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SN74LVC2G17
双施密特触发器缓冲器
SCES381E - 2002年1月 - 修订2003年9月
D
可以在德州仪器
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
5.4 ns的电压为3.3 V
低功耗, 10 μA最大I
CC
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
典型的V
OLP
(输出地弹跳)
& LT ; 0.8 V电压V
CC
= 3.3 V ,T
A
= 25°C
典型的V
OHV
(输出V
OH
冲)
>2 V在V
CC
= 3.3 V ,T
A
= 25°C
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
DBV OR DCK包装
( TOP VIEW )
1A
GND
2A
1
2
3
6
5
4
1Y
V
CC
2Y
是的,是的, YZA ,或YZP包装
(底视图)
2A
GND
1A
3 4
2 5
1 6
2Y
V
CC
1Y
描述/订购信息
这双施密特触发缓冲器是专为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC2G17包含两个缓冲区,并执行布尔函数Y = A的设备上功能作为两个
独立的缓冲器,但由于施密特作用,它可以具有不同的输入阈值电平为正向
(V
T+
)及负向(Ⅴ
T
)信号。
订购信息
TA
包装
采用NanoStar - WCSP ( DSBGA )
0.17毫米的小凸起 - YEA
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.17毫米的小凸点 - YZA (无铅)
采用NanoStar - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YEP
-40 ℃至85℃
40°C 85°C
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
3000卷
SOT ( SOT - 23 ) - DBV
SOT ( SC - 70 ) - DCK
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
3000卷
SN74LVC2G17YEPR
SN74LVC2G17YZPR
SN74LVC2G17DBVR
SN74LVC2G17DBVT
SN74LVC2G17DCKR
SN74LVC2G17DCKT
C7_
C17_
订购
产品型号
SN74LVC2G17YEAR
SN74LVC2G17YZAR
_ _ _C7_
TOP- SIDE
标记
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK :实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEA / YZA , YEP / YZP :实际的顶部端标记有前三个字符来表示年,月,和序列码,
一下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成
(1 =锡铅,
=无铅) 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74LVC2G17
双施密特触发器缓冲器
SCES381E - 2002年1月 - 修订2003年9月
描述/订购信息(续)
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了
模具作为包。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,
防止有害的电流回流通过该装置,当它被断电。
功能表
(每个逆变器)
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
逻辑图(正逻辑)
1A
1
6
1Y
2A
3
4
2Y
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
输入电压范围,V
I
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
电压范围应用于任何输出的高阻抗或断电状态下,V
O
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
电压范围应用于任何输出的高或低状态,V
O
(见注1和2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
输入钳位电流,I
IK
(V
I
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
输出钳位电流,I
OK
(V
O
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
连续输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
连续电流通过V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注3 ) : DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 165 ° C / W
DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 259 ° C / W
YEA / YZA包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 143 ° C / W
YEP / YZP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 123 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注释:1.输入负电压和输出电压额定值,可能会超过如果输入和输出电流额定值观察。
2. VCC的值在推荐工作条件表中提供。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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SN74LVC2G17
双施密特触发器缓冲器
SCES381E - 2002年1月 - 修订2003年9月
推荐工作条件(见注4 )
VCC
VI
VO
电源电压
输入电压
输出电压
VCC = 1.65 V
VCC = 2.3 V
IOH
高电平输出电流
VCC = 3 V
VCC = 4.5 V
VCC = 1.65 V
VCC = 2.3 V
IOL
低电平输出电流
VCC = 3 V
VCC = 4.5 V
操作
1.65
0
0
最大
5.5
5.5
VCC
4
8
16
24
32
4
8
16
24
32
mA
mA
单位
V
V
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注4 :该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
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3
SN74LVC2G17
双施密特触发器缓冲器
SCES381E - 2002年1月 - 修订2003年9月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
测试条件
VCC
1.65 V
VT +
正向输入
阈值电压
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
VT-
负向输入
阈值电压
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T
迟滞
(VT + - VT- )
IOH = -100
A
IOH = -4毫安
VOH
IOH = -8毫安
IOH = -16毫安
IOH = -24毫安
IOH = -32毫安
IOL = 100
A
IOL = 4毫安
VOL
IOL = 8毫安
IOL = 16毫安
IOL = 24毫安
IOL = 32毫安
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
A输入
VI = 5.5 V或GND
VI或VO = 5.5 V
VI = 5.5 V或GND ,
一个输入在VCC - 0.6 V,
IO = 0
在VCC和GND的其他投入
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至5.5 V
3.3 V
4
0.7
1
1.3
1.9
2.2
0.3
0.4
0.6
1.1
1.4
0.3
0.4
0.4
0.6
0.7
VCC0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
500
A
A
A
A
pF
V
V
TYP
最大
1.4
1.7
2.2
3.1
3.7
0.7
1
1.3
2
2.5
0.8
0.9
1.1
1.3
1.4
V
V
V
单位
VI = VCC或GND
所有典型值是在VCC = 3.3 V , TA = 25 ℃。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明) (参见图1)
参数
tPD的
(输入)
A
TO
(输出)
Y
VCC = 1.8 V
±
0.15 V
3.9
最大
9.3
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
1.9
最大
5.7
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
2.2
最大
5.4
VCC = 5 V
±
0.5 V
1.5
最大
4.3
ns
单位
4
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SN74LVC2G17
双施密特触发器缓冲器
SCES381E - 2002年1月 - 修订2003年9月
经营特色,T
A
= 25°C
参数
CPD
功率耗散电容
测试条件
F = 10MHz的
VCC = 1.8 V
典型值
17
VCC = 2.5 V
典型值
18
VCC = 3.3 V
典型值
19
VCC = 5 V
典型值
21
单位
pF
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5
SN74LVC2G17
双施密特触发器缓冲器
SCES381E - 2002年1月 - 修订2003年9月
D
可以在德州仪器
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
5.4 ns的电压为3.3 V
低功耗, 10 μA最大I
CC
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
典型的V
OLP
(输出地弹跳)
& LT ; 0.8 V电压V
CC
= 3.3 V ,T
A
= 25°C
典型的V
OHV
(输出V
OH
冲)
>2 V在V
CC
= 3.3 V ,T
A
= 25°C
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
DBV OR DCK包装
( TOP VIEW )
1A
GND
2A
1
2
3
6
5
4
1Y
V
CC
2Y
是的,是的, YZA ,或YZP包装
(底视图)
2A
GND
1A
3 4
2 5
1 6
2Y
V
CC
1Y
描述/订购信息
这双施密特触发缓冲器是专为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC2G17包含两个缓冲区,并执行布尔函数Y = A的设备上功能作为两个
独立的缓冲器,但由于施密特作用,它可以具有不同的输入阈值电平为正向
(V
T+
)及负向(Ⅴ
T
)信号。
订购信息
TA
包装
采用NanoStar - WCSP ( DSBGA )
0.17毫米的小凸起 - YEA
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.17毫米的小凸点 - YZA (无铅)
采用NanoStar - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YEP
-40 ℃至85℃
40°C 85°C
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
3000卷
SOT ( SOT - 23 ) - DBV
SOT ( SC - 70 ) - DCK
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
3000卷
SN74LVC2G17YEPR
SN74LVC2G17YZPR
SN74LVC2G17DBVR
SN74LVC2G17DBVT
SN74LVC2G17DCKR
SN74LVC2G17DCKT
C7_
C17_
订购
产品型号
SN74LVC2G17YEAR
SN74LVC2G17YZAR
_ _ _C7_
TOP- SIDE
标记
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK :实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEA / YZA , YEP / YZP :实际的顶部端标记有前三个字符来表示年,月,和序列码,
一下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成
(1 =锡铅,
=无铅) 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74LVC2G17
双施密特触发器缓冲器
SCES381E - 2002年1月 - 修订2003年9月
描述/订购信息(续)
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了
模具作为包。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,
防止有害的电流回流通过该装置,当它被断电。
功能表
(每个逆变器)
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
逻辑图(正逻辑)
1A
1
6
1Y
2A
3
4
2Y
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
输入电压范围,V
I
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
电压范围应用于任何输出的高阻抗或断电状态下,V
O
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
电压范围应用于任何输出的高或低状态,V
O
(见注1和2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
输入钳位电流,I
IK
(V
I
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
输出钳位电流,I
OK
(V
O
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
连续输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
连续电流通过V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注3 ) : DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 165 ° C / W
DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 259 ° C / W
YEA / YZA包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 143 ° C / W
YEP / YZP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 123 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注释:1.输入负电压和输出电压额定值,可能会超过如果输入和输出电流额定值观察。
2. VCC的值在推荐工作条件表中提供。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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SN74LVC2G17
双施密特触发器缓冲器
SCES381E - 2002年1月 - 修订2003年9月
推荐工作条件(见注4 )
VCC
VI
VO
电源电压
输入电压
输出电压
VCC = 1.65 V
VCC = 2.3 V
IOH
高电平输出电流
VCC = 3 V
VCC = 4.5 V
VCC = 1.65 V
VCC = 2.3 V
IOL
低电平输出电流
VCC = 3 V
VCC = 4.5 V
操作
1.65
0
0
最大
5.5
5.5
VCC
4
8
16
24
32
4
8
16
24
32
mA
mA
单位
V
V
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注4 :该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
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3
SN74LVC2G17
双施密特触发器缓冲器
SCES381E - 2002年1月 - 修订2003年9月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
测试条件
VCC
1.65 V
VT +
正向输入
阈值电压
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
VT-
负向输入
阈值电压
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T
迟滞
(VT + - VT- )
IOH = -100
A
IOH = -4毫安
VOH
IOH = -8毫安
IOH = -16毫安
IOH = -24毫安
IOH = -32毫安
IOL = 100
A
IOL = 4毫安
VOL
IOL = 8毫安
IOL = 16毫安
IOL = 24毫安
IOL = 32毫安
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
A输入
VI = 5.5 V或GND
VI或VO = 5.5 V
VI = 5.5 V或GND ,
一个输入在VCC - 0.6 V,
IO = 0
在VCC和GND的其他投入
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至5.5 V
3.3 V
4
0.7
1
1.3
1.9
2.2
0.3
0.4
0.6
1.1
1.4
0.3
0.4
0.4
0.6
0.7
VCC0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
500
A
A
A
A
pF
V
V
TYP
最大
1.4
1.7
2.2
3.1
3.7
0.7
1
1.3
2
2.5
0.8
0.9
1.1
1.3
1.4
V
V
V
单位
VI = VCC或GND
所有典型值是在VCC = 3.3 V , TA = 25 ℃。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明) (参见图1)
参数
tPD的
(输入)
A
TO
(输出)
Y
VCC = 1.8 V
±
0.15 V
3.9
最大
9.3
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
1.9
最大
5.7
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
2.2
最大
5.4
VCC = 5 V
±
0.5 V
1.5
最大
4.3
ns
单位
4
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
SN74LVC2G17
双施密特触发器缓冲器
SCES381E - 2002年1月 - 修订2003年9月
经营特色,T
A
= 25°C
参数
CPD
功率耗散电容
测试条件
F = 10MHz的
VCC = 1.8 V
典型值
17
VCC = 2.5 V
典型值
18
VCC = 3.3 V
典型值
19
VCC = 5 V
典型值
21
单位
pF
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5
SN74LVC2G17
www.ti.com...............................................................................................................................................
SCES381I - 2002年1月 - 修订2009年10月
双施密特触发缓冲器
1
特点
典型的V
OHV
(输出V
OH
冲)
>2 V在V
CC
= 3.3 V ,T
A
= 25°C
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
YZP包装
(底视图)
可以在德州仪器NanoFree
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
5.4 ns的电压为3.3 V
低功耗, 10 μA最大I
CC
± 24 mA输出驱动电压为3.3 V
典型的V
OLP
(输出地弹跳)
& LT ; 0.8 V电压V
CC
= 3.3 V ,T
A
= 25°C
2
DBV包装
( TOP VIEW )
DCK包装
( TOP VIEW )
1A
GND
2A
1
6
1Y
V
CC
2Y
1A
GND
1
2
3
6
5
4
1Y
V
CC
2Y
2A
GND
1A
3 4
2 5
1 6
2Y
V
CC
1Y
2
5
2A
3
4
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
这双施密特触发缓冲器是专为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC2G17包含两个缓冲区,并执行布尔函数Y = A的设备上功能作为两个
独立的缓冲器,但由于施密特作用,它可以具有不同的输入阈值电平为正向
(V
T+
)及负向(Ⅴ
T–
)信号。
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,
防止有害的电流回流通过该装置,当它被断电。
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
版权所有2002-2009 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
SN74LVC2G17
SCES381I - 2002年1月 - 修订十月2009...............................................................................................................................................
www.ti.com
订购信息
T
A
(1) (2)
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
-40 ° C至85°C
SOT ( SOT - 23 ) - DBV
SOT ( SC - 70 ) - DCK
(1)
(2)
(3)
3000卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
订购
产品型号
SN74LVC2G17YZPR
SN74LVC2G17DBVR
SN74LVC2G17DBVT
SN74LVC2G17DCKR
SN74LVC2G17DCKT
TOP- SIDE
记号
(3)
_ _ _C7_
C17_
C7_
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
包装图纸,热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
DBV / DCK :实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
YZP :实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年,月,和序列码,和一个
字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅, =无铅) 。
功能表
(每个逆变器)
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
逻辑图(正逻辑)
1A
1
6
1Y
2A
3
4
2Y
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
° C / W
°C
°C
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
(2) (3)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
(2)
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
V
I
& LT ; 0
V
O
& LT ; 0
165
259
123
150
–65
150
θ
JA
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
封装的热阻抗
(4)
DCK包装
YZP包装
在偏置结温
存储温度范围
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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SN74LVC2G17
版权所有2002-2009 ,德州仪器
SN74LVC2G17
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SCES381I - 2002年1月 - 修订2009年10月
推荐工作条件
(1)
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
操作
1.65
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
85
°C
mA
mA
单位
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号
SCBA004.
版权所有2002-2009 ,德州仪器
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3
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
测试条件
V
CC
1.65 V
V
T+
正向输入
阈值电压
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T–
负向输入
阈值电压
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
ΔV
T
迟滞
(V
T+
– V
T–
)
I
OH
= –100
A
I
OH
= -4毫安
V
OH
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -32毫安
I
OL
= 100
A
I
OL
= 4毫安
V
OL
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
关闭
I
CC
ΔI
CC
C
i
(1)
A输入
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
或V
O
= 5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ,
一个输入在V
CC
– 0.6 V,
V
I
= V
CC
或GND
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ,T
A
= 25°C.
I
O
= 0
其他输入在V
CC
或GND
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至5.5 V
3.3 V
4
最小值典型值
(1)
0.7
1
1.3
1.9
2.2
0.3
0.4
0.8
1.1
1.4
0.3
0.4
0.4
0.6
0.7
V
CC
– 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
500
A
A
A
A
pF
V
V
最大
1.4
1.7
2.0
3.1
3.7
0.7
1
1.3
2
2.5
0.8
0.9
1.1
1.3
1.4
V
V
V
单位
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非另有说明) (见
图1)
参数
t
pd
(输入)
A
TO
(输出)
Y
V
CC
= 1.8 V
± 0.15 V
3.9
最大
9.3
V
CC
= 2.5 V
± 0.2 V
1.9
最大
5.7
V
CC
= 3.3 V
± 0.3 V
2.2
最大
5.4
V
CC
= 5 V
± 0.5 V
1.5
最大
4.3
ns
单位
4
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版权所有2002-2009 ,德州仪器
SN74LVC2G17
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SCES381I - 2002年1月 - 修订2009年10月
工作特性
T
A
= 25°C
参数
C
pd
功率耗散电容
测试条件
F = 10MHz的
V
CC
= 1.8 V
典型值
17
V
CC
= 2.5 V
典型值
18
V
CC
= 3.3 V
典型值
19
V
CC
= 5 V
典型值
21
单位
pF
版权所有2002-2009 ,德州仪器
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5
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双施密特触发缓冲器
1
特点
典型的V
OHV
(输出V
OH
冲)
>2 V在V
CC
= 3.3 V ,T
A
= 25°C
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
YZP包装
(底视图)
可以在德州仪器NanoFree
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
5.4 ns的电压为3.3 V
低功耗, 10 μA最大I
CC
± 24 mA输出驱动电压为3.3 V
典型的V
OLP
(输出地弹跳)
& LT ; 0.8 V电压V
CC
= 3.3 V ,T
A
= 25°C
2
DBV包装
( TOP VIEW )
DCK包装
( TOP VIEW )
1A
GND
2A
1
6
1Y
V
CC
2Y
1A
GND
1
2
3
6
5
4
1Y
V
CC
2Y
2A
GND
1A
3 4
2 5
1 6
2Y
V
CC
1Y
2
5
2A
3
4
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
这双施密特触发缓冲器是专为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC2G17包含两个缓冲区,并执行布尔函数Y = A的设备上功能作为两个
独立的缓冲器,但由于施密特作用,它可以具有不同的输入阈值电平为正向
(V
T+
)及负向(Ⅴ
T–
)信号。
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,
防止有害的电流回流通过该装置,当它被断电。
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
版权所有2002-2009 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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订购信息
T
A
(1) (2)
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
-40 ° C至85°C
SOT ( SOT - 23 ) - DBV
SOT ( SC - 70 ) - DCK
(1)
(2)
(3)
3000卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
订购
产品型号
SN74LVC2G17YZPR
SN74LVC2G17DBVR
SN74LVC2G17DBVT
SN74LVC2G17DCKR
SN74LVC2G17DCKT
TOP- SIDE
记号
(3)
_ _ _C7_
C17_
C7_
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
包装图纸,热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
DBV / DCK :实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
YZP :实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年,月,和序列码,和一个
字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅, =无铅) 。
功能表
(每个逆变器)
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
逻辑图(正逻辑)
1A
1
6
1Y
2A
3
4
2Y
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
° C / W
°C
°C
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
(2) (3)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
(2)
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
V
I
& LT ; 0
V
O
& LT ; 0
165
259
123
150
–65
150
θ
JA
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
封装的热阻抗
(4)
DCK包装
YZP包装
在偏置结温
存储温度范围
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
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推荐工作条件
(1)
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
操作
1.65
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
85
°C
mA
mA
单位
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
测试条件
V
CC
1.65 V
V
T+
正向输入
阈值电压
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T–
负向输入
阈值电压
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
ΔV
T
迟滞
(V
T+
– V
T–
)
I
OH
= –100
A
I
OH
= -4毫安
V
OH
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -32毫安
I
OL
= 100
A
I
OL
= 4毫安
V
OL
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
关闭
I
CC
ΔI
CC
C
i
(1)
A输入
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
或V
O
= 5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ,
一个输入在V
CC
– 0.6 V,
V
I
= V
CC
或GND
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ,T
A
= 25°C.
I
O
= 0
其他输入在V
CC
或GND
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至5.5 V
3.3 V
4
最小值典型值
(1)
0.7
1
1.3
1.9
2.2
0.3
0.4
0.8
1.1
1.4
0.3
0.4
0.4
0.6
0.7
V
CC
– 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
500
A
A
A
A
pF
V
V
最大
1.4
1.7
2.0
3.1
3.7
0.7
1
1.3
2
2.5
0.8
0.9
1.1
1.3
1.4
V
V
V
单位
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非另有说明) (见
图1)
参数
t
pd
(输入)
A
TO
(输出)
Y
V
CC
= 1.8 V
± 0.15 V
3.9
最大
9.3
V
CC
= 2.5 V
± 0.2 V
1.9
最大
5.7
V
CC
= 3.3 V
± 0.3 V
2.2
最大
5.4
V
CC
= 5 V
± 0.5 V
1.5
最大
4.3
ns
单位
4
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SCES381I - 2002年1月 - 修订2009年10月
工作特性
T
A
= 25°C
参数
C
pd
功率耗散电容
测试条件
F = 10MHz的
V
CC
= 1.8 V
典型值
17
V
CC
= 2.5 V
典型值
18
V
CC
= 3.3 V
典型值
19
V
CC
= 5 V
典型值
21
单位
pF
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