开 - 关输出电压比
线性程度高
高速，一般为0.5纳秒（V
CC
= 3 V,
C
L
= 50 pF的）
低导通电阻，通常
≈6.5
(V
CC
= 4.5 V)
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DCT或DCU包装
（ TOP VIEW ）
COM
INH
GND
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
Y1
Y2
A
是的，是的， YZA ，或YZP包装
（底视图）
GND
GND
INH
COM
4 5
3 6
2 7
1 8
A
Y2
Y1
V
CC
描述/订购信息
此双模拟多路复用器/多路分解器被设计为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC2G53可以处理模拟和数字信号。该设备允许与振幅信号
高达5.5V（峰值） ，以在任一方向进行传输。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了
模具作为包。
应用包括信号选通，剁碎，调制或解调器（调制解调器） ，以及信号复用为
模拟 - 数字和数字 - 模拟转换系统。
订购信息
TA
包装
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.17毫米的小凸起 - YEA
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.17毫米的小凸点 - YZA （无铅）
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YEP
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
SSOP - DCT
VSSOP - DCU
3000卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
SN74LVC2G53YEPR
SN74LVC2G53YZPR
SN74LVC2G53DCTR
SN74LVC2G53DCUR
SN74LVC2G53DCUT
C53_
C53_ _ _
订购
产品型号
SN74LVC2G53YEAR
SN74LVC2G53YZAR
_ _ _C4_
TOP- SIDE
标记
-40 ° C至85°C
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DCT ：实际的顶部端标记有一个指定的年，月，和封装/测试网站另外三个字符。
DCU ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEA / YZA ， YEP / YZP ：实际的顶部端标记有前三个字符来表示年，月，和序列码，
一下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成
（1 =锡铅，
=无铅） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SCES324K - 2001年7月 - 修订2003年9月
SN74LVC2G53
单刀双掷（ SPDT ）模拟开关或
2 ： 1模拟复用器/解复用器
功能表
控制
输入
INH
L
L
H
A
L
H
X
ON
通道
Y1
Y2
无
逻辑图（正逻辑）
A
5
SW
7
Y1
SW
INH
2
6
1
Y2
COM
注意一个：为了简单起见，通过图4和图6至10示出在图1中的试验条件为多路分解器构成。信号可以
从COM传递到Y1 （ Y2 ），或从Y1 （ Y2 ），以COM 。
简化示意图，各开关（SW）
COM
Y
2
邮政信箱655303
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SN74LVC2G53
单刀双掷（ SPDT ）模拟开关或
2 ： 1模拟复用器/解复用器
SCES324K - 2001年7月 - 修订2003年9月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
输入电压范围，V
I
（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
开关I / O电压范围，V
I / O
（见注1 ，2和3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
控制输入钳位电流，I
IK
(V
I
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口的二极管电流，我
IOK
(V
I / O
＆ LT ; 0或V
I / O
＆ GT ; V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
通态电流开关，我
T
(V
I / O
= 0至V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
连续电流通过V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注4 ） ： DCT封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220 ° C / W
DCU包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 227 ° C / W
YEA / YZA包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140 ° C / W
YEP / YZP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 102 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.所有电压是相对于地面，除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3.该值限制为5.5 V，最大。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件（见注5 ）
民
VCC
VI / O
电源电压
I / O端口电压
VCC = 1.65 V至1.95 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 3 V至3.6 V
VCC = 4.5 V至5.5 V
VCC = 1.65 V至1.95 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 3 V至3.6 V
VCC = 4.5 V至5.5 V
0
VCC = 1.65 V至1.95 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 3 V至3.6 V
VCC = 4.5 V至5.5 V
1.65
0
VCC
×
0.65
VCC
×
0.7
VCC
×
0.7
VCC
×
0.7
VCC
×
0.35
VCC
×
0.3
VCC
×
0.3
VCC
×
0.3
5.5
20
20
10
10
NS / V
最大
5.5
VCC
单位
V
V
VIH
高电平输入电压，控制输入
V
VIL
低层次的输入电压，控制输入
V
VI
控制输入电压
V
ΔT/ ΔV
输入过渡的上升/下降时间
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注5 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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3
SCES324K - 2001年7月 - 修订2003年9月
SN74LVC2G53
单刀双掷（ SPDT ）模拟开关或
2 ： 1模拟复用器/解复用器
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
测试条件
VI = VCC或GND ，
VINH = VIL
（参见图1和图2）
IS = 4毫安
IS = 8毫安
IS = 24毫安
IS = 32毫安
IS = 4毫安
IS = 8毫安
IS = 24毫安
IS = 32毫安
IS = 4毫安
IS = 8毫安
IS = 24毫安
IS = 32毫安
VCC
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
民
TYP
13
10
8.5
6.5
86.5
23
13
8
最大
30
20
17
13
120
30
20
15
7
5
3
2
±1
±0.1
±1
±0.1
±1
±0.1
1
500
3.5
6.5
5V
5V
10
19.5
pF
pF
A
A
单位
罗恩
通态电阻开关
罗恩（p）的
峰值通态电阻
VI = VCC和GND ，
VINH = VIL
（参见图1和图2）
r
on
通态电阻的差别
交换机之间
VI = VCC和GND ，
VC = VIH
（参见图1和图2）
IS （OFF）的
断态开关漏电流
VI = VCC和VO = GND或
VI = GND和VO = VCC ，
VINH = VIH（参见图3）
VI = VCC或GND ， VINH = VIL ，
VO =打开（见图4）
VC = VCC或GND
VC = VCC或GND
VC = VCC - 0.6 V
Y
IS （上）
II
ICC
I
CC
CIC
首席信息官（关）
CIO （ ON）
- TA = 25°C
通态开关漏电流
控制输入电流
电源电流
供应电流变化
控制输入电容
开关量输入/输出电容
开关量输入/输出电容
COM
5.5 V
5.5 V
5.5 V
5.5 V
5V
A
A
A
A
A
A
pF
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （见图5）
参数
TPD
10
tdis§
10
从
（输入）
COM或Y
INH
TO
（输出）
Y或COM
COM或Y
3.3
3.2
2.9
VCC = 1.8 V
±
0.15 V
民
最大
2
9
10.9
10.3
2.5
2.3
2.1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
1.2
6.1
8.3
7.2
2.2
2.3
1.9
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.8
5.4
8.1
5.8
1.8
1.6
1.3
VCC = 5 V
±
0.5 V
民
最大
0.6
4.5
8
5.4
ns
ns
单位
ns
tdis§
2.1
9.4
1.4
7.9
1.1
7.2
1
5
tPLH的和的TPH1相同公吨。传播延迟是该开关的典型的通态电阻所计算的RC时间常数和
指定的负载电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
§ tPZL和tPZH是相同的10 。
tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
A
COM或Y
4
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单刀双掷（ SPDT ）模拟开关或
2 ： 1模拟复用器/解复用器
SCES324K - 2001年7月 - 修订2003年9月
模拟开关特性，T
A
= 25°C
参数
从
（输入）
TO
（输出）
测试条件
VCC
1.65 V
CL = 50 pF的， RL = 600
,
鱼翅=正弦波
（参见图6）
频率响应
（开关）
COM或Y
Y或COM
CL = 5 pF的，RL = 50
,
鱼翅=正弦波
（参见图6）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
CL = 50 pF的， RL = 600
,
翅片= 1兆赫（正弦波）
（参见图7 ）
串扰
（之间切换）
COM或Y
Y或COM
CL = 5 pF的，RL = 50
,
翅片= 1兆赫（正弦波）
（参见图7 ）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
相声
（控制输入到信号输出）
INH
COM或Y
CL = 50 pF的， RL = 600
,
翅片= 1兆赫（方波）
（参见图8）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
CL = 50 pF的， RL = 600
,
翅片= 1兆赫（正弦波）
（参见图9）
直通衰减
（开关OFF）
COM或Y
Y或COM
CL = 5 pF的，RL = 50
,
翅片= 1兆赫（正弦波）
（参见图9）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
CL = 50 pF的， RL = 10 K，
k,
翅片= 1千赫（正弦波）
（参见图10）
正弦波失真
COM或Y
Y或COM
CL = 50 pF的， RL = 10 K，
k,
翅片= 10千赫（正弦波）
（参见图10）
鳍调整电压，以获得0 dBm的输出处。增加散热片频率，直到分贝仪读取-3分贝。
调整鳍片的电压，以获得0 dBm的输入端。
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
典型值
35
120
190
215
>300
>300
>300
>300
58
58
58
58
42
42
42
42
35
50
70
100
60
60
60
60
50
50
50
50
0.1
0.025
0.015
0.01
0.15
0.025
0.015
0.01
%
dB
mV
dB
兆赫
单位
经营特色，T
A
= 25°C
参数
CPD
功率耗散电容
测试条件
CL = 50 pF的，
F = 10MHz的
VCC = 1.8 V
典型值
9
VCC = 2.5 V
典型值
10
VCC = 3.3 V
典型值
10
VCC = 5 V
典型值
12
单位
pF
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