SN74LVC1G58
可配置多函数栅
www.ti.com
SCES415I - 2002年11月 - 修订2005年6月
特点
可以在德州仪器
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
6.3 ns的电压为3.3 V
低功耗， 10 μA最大I
CC
± 24 mA输出驱动电压为3.3 V
DBV包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DRL包装
（ TOP VIEW ）
是的，是的， YZA ，
或YZP包装
（底视图）
In1
GND
In0
1
6
In2
V
CC
Y
In1
GND
1
2
3
6
5
4
In2
V
CC
Y
In1
GND
In0
1
2
3
6
5
4
In2
V
CC
Y
In0
GND
In1
3 4
2 5
1 6
Y
V
CC
In2
2
5
4
In0
3
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
这种配置的多功能的门是专为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC1G58具有可配置的多种功能。输出状态由8模式的确定
3位输入。用户可以选择的逻辑功能AND，OR ， NAND ， NOR ， XOR ，逆变器和noninverter 。所有
输入可连接到V
CC
或GND 。
此装置的功能作为一个独立的栅极，但由于施密特作用，它可以具有不同的输入
阈值水平为正向（V
T+
）及负向（Ⅴ
T–
）信号。
订购信息
T
A
包
(1)
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.17毫米的小凸起 - YEA
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.17毫米的小凸点 - YZA （无铅）
-40 ° C至85°C
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YEP
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
SOT （ SOT - 553 ） - DRL
(1)
(2)
磁带和卷轴
磁带和卷轴
4000卷
订购型号
SN74LVC1G58YEAR
SN74LVC1G58YZAR
磁带和卷轴
SN74LVC1G58YEPR
SN74LVC1G58YZPR
SN74LVC1G58DBVR
SN74LVC1G58DCKR
SN74LVC1G58DRLR
C58_
CP_
CP_
_ _CP_
顶部端标记
(2)
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEA / YZA ， YEP / YZP ：实际的顶部端标记有三个前述的字符来表示年，月，和序列码，和一个
下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar ， NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2002-2005 ，德州仪器
SN74LVC1G58
可配置多函数栅
SCES415I - 2002年11月 - 修订2005年6月
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描述/订购信息（续）
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了
模具作为包。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
功能表
输入
In2
L
L
L
L
H
H
H
H
In1
L
L
H
H
L
L
H
H
In0
L
H
L
H
L
H
L
H
产量
Y
L
H
L
H
H
H
L
L
逻辑图（正逻辑）
In0
3
4
In1
1
Y
In2
6
2
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SN74LVC1G58
可配置多函数栅
SCES415I - 2002年11月 - 修订2005年6月
功能选择表
逻辑功能
2 ，输入带反向输入
2输入与非
二输入NAND与反相两个输入
2输入或
2输入或用反相两个输入
2输入NOR与反相输入
2-输入异或
图号
2, 3
1
4
4
1
2, 3
5
逻辑配置
V
CC
A
B
A
B
Y
A
Y
1
2
3
6
5
4
Y
B
A
B
A
B
Y
A
Y
1
2
3
6
5
4
Y
B
V
CC
图2. 2输入与门倒置A输入
图1. 2输入与非门
V
CC
V
CC
A
B
1
A
B
2
Y
A
3
6
5
4
Y
B
Y
A
B
1
A
B
2
Y
A
3
6
5
4
Y
B
Y
图3. 2输入与门倒置B输入
图4. 2输入或门
V
CC
A
Y
B
A
1
2
3
6
5
4
B
Y
图5. 2输入异或门
3
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可配置多函数栅
SCES415I - 2002年11月 - 修订2005年6月
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
(2)
电压范围应用于任何输出的高或低
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
θ
JA
封装的热
阻抗
(4)
DRL包装
YEA / YZA包
YEP / YZP包
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
–65
状态
(2) (3)
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
165
259
142
143
123
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
操作
数据保存时间只有
1.65
1.5
0
0
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
85
°C
mA
mA
最大
5.5
单位
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
4
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SCES415I - 2002年11月 - 修订2005年6月
电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
测试条件
V
CC
1.65 V
V
T+
正向输入
阈值电压
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T–
负向输入
阈值电压
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T
迟滞（V
T+
– V
T–
)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
I
OH
= –100
A
I
OH
= -4毫安
V
OH
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -32毫安
I
OL
= 100
A
I
OL
= 4毫安
V
OL
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
关闭
I
CC
I
CC
C
i
(1)
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
或V
O
= 5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ，我
O
= 0
一个输入在V
CC
– 0.6 V,
其他输入在V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至5.5 V
3.3 V
3.5
民
0.79
1.11
1.5
2.16
2.61
0.35
0.58
0.84
1.41
1.87
0.3
0.4
0.53
0.71
0.71
V
CC
– 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±1
±10
10
500
A
A
A
A
pF
V
V
典型值
(1)
最大
1.16
1.56
1.87
2.74
3.33
0.62
0.87
1.19
1.9
2.29
0.62
0.8
0.87
1.04
1.11
V
V
V
单位
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25°C.
5
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可配置多函数栅
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SCES415I - 2002年11月 - 修订2005年6月
特点
可以在德州仪器
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
6.3 ns的电压为3.3 V
低功耗， 10 μA最大I
CC
± 24 mA输出驱动电压为3.3 V
DBV包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DRL包装
（ TOP VIEW ）
是的，是的， YZA ，
或YZP包装
（底视图）
In1
GND
In0
1
6
In2
V
CC
Y
In1
GND
1
2
3
6
5
4
In2
V
CC
Y
In1
GND
In0
1
2
3
6
5
4
In2
V
CC
Y
In0
GND
In1
3 4
2 5
1 6
Y
V
CC
In2
2
5
4
In0
3
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
这种配置的多功能的门是专为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC1G58具有可配置的多种功能。输出状态由8模式的确定
3位输入。用户可以选择的逻辑功能AND，OR ， NAND ， NOR ， XOR ，逆变器和noninverter 。所有
输入可连接到V
CC
或GND 。
此装置的功能作为一个独立的栅极，但由于施密特作用，它可以具有不同的输入
阈值水平为正向（V
T+
）及负向（Ⅴ
T–
）信号。
订购信息
T
A
包
(1)
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.17毫米的小凸起 - YEA
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.17毫米的小凸点 - YZA （无铅）
-40 ° C至85°C
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YEP
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
SOT （ SOT - 553 ） - DRL
(1)
(2)
磁带和卷轴
磁带和卷轴
4000卷
订购型号
SN74LVC1G58YEAR
SN74LVC1G58YZAR
磁带和卷轴
SN74LVC1G58YEPR
SN74LVC1G58YZPR
SN74LVC1G58DBVR
SN74LVC1G58DCKR
SN74LVC1G58DRLR
C58_
CP_
CP_
_ _CP_
顶部端标记
(2)
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEA / YZA ， YEP / YZP ：实际的顶部端标记有三个前述的字符来表示年，月，和序列码，和一个
下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar ， NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2002-2005 ，德州仪器
SN74LVC1G58
可配置多函数栅
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描述/订购信息（续）
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了
模具作为包。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
功能表
输入
In2
L
L
L
L
H
H
H
H
In1
L
L
H
H
L
L
H
H
In0
L
H
L
H
L
H
L
H
产量
Y
L
H
L
H
H
H
L
L
逻辑图（正逻辑）
In0
3
4
In1
1
Y
In2
6
2
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可配置多函数栅
SCES415I - 2002年11月 - 修订2005年6月
功能选择表
逻辑功能
2 ，输入带反向输入
2输入与非
二输入NAND与反相两个输入
2输入或
2输入或用反相两个输入
2输入NOR与反相输入
2-输入异或
图号
2, 3
1
4
4
1
2, 3
5
逻辑配置
V
CC
A
B
A
B
Y
A
Y
1
2
3
6
5
4
Y
B
A
B
A
B
Y
A
Y
1
2
3
6
5
4
Y
B
V
CC
图2. 2输入与门倒置A输入
图1. 2输入与非门
V
CC
V
CC
A
B
1
A
B
2
Y
A
3
6
5
4
Y
B
Y
A
B
1
A
B
2
Y
A
3
6
5
4
Y
B
Y
图3. 2输入与门倒置B输入
图4. 2输入或门
V
CC
A
Y
B
A
1
2
3
6
5
4
B
Y
图5. 2输入异或门
3
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可配置多函数栅
SCES415I - 2002年11月 - 修订2005年6月
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
(2)
电压范围应用于任何输出的高或低
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
θ
JA
封装的热
阻抗
(4)
DRL包装
YEA / YZA包
YEP / YZP包
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
–65
状态
(2) (3)
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
165
259
142
143
123
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
操作
数据保存时间只有
1.65
1.5
0
0
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
85
°C
mA
mA
最大
5.5
单位
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
4
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可配置多函数栅
SCES415I - 2002年11月 - 修订2005年6月
电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
测试条件
V
CC
1.65 V
V
T+
正向输入
阈值电压
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T–
负向输入
阈值电压
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T
迟滞（V
T+
– V
T–
)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
I
OH
= –100
A
I
OH
= -4毫安
V
OH
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -32毫安
I
OL
= 100
A
I
OL
= 4毫安
V
OL
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
关闭
I
CC
I
CC
C
i
(1)
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
或V
O
= 5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ，我
O
= 0
一个输入在V
CC
– 0.6 V,
其他输入在V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至5.5 V
3.3 V
3.5
民
0.79
1.11
1.5
2.16
2.61
0.35
0.58
0.84
1.41
1.87
0.3
0.4
0.53
0.71
0.71
V
CC
– 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±1
±10
10
500
A
A
A
A
pF
V
V
典型值
(1)
最大
1.16
1.56
1.87
2.74
3.33
0.62
0.87
1.19
1.9
2.29
0.62
0.8
0.87
1.04
1.11
V
V
V
单位
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25°C.
5
SN74LVC1G58
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可配置多函数栅
检查样品：
SN74LVC1G58
1
特点
可以在德州仪器NanoFree
包
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
支持向下转换到V
CC
最大牛逼
pd
6.3 ns的电压为3.3 V
低功耗， 10 μA最大I
CC
± 24 mA输出驱动电压为3.3 V
I
关闭
支持实时插入，局部电源 -
暂停模式和反向驱动保护
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DBV包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
描述
此配置的多个函数栅设计
为1.65 V至5.5 V V
CC
操作。
该SN74LVC1G58器件具有可配置
多种功能。输出状态取决于
8型态的3位输入。用户可以选择
逻辑功能AND，OR ， NAND ， NOR ， XOR ，逆变器，
和noninverter 。所有的输入可以连接到V
CC
或GND 。
此装置的功能作为一个独立的门，但
由于施密特作用，它可以具有不同的输入
阈值水平为正向（V
T+
）和负
去（V
T–
）信号。
NanoFree 封装技术的一大
突破集成电路封装理念，采用模
作为包。
该器件是完全特定网络版对部分掉电
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路将禁用
输出，防止损坏电流回流
通过该装置，当它被断电。
DRL包装
（ TOP VIEW ）
YZP包装
（底视图）
2
In1
GND
In0
1
6
In2
V
CC
Y
In1
GND
1
2
3
6
5
4
In2
V
CC
Y
In1
GND
In0
1
2
3
6
5
4
In2
V
CC
Y
In0
GND
In1
3 4
2 5
1 6
Y
V
CC
In2
2
5
4
In0
3
干包装
（ TOP VIEW ）
DSF包
（ TOP VIEW ）
ln1
请参见机械图纸尺寸。
1
2
3
6
ln2
V
CC
Y
GND
5
4
ln1
GND
ln0
1
2
3
6
5
4
ln2
V
CC
Y
ln0
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
版权所有 2002至13年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
SN74LVC1G58
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
功能表
输入
In2
L
L
L
L
H
H
H
H
In1
L
L
H
H
L
L
H
H
In0
L
H
L
H
L
H
L
H
产量
Y
L
H
L
H
H
H
L
L
逻辑图（正逻辑）
In0
3
4
In1
1
Y
In2
6
功能选择表
逻辑功能
2 ，输入带反向输入
2输入与非
二输入NAND与反相两个输入
2输入或
2输入或用反相两个输入
2输入NOR与反相输入
2-输入异或
图号
图2 ，图3中
图1
图4
图4
图1
图2 ，图3中
图5
2
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SN74LVC1G58
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逻辑配置
V
CC
A
B
A
B
Y
A
Y
1
2
3
6
5
4
Y
B
A
B
Y
A
B
Y
A
1
2
3
6
5
4
Y
B
V
CC
图1. 2输入与非门
V
CC
A
B
1
A
B
2
Y
A
3
6
5
4
Y
B
图2. 2输入与门倒置A输入
V
CC
A
Y
1
A
B
2
Y
A
3
6
5
4
Y
B
Y
B
图3. 2输入与门倒置B输入
图4. 2输入或门
V
CC
A
Y
B
A
1
2
3
6
5
4
B
Y
图5. 2输入异或门
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3
SN74LVC1G58
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
(2) (3)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
(2)
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
DRL包装
YZP包装
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
165
259
142
123
–65
150
°C
° C / W
θ
JA
封装的热阻抗
(4)
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
操作
数据保存时间只有
1.65
1.5
0
0
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
125
°C
mA
mA
最大
5.5
单位
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号
SCBA004.
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
测试条件
V
CC
1.65 V
V
T+
正向输入
阈值电压
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T–
负向输入
阈值电压
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
2.3 V
ΔV
T
迟滞（V
T+
– V
T–
)
3V
4.5 V
5.5 V
I
OH
= –100 A
I
OH
= -4毫安
V
OH
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -32毫安
I
OL
= 100 A
I
OL
= 4毫安
V
OL
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
关闭
I
CC
ΔI
CC
C
i
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
或V
O
= 5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ，我
O
= 0
一个输入在V
CC
– 0.6 V,
其他输入在V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至5.5 V
3.3 V
3.5
-40 ° C至85°C
民
0.79
1.11
1.5
2.16
2.61
0.35
0.58
0.84
1.41
1.87
0.3
0.4
0.53
0.71
0.71
V
CC
– 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±1
±10
10
500
典型值
(1)
-40_C到125_C
最大
1.16
1.56
1.87
2.74
3.33
0.62
0.87
1.19
1.9
2.29
0.62
0.8
0.87
1.04
1.11
民
0.79
1.11
1.5
2.16
2.61
0.35
0.58
0.84
1.41
1.87
0.3
0.4
0.53
0.71
0.71
V
CC
– 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.45
0.55
0.58
±1
±10
10
500
典型值
(1)
最大
1.16
1.56
1.87
2.74
3.33
0.62
0.87
1.19
1.9
2.29
0.62
0.8
0.87
1.04
1.11
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
A
pF
(1)
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25°C.
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