【SN74LVC1G66单双边模拟开关SCES323H - 2001年6月 - 修订2003年9月D可】,IC型号SN74LVC1G66DBVR,SN74LVC1G66DBVR PDF资料,SN74LVC1G66DBVR经销商,ic,电子元器件-51电子网

SN74LVC1G66

单双边模拟开关

SCES323H - 2001年6月 - 修订2003年9月

可以在德州仪器

采用NanoStar 和NanoFree 软件包

1.65 V至5.5 V V

手术

输入接受电压为5.5 V

最大牛逼

0.8 ns的电压为3.3 V

高开 - 关输出电压比

线性程度高

高速，一般为0.5纳秒

= 3 V ，C

= 50 pF的）

低导通电阻，通常

≈5.5

= 4.5 V)

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

ESD保护超过JESD 22

- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）

- 200 -V机型号（ A115 -A ）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

DBV OR DCK包装

（ TOP VIEW ）

GND

是的，是的， YZA ，或YZP包装

（底视图）

GND

3 4

1 5

描述/订购信息

这种单一的模拟开关是专为1.65 V至5.5 -VV

操作。

该SN74LVC1G66可以处理模拟和数字信号。该设备允许与振幅信号

高达5.5V（峰值），以在任一方向进行传输。

订购信息

包装

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.17毫米的小凸起 - YEA

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.17毫米的小凸点 - YZA （无铅）

-40 ° C至85°C

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YEP

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）

3000卷

SOT （ SOT - 23 ） - DBV

-40 ° C至85°C

SOT （ SC - 70 ） - DCK

250的卷轴

3000卷

250的卷轴

3000卷

SN74LVC1G66YEPR

SN74LVC1G66YZPR

SN74LVC1G66DBVR

SN74LVC1G66DBVT

SN74LVC1G66DCKR

SN74LVC1G66DCKT

C6_

C66_

订购

产品型号

SN74LVC1G66YEAR

SN74LVC1G66YZAR

_ _ _C6_

TOP- SIDE

标记

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在

www.ti.com/sc/package 。

DBV / DCK ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。

YEA / YZA ， YEP / YZP ：实际的顶部端标记有前三个字符来表示年，月，和序列码，

一下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成

（1 =锡铅，

=无铅）。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2003年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74LVC1G66

单双边模拟开关

SCES323H - 2001年6月 - 修订2003年9月

描述/订购信息（续）

采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了

模具作为包。

应用包括信号选通，剁碎，调制或解调器（调制解调器），以及信号复用为

模拟 - 数字和数字 - 模拟转换系统。

功能表

控制

输入

(C)

开关

关闭

逻辑图（正逻辑）

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至6.5 V

输入电压范围，V

（见注1和2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至6.5 V

开关I / O电压范围，V

I / O

（见注1 ，2和3）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5 V到V

+ 0.5 V

控制输入钳位电流，I

< 0）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -50毫安

I / O端口的二极管电流，我

IOK

I / O

＆ LT ; 0或V

I / O

＆ GT ; V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±50

通态电流开关，我

I / O

= 0至V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±50

连续电流通过V

或GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±100

封装的热阻抗，

（见注4 ）： DBV封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 206 ° C / W

DCK包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 252 ° C / W

YEA / YZA包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 154 ° C / W

YEP / YZP包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 132 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有电压都是相对于地面的，除非另有规定。

2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

3.该值限制为5.5 V，最大。

4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74LVC1G66

单双边模拟开关

SCES323H - 2001年6月 - 修订2003年9月

推荐工作条件（见注5 ）

民

VCC

VI / O

电源电压

I / O端口电压

VCC = 1.65 V至1.95 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 3 V至3.6 V

VCC = 4.5 V至5.5 V

VCC = 1.65 V至1.95 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 3 V至3.6 V

VCC = 4.5 V至5.5 V

VCC = 1.65 V至1.95 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 3 V至3.6 V

VCC = 4.5 V至5.5 V

1.65

VCC

0.65

VCC

0.7

VCC

0.7

VCC

0.7

VCC

0.35

VCC

0.3

VCC

0.3

VCC

0.3

5.5

NS / V

最大

5.5

VCC

单位

VIH

高电平输入电压，控制输入

VIL

低层次的输入电压，控制输入

控制输入电压

ΔT/ ΔV

输入过渡的上升/下降时间

工作自由空气的温度

°C

注5 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

测试条件

VI = VCC或GND ，

VC = VIH

（参见图1和图2）

IS = 4毫安

IS = 8毫安

IS = 24毫安

IS = 32毫安

IS = 4毫安

IS = 8毫安

IS = 24毫安

IS = 32毫安

VCC

1.65 V

2.3 V

4.5 V

1.65 V

2.3 V

4.5 V

5.5 V

民

TYP

7.5

5.5

74.5

11.5

7.5

最大

100

±1

±0.1

±1

±0.1

±1

±0.1

500

单位

罗恩

通态电阻开关

罗恩（p）的

峰值导通电阻

VI = VCC和GND ，

VC = VIH

（参见图1和图2）

IS （OFF）的

断态开关漏电流

VI = VCC和VO = GND或

VI = GND和VO = VCC ，

VC = VIL（参见图3）

VI = VCC或GND ， VC = VIH ， VO =打开

（见图4）

VC = VCC或GND

VC = VCC - 0.6 V

IS （上）

ICC

CIC

首席信息官（关）

CIO （ ON）

- TA = 25°C

通态开关漏电流

控制输入电流

电源电流

电源电流变化

控制输入电容

开关量输入/输出电容

5.5 V

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74LVC1G66

单双边模拟开关

SCES323H - 2001年6月 - 修订2003年9月

开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）（见图5）

参数

TPD

从

（输入）

A或B

（输出）

B或A

A或B

2.5

VCC = 1.8 V

0.15 V

民

最大

1.9

VCC = 2.5 V

0.2 V

民

最大

1.2

6.5

1.8

VCC = 3.3 V

0.3 V

民

最大

0.8

1.5

VCC = 5 V

0.5 V

民

最大

0.6

4.2

单位

tdis§

A或B

2.2

1.4

6.9

6.5

1.4

tPLH的和的TPH1相同公吨。传播延迟是该开关的典型的通态电阻所计算的RC时间常数和

当理想电压源（零输出阻抗）驱动指定的负载电容。

§ tPZL和tPZH是相同的10 。

tPLZ和tPHZ相同TDIS 。

模拟开关特性，T

= 25°C

参数

从

（输入）

（输出）

测试条件

VCC

1.65 V

CL = 50 pF的， RL = 600

鱼翅=正弦波

（参见图6）

频率响应

（开关）

A或B

B或A

CL = 5 pF的，RL = 50

鱼翅=正弦波

（参见图6）

2.3 V

4.5 V

1.65 V

2.3 V

4.5 V

1.65 V

相声

（控制输入到信号输出）

A或B

CL = 50 pF的， RL = 600

翅片= 1兆赫（方波）

（参见图7 ）

2.3 V

4.5 V

1.65 V

CL = 50 pF的， RL = 600

翅片= 1兆赫（正弦波）

（参见图8）

馈通衰减＃

（开关OFF）

A或B

B或A

CL = 5 pF的，RL = 50

翅片= 1兆赫（正弦波）

（参见图8）

2.3 V

4.5 V

1.65 V

2.3 V

4.5 V

1.65 V

CL = 50 pF的， RL = 10 K，

翅片= 1千赫（正弦波）

（参见图9）

正弦波失真

A或B

B或A

CL = 50 pF的， RL = 10 K，

翅片= 10千赫（正弦波）

（参见图9）

鳍调整电压，以获得0 dBm的输出处。增加散热片频率，直到分贝仪读取-3分贝。

＃鳍调整电压，以获得0 dBm的输入端。

2.3 V

4.5 V

1.65 V

2.3 V

4.5 V

典型值

120

175

195

>300

100

0.1

0.025

0.015

0.01

0.15

0.025

0.015

0.01

兆赫

单位

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74LVC1G66

单双边模拟开关

SCES323H - 2001年6月 - 修订2003年9月

经营特色，T

= 25°C

参数

CPD

功率耗散电容

测试条件

F = 10MHz的

VCC = 1.8 V

典型值

VCC = 2.5 V

典型值

VCC = 3.3 V

典型值

VCC = 5 V

典型值

单位

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74LVC1G66

单双边模拟开关

www.ti.com

SCES323L - 2001年6月 - 修订2007年1月

特点

可以在德州仪器

NanoFree 封装

1.65 V至5.5 V V

手术

输入接受电压为5.5 V

最大牛逼

0.8 ns的电压为3.3 V

高开 - 关输出电压比

线性程度高

高速，一般为0.5纳秒

= 3 V ，C

= 50 pF的）

DBV包装

（ TOP VIEW ）

DCK包装

（ TOP VIEW ）

低导通电阻，通常

≈5.5

= 4.5 V)

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

ESD保护超过JESD 22

- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）

- 200 -V机型号（ A115 -A ）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

DRL包装

（ TOP VIEW ）

YZP包装

（底视图）

GND

3 4

1 5

GND

请参见机械图纸尺寸。

描述/订购信息

这种单一的模拟开关是专为1.65 V至5.5 -VV

操作。

该SN74LVC1G66可以处理模拟和数字信号。该设备允许与振幅信号

高达5.5V（峰值），以在任一方向进行传输。

NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了模为

封装。

应用包括信号选通，剁碎，调制或解调器（调制解调器），以及信号复用为

模拟 - 数字和数字 - 模拟转换系统。

订购信息

包

(1)

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YZP

（无铅）

-40 ° C至85°C

SOT （ SOT - 23 ） - DBV

SOT （ SC - 70 ） - DCK

SOT （ SOT - 553 ） - DRL

(1)

(2)

3000卷

250的卷轴

3000卷

250的卷轴

4000卷

订购型号

SN74LVC1G66YZPR

SN74LVC1G66DBVR

SN74LVC1G66DBVT

SN74LVC1G66DCKR

SN74LVC1G66DCKT

SN74LVC1G66DRLR

C6_

顶部端标记

(2)

_ _ _C6_

C66_

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在

www.ti.com/sc/package 。

DBV / DCK ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。

YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个

字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，

=无铅）。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

NanoFree是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

SN74LVC1G66

单双边模拟开关

SCES323L - 2001年6月 - 修订2007年1月

www.ti.com

功能表

控制

输入

(C)

开关

关闭

逻辑图（正逻辑）

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

民

I / O

IOK

电源电压

范围

(2)

范围

(2) (3) (4)

＆ LT ; 0

I / O

＆ LT ; 0或V

I / O

＆ GT ; V

I / O

< 0至V

DBV包装

封装的热阻抗

(5)

DCK包装

DRL包装

YZP包装

英镑

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

存储温度范围

–65

–0.5

输入电压范围

(2) (3)

开关I / O电压

控制输入钳位电流

I / O端口二极管电流

ON状态的开关电流

连续电流通过V

或GND

最大

6.5

+ 0.5

–50

±50

±100

206

252

142

132

150

°C

° C / W

单位

超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作

conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有电压都是相对于地，除非另有规定。

如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。

这个值被限制为5.5 V，最大。

封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

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www.ti.com

SN74LVC1G66

单双边模拟开关

SCES323L - 2001年6月 - 修订2007年1月

推荐工作条件

(1)

民

I / O

电源电压

I / O端口电压

= 1.65 V至1.95 V

高电平输入电压，控制输入

= 2.3 V至2.7 V

= 3 V至3.6 V

= 4.5 V至5.5 V

= 1.65 V至1.95 V

低层次的输入电压，控制输入

= 2.3 V至2.7 V

= 3 V至3.6 V

= 4.5 V至5.5 V

控制输入电压

= 1.65 V至1.95 V

ΔT/ ΔV

输入过渡的上升/下降时间

= 2.3 V至2.7 V

= 3 V至3.6 V

= 4.5 V至5.5 V

(1)

工作自由空气的温度

–40

1.65

0.65

0.7

0.35

0.3

5.5

°C

NS / V

最大

5.5

单位

该设备的所有未使用的输入必须在V举行

或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

电气特性

在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）

参数

测试条件

= V

或GND ，

= V

（见

图1

和

图2）

= V

或GND ，

= V

（见

图1

和

图2）

= V

和V

= GND或

= GND和V

= V

（见

图3）

= V

或GND ，V

= V

, V

=打开

（见

图4）

= V

或GND

= V

或GND

= V

– 0.6 V

= 4毫安

= 8毫安

= 24毫安

= 32毫安

= 4毫安

= 8毫安

= 24毫安

= 32毫安

1.65 V

2.3 V

4.5 V

1.65 V

2.3 V

4.5 V

5.5 V

最小值典型值

(1)

7.5

5.5

74.5

11.5

7.5

最大

120

±1

±0.1

(1)

±1

±0.1

(1)

±1

±0.1

(1)

500

单位

通态电阻开关

对（p）的

峰值导通电阻

S（ OFF）

断态漏电开关

当前

通态漏电开关

当前

控制输入电流

电源电流

电源电流变化

控制输入电容

开关量输入/输出

电容

开关量输入/输出

电容

秒（上）

io的（OFF）的

io的（上）

(1)

5.5 V

= 25°C

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SN74LVC1G66

单双边模拟开关

SCES323L - 2001年6月 - 修订2007年1月

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开关特性

在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明）（见

图5）

参数

DIS

(1)

(2)

(3)

(1)

从

（输入）

A或B

（输出）

B或A

A或B

= 1.8 V

0.15 V

民

2.5

2.2

最大

= 2.5 V

0.2 V

民

1.9

1.4

最大

1.2

6.5

6.9

= 3.3 V

0.3 V

民

1.8

最大

0.8

6.5

= 5 V

0.5 V

最小最大

0.6

1.5

1.4

4.2

单位

EN （2）

(3)

PLH

和T

PHL

相同吨

。传播延迟的典型的通态电阻所计算的RC时间常数

开关和指定的负载电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。

PZL

和T

PZH

相同吨

PLZ

和T

PHZ

相同吨

DIS

模拟开关特性

= 25°C

参数

从

（输入）

（输出）

TEST

条件

= 50 pF的，R

= 600

正弦波

（见

图6）

频率响应

(1)

（开关）

A或B

B或A

= 5 pF的，R

= 50

正弦波

（见

图6）

1.65 V

2.3 V

4.5 V

1.65 V

2.3 V

4.5 V

1.65 V

相声

（控制输入到信号输出）

A或B

= 50 pF的，R

= 600

= 1兆赫（方波）

（见

图7）

2.3 V

4.5 V

1.65 V

= 50 pF的，R

= 600

= 1兆赫（正弦波）

（见

图8）

穿心衰减

(2)

（开关OFF）

A或B

B或A

= 5 pF的，R

= 50

= 1兆赫（正弦波）

（见

图8）

2.3 V

4.5 V

1.65 V

2.3 V

4.5 V

1.65 V

= 50 pF的，R

= 10 k,

= 1千赫（正弦波）

（见

图9）

正弦波失真

A或B

B或A

= 50 pF的，R

= 10 k,

= 10千赫（正弦波）

（见

图9）

2.3 V

4.5 V

1.65 V

2.3 V

4.5 V

(1)

(2)

调整F

电压，以获得0 dBm的输出处。增加F

频率，直到分贝仪读取-3分贝。

调整F

电压，以获得0 dBm的输入端。

典型值

120

175

195

>300

100

–58

–42

0.1

0.025

0.015

0.01

0.15

0.025

0.015

0.01

兆赫

单位

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SN74LVC1G66

单双边模拟开关

SCES323L - 2001年6月 - 修订2007年1月

工作特性

= 25°C

参数

功率耗散电容

TEST

条件

F = 10MHz的

= 1.8 V

典型值

= 2.5 V

典型值

= 3.3 V

典型值

= 5 V

典型值

单位

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SN74LVC1G66

单双边模拟开关

SCES323H - 2001年6月 - 修订2003年9月

可以在德州仪器

采用NanoStar 和NanoFree 软件包

1.65 V至5.5 V V

手术

输入接受电压为5.5 V

最大牛逼

0.8 ns的电压为3.3 V

高开 - 关输出电压比

线性程度高

高速，一般为0.5纳秒

= 3 V ，C

= 50 pF的）

低导通电阻，通常

≈5.5

= 4.5 V)

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

ESD保护超过JESD 22

- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）

- 200 -V机型号（ A115 -A ）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

DBV OR DCK包装

（ TOP VIEW ）

GND

是的，是的， YZA ，或YZP包装

（底视图）

GND

3 4

1 5

描述/订购信息

这种单一的模拟开关是专为1.65 V至5.5 -VV

操作。

该SN74LVC1G66可以处理模拟和数字信号。该设备允许与振幅信号

高达5.5V（峰值），以在任一方向进行传输。

订购信息

包装

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.17毫米的小凸起 - YEA

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.17毫米的小凸点 - YZA （无铅）

-40 ° C至85°C

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YEP

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）

3000卷

SOT （ SOT - 23 ） - DBV

-40 ° C至85°C

SOT （ SC - 70 ） - DCK

250的卷轴

3000卷

250的卷轴

3000卷

SN74LVC1G66YEPR

SN74LVC1G66YZPR

SN74LVC1G66DBVR

SN74LVC1G66DBVT

SN74LVC1G66DCKR

SN74LVC1G66DCKT

C6_

C66_

订购

产品型号

SN74LVC1G66YEAR

SN74LVC1G66YZAR

_ _ _C6_

TOP- SIDE

标记

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在

www.ti.com/sc/package 。

DBV / DCK ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。

YEA / YZA ， YEP / YZP ：实际的顶部端标记有前三个字符来表示年，月，和序列码，

一下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成

（1 =锡铅，

=无铅）。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2003年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74LVC1G66

单双边模拟开关

SCES323H - 2001年6月 - 修订2003年9月

描述/订购信息（续）

采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了

模具作为包。

应用包括信号选通，剁碎，调制或解调器（调制解调器），以及信号复用为

模拟 - 数字和数字 - 模拟转换系统。

功能表

控制

输入

(C)

开关

关闭

逻辑图（正逻辑）

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至6.5 V

输入电压范围，V

（见注1和2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至6.5 V

开关I / O电压范围，V

I / O

（见注1 ，2和3）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5 V到V

+ 0.5 V

控制输入钳位电流，I

< 0）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -50毫安

I / O端口的二极管电流，我

IOK

I / O

＆ LT ; 0或V

I / O

＆ GT ; V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±50

通态电流开关，我

I / O

= 0至V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±50

连续电流通过V

或GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±100

封装的热阻抗，

（见注4 ）： DBV封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 206 ° C / W

DCK包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 252 ° C / W

YEA / YZA包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 154 ° C / W

YEP / YZP包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 132 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有电压都是相对于地面的，除非另有规定。

2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

3.该值限制为5.5 V，最大。

4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

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达拉斯，德克萨斯州75265

SN74LVC1G66

单双边模拟开关

SCES323H - 2001年6月 - 修订2003年9月

推荐工作条件（见注5 ）

民

VCC

VI / O

电源电压

I / O端口电压

VCC = 1.65 V至1.95 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 3 V至3.6 V

VCC = 4.5 V至5.5 V

VCC = 1.65 V至1.95 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 3 V至3.6 V

VCC = 4.5 V至5.5 V

VCC = 1.65 V至1.95 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 3 V至3.6 V

VCC = 4.5 V至5.5 V

1.65

VCC

0.65

VCC

0.7

VCC

0.7

VCC

0.7

VCC

0.35

VCC

0.3

VCC

0.3

VCC

0.3

5.5

NS / V

最大

5.5

VCC

单位

VIH

高电平输入电压，控制输入

VIL

低层次的输入电压，控制输入

控制输入电压

ΔT/ ΔV

输入过渡的上升/下降时间

工作自由空气的温度

°C

注5 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

测试条件

VI = VCC或GND ，

VC = VIH

（参见图1和图2）

IS = 4毫安

IS = 8毫安

IS = 24毫安

IS = 32毫安

IS = 4毫安

IS = 8毫安

IS = 24毫安

IS = 32毫安

VCC

1.65 V

2.3 V

4.5 V

1.65 V

2.3 V

4.5 V

5.5 V

民

TYP

7.5

5.5

74.5

11.5

7.5

最大

100

±1

±0.1

±1

±0.1

±1

±0.1

500

单位

罗恩

通态电阻开关

罗恩（p）的

峰值导通电阻

VI = VCC和GND ，

VC = VIH

（参见图1和图2）

IS （OFF）的

断态开关漏电流

VI = VCC和VO = GND或

VI = GND和VO = VCC ，

VC = VIL（参见图3）

VI = VCC或GND ， VC = VIH ， VO =打开

（见图4）

VC = VCC或GND

VC = VCC - 0.6 V

IS （上）

ICC

CIC

首席信息官（关）

CIO （ ON）

- TA = 25°C

通态开关漏电流

控制输入电流

电源电流

电源电流变化

控制输入电容

开关量输入/输出电容

5.5 V

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达拉斯，德克萨斯州75265

SN74LVC1G66

单双边模拟开关

SCES323H - 2001年6月 - 修订2003年9月

开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）（见图5）

参数

TPD

从

（输入）

A或B

（输出）

B或A

A或B

2.5

VCC = 1.8 V

0.15 V

民

最大

1.9

VCC = 2.5 V

0.2 V

民

最大

1.2

6.5

1.8

VCC = 3.3 V

0.3 V

民

最大

0.8

1.5

VCC = 5 V

0.5 V

民

最大

0.6

4.2

单位

tdis§

A或B

2.2

1.4

6.9

6.5

1.4

tPLH的和的TPH1相同公吨。传播延迟是该开关的典型的通态电阻所计算的RC时间常数和

当理想电压源（零输出阻抗）驱动指定的负载电容。

§ tPZL和tPZH是相同的10 。

tPLZ和tPHZ相同TDIS 。

模拟开关特性，T

= 25°C

参数

从

（输入）

（输出）

测试条件

VCC

1.65 V

CL = 50 pF的， RL = 600

鱼翅=正弦波

（参见图6）

频率响应

（开关）

A或B

B或A

CL = 5 pF的，RL = 50

鱼翅=正弦波

（参见图6）

2.3 V

4.5 V

1.65 V

2.3 V

4.5 V

1.65 V

相声

（控制输入到信号输出）

A或B

CL = 50 pF的， RL = 600

翅片= 1兆赫（方波）

（参见图7 ）

2.3 V

4.5 V

1.65 V

CL = 50 pF的， RL = 600

翅片= 1兆赫（正弦波）

（参见图8）

馈通衰减＃

（开关OFF）

A或B

B或A

CL = 5 pF的，RL = 50

翅片= 1兆赫（正弦波）

（参见图8）

2.3 V

4.5 V

1.65 V

2.3 V

4.5 V

1.65 V

CL = 50 pF的， RL = 10 K，

翅片= 1千赫（正弦波）

（参见图9）

正弦波失真

A或B

B或A

CL = 50 pF的， RL = 10 K，

翅片= 10千赫（正弦波）

（参见图9）

鳍调整电压，以获得0 dBm的输出处。增加散热片频率，直到分贝仪读取-3分贝。

＃鳍调整电压，以获得0 dBm的输入端。

2.3 V

4.5 V

1.65 V

2.3 V

4.5 V

典型值

120

175

195

>300

100

0.1

0.025

0.015

0.01

0.15

0.025

0.015

0.01

兆赫

单位

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74LVC1G66

单双边模拟开关

SCES323H - 2001年6月 - 修订2003年9月

经营特色，T

= 25°C

参数

CPD

功率耗散电容

测试条件

F = 10MHz的

VCC = 1.8 V

典型值

VCC = 2.5 V

典型值

VCC = 3.3 V

典型值

VCC = 5 V

典型值

单位

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265