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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第86页 > SN74LVC1G17DRYR
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
www.ti.com
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
特点
可以在德州仪器
NanoFree 封装
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
4.6 ns的电压为3.3 V
低功耗， 10 μA最大I
CC
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
DBV包装
（ TOP VIEW ）
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DRL包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
北卡罗来纳州
A
GND
1
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
1
2
3
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
GND
1
2
3
5
V
CC
Y
2
4
GND
4
4
Y
3
Y
YZP包装
（底视图）
干包装
（ TOP VIEW ）
北卡罗来纳州
A
1
2
3
6
V
CC
北卡罗来纳州
Y
GND
A
DNU
3 4
2
1 5
Y
V
CC
YZV包装
（底视图）
GND
A
2 3
1 4
5
4
Y
V
CC
GND
DNU =不使用
北卡罗来纳州
–
无内部连接
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
这种单一的施密特触发器缓冲设计为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC1G17包含一个缓冲区，并执行布尔函数Y = A的设备作为一个
独立的缓冲器，但由于施密特作用，它可以具有不同的输入阈值电平为正向
(V
T+
）及负向（Ⅴ
T–
）信号。
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2001-2007 ，德州仪器
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
www.ti.com
订购信息
T
A
包
(1) (2)
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZV （无铅）
SON - 干
3000卷
3000卷
5000卷
订购型号
SN74LVC1G17YZPR
SN74LVC1G17YZVR
SN74LVC1G17DRYR
SN74LVC1G17DRYRG4
SN74LVC1G17DBV3
3000卷
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
-40 ° C至85°C
250管
SN74LVC1G17DBVR
SN74LVC1G17DBVRE4
SN74LVC1G17DBVRG4
SN74LVC1G17DBVT
SN74LVC1G17DBVTE4
SN74LVC1G17DCK3
3000卷
SOT （ SC - 70 ） - DCK
250管
SOT （ SOT - 553 ） - DRL
(1)
(2)
(3)
4000卷
SN74LVC1G17DCKR
SN74LVC1G17DCKRE4
SN74LVC1G17DCKRG4
SN74LVC1G17DCKT
SN74LVC1G17DCKTE4
SN74LVC1G17DRLR
SN74LVC1G17DRLRG4
C7_
C7_
C17
顶部端标记
(3)
_ _ _C7_
____
C7
C7_
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
DBV / DCK / DRL /干：实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
YZV ：实际的顶部端标记是两条线。 1号线有四个字符来表示年，月，日和晶圆厂/装配现场。线
2具有显示家庭和功能代码两个字符。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=
无铅） 。
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
逻辑图（正逻辑）
（ DBV ， DCK ， DRL ，干燥， YZP包）
逻辑图（正逻辑）
（ YZV包）
2
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SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
θ
JA
封装的热阻抗
(4)
DRL包装
干包装
YZP包装
YZV包装
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
–65
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
(2) (3)
(2)
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
206
252
142
234
132
116
150
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
操作
数据保存时间只有
1.65
1.5
0
0
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
85
°C
mA
mA
最大
5.5
单位
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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3
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
测试条件
V
CC
1.65 V
V
T+
（正向
输入阈值
电压）
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T–
（负向
输入阈值
电压）
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
ΔV
T
迟滞
(V
T+
– V
T–
)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
I
OH
= –100
μA
I
OH
= -4毫安
V
OH
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -32毫安
I
OL
= 100
μA
I
OL
= 4毫安
V
OL
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
关闭
I
CC
ΔI
CC
C
I
(1)
A输入
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
或V
O
= 5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ，
V
I
= 3.6 V或GND ，
一个输入在V
CC
– 0.6 V,
其他输入在V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25°C.
I
O
= 0
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至3.6 V
3 V至5.5 V
3.3 V
4.5
0.5
1.5
500
25
°C
最小值典型值
(1)
最大
民
0.76
1.08
1.48
2.19
2.65
0.35
0.56
0.89
1.51
1.88
0.36
0.45
0.51
0.58
0.69
V
CC
– 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
μA
μA
μA
μA
pF
V
V
最大
1.13
1.56
1.92
2.74
3.33
0.59
0.88
1.2
1.97
2.4
0.64
0.78
0.83
0.93
1.04
V
V
V
单位
4
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SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内，C
L
= 15 pF（除非另有说明）（见
图1
)
参数
t
pd
从
（输入）
A
TO
（输出）
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
民
2.8
最大
9.9
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
1.6
最大
5.5
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
1.5
最大
4.6
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
民
0.9
最大
4.4
ns
单位
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内，C
L
= 30 pF或者50 pF（除非另有说明）（见
图2
)
参数
t
pd
从
（输入）
A
TO
（输出）
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
民
3.8
最大
11
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
2
最大
6.5
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
1.8
最大
5.5
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
民
1.2
最大
5
ns
单位
工作特性
T
A
= 25°C
参数
C
pd
功率耗散电容
TEST
条件
F = 10MHz的
V
CC
= 1.8 V V
CC
= 2.5 V V
CC
= 3.3 V
典型值
20
典型值
21
典型值
22
V
CC
= 5 V
典型值
26
单位
pF
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5
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
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SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
特点
可以在德州仪器
NanoFree 封装
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
4.6 ns的电压为3.3 V
低功耗， 10 μA最大I
CC
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
DBV包装
（ TOP VIEW ）
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DRL包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
北卡罗来纳州
A
GND
1
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
1
2
3
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
GND
1
2
3
5
V
CC
Y
2
4
GND
4
4
Y
3
Y
YZP包装
（底视图）
干包装
（ TOP VIEW ）
北卡罗来纳州
A
1
2
3
6
V
CC
北卡罗来纳州
Y
GND
A
DNU
3 4
2
1 5
Y
V
CC
YZV包装
（底视图）
GND
A
2 3
1 4
5
4
Y
V
CC
GND
DNU =不使用
北卡罗来纳州
–
无内部连接
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
这种单一的施密特触发器缓冲设计为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC1G17包含一个缓冲区，并执行布尔函数Y = A的设备作为一个
独立的缓冲器，但由于施密特作用，它可以具有不同的输入阈值电平为正向
(V
T+
）及负向（Ⅴ
T–
）信号。
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2001-2007 ，德州仪器
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
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订购信息
T
A
包
(1) (2)
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZV （无铅）
SON - 干
3000卷
3000卷
5000卷
订购型号
SN74LVC1G17YZPR
SN74LVC1G17YZVR
SN74LVC1G17DRYR
SN74LVC1G17DRYRG4
SN74LVC1G17DBV3
3000卷
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
-40 ° C至85°C
250管
SN74LVC1G17DBVR
SN74LVC1G17DBVRE4
SN74LVC1G17DBVRG4
SN74LVC1G17DBVT
SN74LVC1G17DBVTE4
SN74LVC1G17DCK3
3000卷
SOT （ SC - 70 ） - DCK
250管
SOT （ SOT - 553 ） - DRL
(1)
(2)
(3)
4000卷
SN74LVC1G17DCKR
SN74LVC1G17DCKRE4
SN74LVC1G17DCKRG4
SN74LVC1G17DCKT
SN74LVC1G17DCKTE4
SN74LVC1G17DRLR
SN74LVC1G17DRLRG4
C7_
C7_
C17
顶部端标记
(3)
_ _ _C7_
____
C7
C7_
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
DBV / DCK / DRL /干：实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
YZV ：实际的顶部端标记是两条线。 1号线有四个字符来表示年，月，日和晶圆厂/装配现场。线
2具有显示家庭和功能代码两个字符。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=
无铅） 。
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
逻辑图（正逻辑）
（ DBV ， DCK ， DRL ，干燥， YZP包）
逻辑图（正逻辑）
（ YZV包）
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单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
θ
JA
封装的热阻抗
(4)
DRL包装
干包装
YZP包装
YZV包装
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
–65
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
(2) (3)
(2)
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
206
252
142
234
132
116
150
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
操作
数据保存时间只有
1.65
1.5
0
0
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
85
°C
mA
mA
最大
5.5
单位
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
www.ti.com
电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
测试条件
V
CC
1.65 V
V
T+
（正向
输入阈值
电压）
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T–
（负向
输入阈值
电压）
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
ΔV
T
迟滞
(V
T+
– V
T–
)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
I
OH
= –100
μA
I
OH
= -4毫安
V
OH
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -32毫安
I
OL
= 100
μA
I
OL
= 4毫安
V
OL
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
关闭
I
CC
ΔI
CC
C
I
(1)
A输入
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
或V
O
= 5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ，
V
I
= 3.6 V或GND ，
一个输入在V
CC
– 0.6 V,
其他输入在V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25°C.
I
O
= 0
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至3.6 V
3 V至5.5 V
3.3 V
4.5
0.5
1.5
500
25
°C
最小值典型值
(1)
最大
民
0.76
1.08
1.48
2.19
2.65
0.35
0.56
0.89
1.51
1.88
0.36
0.45
0.51
0.58
0.69
V
CC
– 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
μA
μA
μA
μA
pF
V
V
最大
1.13
1.56
1.92
2.74
3.33
0.59
0.88
1.2
1.97
2.4
0.64
0.78
0.83
0.93
1.04
V
V
V
单位
4
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SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内，C
L
= 15 pF（除非另有说明）（见
图1
)
参数
t
pd
从
（输入）
A
TO
（输出）
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
民
2.8
最大
9.9
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
1.6
最大
5.5
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
1.5
最大
4.6
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
民
0.9
最大
4.4
ns
单位
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内，C
L
= 30 pF或者50 pF（除非另有说明）（见
图2
)
参数
t
pd
从
（输入）
A
TO
（输出）
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
民
3.8
最大
11
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
2
最大
6.5
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
1.8
最大
5.5
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
民
1.2
最大
5
ns
单位
工作特性
T
A
= 25°C
参数
C
pd
功率耗散电容
TEST
条件
F = 10MHz的
V
CC
= 1.8 V V
CC
= 2.5 V V
CC
= 3.3 V
典型值
20
典型值
21
典型值
22
V
CC
= 5 V
典型值
26
单位
pF
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5
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
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SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
特点
可以在德州仪器
NanoFree 封装
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
4.6 ns的电压为3.3 V
低功耗， 10 μA最大I
CC
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
DBV包装
（ TOP VIEW ）
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DRL包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
北卡罗来纳州
A
GND
1
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
1
2
3
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
GND
1
2
3
5
V
CC
Y
2
4
GND
4
4
Y
3
Y
YZP包装
（底视图）
干包装
（ TOP VIEW ）
北卡罗来纳州
A
1
2
3
6
V
CC
北卡罗来纳州
Y
GND
A
DNU
3 4
2
1 5
Y
V
CC
YZV包装
（底视图）
GND
A
2 3
1 4
5
4
Y
V
CC
GND
DNU =不使用
北卡罗来纳州
–
无内部连接
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
这种单一的施密特触发器缓冲设计为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC1G17包含一个缓冲区，并执行布尔函数Y = A的设备作为一个
独立的缓冲器，但由于施密特作用，它可以具有不同的输入阈值电平为正向
(V
T+
）及负向（Ⅴ
T–
）信号。
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2001-2007 ，德州仪器
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
www.ti.com
订购信息
T
A
包
(1) (2)
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZV （无铅）
SON - 干
3000卷
3000卷
5000卷
订购型号
SN74LVC1G17YZPR
SN74LVC1G17YZVR
SN74LVC1G17DRYR
SN74LVC1G17DRYRG4
SN74LVC1G17DBV3
3000卷
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
-40 ° C至85°C
250管
SN74LVC1G17DBVR
SN74LVC1G17DBVRE4
SN74LVC1G17DBVRG4
SN74LVC1G17DBVT
SN74LVC1G17DBVTE4
SN74LVC1G17DCK3
3000卷
SOT （ SC - 70 ） - DCK
250管
SOT （ SOT - 553 ） - DRL
(1)
(2)
(3)
4000卷
SN74LVC1G17DCKR
SN74LVC1G17DCKRE4
SN74LVC1G17DCKRG4
SN74LVC1G17DCKT
SN74LVC1G17DCKTE4
SN74LVC1G17DRLR
SN74LVC1G17DRLRG4
C7_
C7_
C17
顶部端标记
(3)
_ _ _C7_
____
C7
C7_
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
DBV / DCK / DRL /干：实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
YZV ：实际的顶部端标记是两条线。 1号线有四个字符来表示年，月，日和晶圆厂/装配现场。线
2具有显示家庭和功能代码两个字符。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=
无铅） 。
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
逻辑图（正逻辑）
（ DBV ， DCK ， DRL ，干燥， YZP包）
逻辑图（正逻辑）
（ YZV包）
2
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SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
θ
JA
封装的热阻抗
(4)
DRL包装
干包装
YZP包装
YZV包装
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
–65
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
(2) (3)
(2)
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
206
252
142
234
132
116
150
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
操作
数据保存时间只有
1.65
1.5
0
0
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
85
°C
mA
mA
最大
5.5
单位
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
测试条件
V
CC
1.65 V
V
T+
（正向
输入阈值
电压）
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T–
（负向
输入阈值
电压）
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
ΔV
T
迟滞
(V
T+
– V
T–
)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
I
OH
= –100
μA
I
OH
= -4毫安
V
OH
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -32毫安
I
OL
= 100
μA
I
OL
= 4毫安
V
OL
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
关闭
I
CC
ΔI
CC
C
I
(1)
A输入
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
或V
O
= 5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ，
V
I
= 3.6 V或GND ，
一个输入在V
CC
– 0.6 V,
其他输入在V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25°C.
I
O
= 0
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至3.6 V
3 V至5.5 V
3.3 V
4.5
0.5
1.5
500
25
°C
最小值典型值
(1)
最大
民
0.76
1.08
1.48
2.19
2.65
0.35
0.56
0.89
1.51
1.88
0.36
0.45
0.51
0.58
0.69
V
CC
– 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
μA
μA
μA
μA
pF
V
V
最大
1.13
1.56
1.92
2.74
3.33
0.59
0.88
1.2
1.97
2.4
0.64
0.78
0.83
0.93
1.04
V
V
V
单位
4
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SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内，C
L
= 15 pF（除非另有说明）（见
图1
)
参数
t
pd
从
（输入）
A
TO
（输出）
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
民
2.8
最大
9.9
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
1.6
最大
5.5
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
1.5
最大
4.6
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
民
0.9
最大
4.4
ns
单位
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内，C
L
= 30 pF或者50 pF（除非另有说明）（见
图2
)
参数
t
pd
从
（输入）
A
TO
（输出）
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
民
3.8
最大
11
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
2
最大
6.5
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
1.8
最大
5.5
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
民
1.2
最大
5
ns
单位
工作特性
T
A
= 25°C
参数
C
pd
功率耗散电容
TEST
条件
F = 10MHz的
V
CC
= 1.8 V V
CC
= 2.5 V V
CC
= 3.3 V
典型值
20
典型值
21
典型值
22
V
CC
= 5 V
典型值
26
单位
pF
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5
SN74LVC1G17
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SCES351S
–
2001年7月
–
经修订的2011年6月
单施密特触发缓冲器
检查样品：
SN74LVC1G17
1
特点
可以在德州仪器NanoFree
包
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
4.6 ns的电压为3.3 V
低功耗， 10 μA最大I
CC
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
I
关闭
支持实时插入，部分电源
暂停模式和反向驱动保护
DBV包装
（ TOP VIEW ）
2
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
–
2000 -V人体模型（ A114 -A ）
–
200 -V机型号（ A115 -A ）
–
1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
DRL包装
（ TOP VIEW ）
北卡罗来纳州
A
GND
1
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
1
2
3
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
GND
1
2
3
5
V
CC
Y
2
4
GND
4
4
Y
3
Y
干包装
（ TOP VIEW ）
DSF包
（ TOP VIEW ）
北卡罗来纳州
A
北卡罗来纳州=无内部连接
请参见机械图纸尺寸。
YZP包装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
6
V
CC
北卡罗来纳州
Y
5
4
北卡罗来纳州
A
GND
1
2
3
6
5
4
V
CC
北卡罗来纳州
Y
GND
表1. YZP包装TERMINAL
任务
1
A
DNU
A
GND
B
C
2
V
CC
无装球
Y
DNU
A
GND
A1
A2
V
CC
Y
B1
B2
C1
C2
DNU =不使用
YZV包装
（ TOP VIEW ）
表2. YZV包装TERMINAL
分配（续）
任务
1
A
A
GND
B
2
V
CC
Y
A
GND
A1
A2
V
CC
Y
B1
B2
表2. YZV包装TERMINAL
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
版权
2001-2011年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
SN74LVC1G17
SCES351S
–
2001年7月
–
经修订的2011年6月
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描述/订购信息
这种单一的施密特触发器缓冲设计为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC1G17包含一个缓冲区，并执行布尔函数Y = A的设备作为一个
独立的缓冲器，但由于施密特作用，它可以具有不同的输入阈值电平为正向
(V
T+
）及负向（Ⅴ
T–
）信号。
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
订购信息
T
A
包
(1) (2)
订购型号
3000卷
3000卷
5000卷
5000卷
SN74LVC1G17YZPR
SN74LVC1G17YZVR
SN74LVC1G17DRYR
SN74LVC1G17DRYRG4
SN74LVC1G17DSFR
SN74LVC1G17DBV3
3000卷
SN74LVC1G17DBVR
SN74LVC1G17DBVRE4
SN74LVC1G17DBVRG4
250管
SN74LVC1G17DBVT
SN74LVC1G17DBVTE4
SN74LVC1G17DCK3
3000卷
SN74LVC1G17DCKR
SN74LVC1G17DCKRE4
SN74LVC1G17DCKRG4
250管
SN74LVC1G17DCKT
SN74LVC1G17DCKTE4
SN74LVC1G17DRLR
SN74LVC1G17DRLRG4
顶部端标记
(3)
_ _ _C7_
____
C7
C7
C7
NanoFree
–
WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起
–
YZP （无铅）
NanoFree
–
WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起
–
YZV （无铅）
QFN
–
干
μQFN -
DSF
SOT （ SOT -23 ）
–
的dBV
–40°C
至85℃
C17
SOT （ SC- 70 ）
–
DCK
C7_
SOT （ SOT- 553 ）
–
DRL
(1)
(2)
(3)
4000卷
C7_
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
DBV / DCK / DRL /干：实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
YZV ：实际的顶部端标记是两条线。 1号线有四个字符来表示年，月，日和晶圆厂/装配现场。线
2具有显示家庭和功能代码两个字符。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=
无铅） 。
2
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表3.功能表
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
逻辑图（正逻辑）
（ DBV ， DCK ， DRL ， DSF ，干燥， YZP包）
逻辑图（正逻辑）
（ YZV包）
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
(2) (3)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
(2)
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
DRL包装
V
I
＆ LT ;
0
V
O
＆ LT ;
0
206
252
142
234
300
132
116
–65
150
°C
° C / W
θ
JA
封装的热阻抗
(4)
干包装
DSF包
YZP包装
YZV包装
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
强调超越那些在列
"absolute
最大ratings"可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
"recommended
操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
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推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
操作
数据保存时间只有
1.65
1.5
0
0
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
85
°C
mA
mA
最大
5.5
单位
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
4
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
测试条件
V
CC
1.65 V
V
T+
（正向
输入阈值
电压）
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T–
（负向
输入阈值
电压）
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
ΔV
T
迟滞
(V
T+
–
V
T–
)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
I
OH
=
–100 μA
I
OH
=
–4
mA
V
OH
I
OH
=
–8
mA
I
OH
=
–16
mA
I
OH
=
–24
mA
I
OH
=
–32
mA
I
OL
= 100
μA
I
OL
= 4毫安
V
OL
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
关闭
I
CC
ΔI
CC
C
I
(1)
A输入
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
或V
O
= 5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ，
V
I
= 3.6 V或GND ，
一个输入在V
CC
–
0.6 V,
其他输入在V
C C
或GND
V
I
= V
CC
或GND
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25°C.
I
O
= 0
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至3.6 V
3 V至5.5 V
3.3 V
4.5
0.5
1.5
500
25
°C
最小值典型值
(1)
最大
民
0.76
1.08
1.48
2.19
2.65
0.35
0.56
0.89
1.51
1.88
0.36
0.45
0.51
0.58
0.69
V
CC
–
0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
μA
μA
μA
μA
pF
V
V
最大
1.13
1.56
1.92
2.74
3.33
0.59
0.88
1.2
1.97
2.4
0.64
0.78
0.83
0.93
1.04
V
V
V
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