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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1560页 > SN74LVC1G17DCKRG4
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
www.ti.com
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
特点
可以在德州仪器
NanoFree 封装
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
4.6 ns的电压为3.3 V
低功耗, 10 μA最大I
CC
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
DBV包装
( TOP VIEW )
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
DRL包装
( TOP VIEW )
DCK包装
( TOP VIEW )
北卡罗来纳州
A
GND
1
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
1
2
3
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
GND
1
2
3
5
V
CC
Y
2
4
GND
4
4
Y
3
Y
YZP包装
(底视图)
干包装
( TOP VIEW )
北卡罗来纳州
A
1
2
3
6
V
CC
北卡罗来纳州
Y
GND
A
DNU
3 4
2
1 5
Y
V
CC
YZV包装
(底视图)
GND
A
2 3
1 4
5
4
Y
V
CC
GND
DNU =不使用
北卡罗来纳州
无内部连接
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
这种单一的施密特触发器缓冲设计为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC1G17包含一个缓冲区,并执行布尔函数Y = A的设备作为一个
独立的缓冲器,但由于施密特作用,它可以具有不同的输入阈值电平为正向
(V
T+
)及负向(Ⅴ
T–
)信号。
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,
防止有害的电流回流通过该装置,当它被断电。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2001-2007 ,德州仪器
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
www.ti.com
订购信息
T
A
(1) (2)
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZV (无铅)
SON - 干
3000卷
3000卷
5000卷
订购型号
SN74LVC1G17YZPR
SN74LVC1G17YZVR
SN74LVC1G17DRYR
SN74LVC1G17DRYRG4
SN74LVC1G17DBV3
3000卷
SOT ( SOT - 23 ) - DBV
-40 ° C至85°C
250管
SN74LVC1G17DBVR
SN74LVC1G17DBVRE4
SN74LVC1G17DBVRG4
SN74LVC1G17DBVT
SN74LVC1G17DBVTE4
SN74LVC1G17DCK3
3000卷
SOT ( SC - 70 ) - DCK
250管
SOT ( SOT - 553 ) - DRL
(1)
(2)
(3)
4000卷
SN74LVC1G17DCKR
SN74LVC1G17DCKRE4
SN74LVC1G17DCKRG4
SN74LVC1G17DCKT
SN74LVC1G17DCKTE4
SN74LVC1G17DRLR
SN74LVC1G17DRLRG4
C7_
C7_
C17
顶部端标记
(3)
_ _ _C7_
____
C7
C7_
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
DBV / DCK / DRL /干:实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
YZP :实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年,月,和序列码,和一个
字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=无铅) 。
YZV :实际的顶部端标记是两条线。 1号线有四个字符来表示年,月,日和晶圆厂/装配现场。线
2具有显示家庭和功能代码两个字符。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=
无铅) 。
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
逻辑图(正逻辑)
( DBV , DCK , DRL ,干燥, YZP包)
逻辑图(正逻辑)
( YZV包)
2
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www.ti.com
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
θ
JA
封装的热阻抗
(4)
DRL包装
干包装
YZP包装
YZV包装
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
–65
V
I
& LT ; 0
V
O
& LT ; 0
(2) (3)
(2)
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
206
252
142
234
132
116
150
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
操作
数据保存时间只有
1.65
1.5
0
0
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
85
°C
mA
mA
最大
5.5
单位
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
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3
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
测试条件
V
CC
1.65 V
V
T+
(正向
输入阈值
电压)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T–
(负向
输入阈值
电压)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
ΔV
T
迟滞
(V
T+
– V
T–
)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
I
OH
= –100
μA
I
OH
= -4毫安
V
OH
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -32毫安
I
OL
= 100
μA
I
OL
= 4毫安
V
OL
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
关闭
I
CC
ΔI
CC
C
I
(1)
A输入
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
或V
O
= 5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ,
V
I
= 3.6 V或GND ,
一个输入在V
CC
– 0.6 V,
其他输入在V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ,T
A
= 25°C.
I
O
= 0
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至3.6 V
3 V至5.5 V
3.3 V
4.5
0.5
1.5
500
25
°C
最小值典型值
(1)
最大
0.76
1.08
1.48
2.19
2.65
0.35
0.56
0.89
1.51
1.88
0.36
0.45
0.51
0.58
0.69
V
CC
– 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
μA
μA
μA
μA
pF
V
V
最大
1.13
1.56
1.92
2.74
3.33
0.59
0.88
1.2
1.97
2.4
0.64
0.78
0.83
0.93
1.04
V
V
V
单位
4
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SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 15 pF(除非另有说明)(见
图1
)
参数
t
pd
(输入)
A
TO
(输出)
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
2.8
最大
9.9
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
1.6
最大
5.5
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
1.5
最大
4.6
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
0.9
最大
4.4
ns
单位
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 30 pF或者50 pF(除非另有说明)(见
图2
)
参数
t
pd
(输入)
A
TO
(输出)
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
3.8
最大
11
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
2
最大
6.5
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
1.8
最大
5.5
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
1.2
最大
5
ns
单位
工作特性
T
A
= 25°C
参数
C
pd
功率耗散电容
TEST
条件
F = 10MHz的
V
CC
= 1.8 V V
CC
= 2.5 V V
CC
= 3.3 V
典型值
20
典型值
21
典型值
22
V
CC
= 5 V
典型值
26
单位
pF
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5
SN74LVC1G17
单施密特触发器缓冲
SCES351N - 2001年6月 - 修订2005年10月
D
可以在德州仪器
D
D
D
D
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
4.6 ns的电压为3.3 V
低功耗, 10 μA最大I
CC
D
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
D
I
关闭
支持部分掉电模式
D
D
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
DRL包装
( TOP VIEW )
DBV包装
( TOP VIEW )
DCK包装
( TOP VIEW )
NC
A
GND
1
5
V
CC
NC
A
1
2
3
5
V
CC
NC
A
1
2
3
5
V
CC
Y
2
GND
4
4
Y
GND
4
3
Y
是的,是的, YZA ,或YZP包装
(底视图)
YZV包装
(底视图)
GND
A
DNU
3 4
2
1 5
Y
V
CC
GND
A
2 3
1 4
Y
V
CC
DNU =不使用
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
这种单一的施密特触发器缓冲设计为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC1G17包含一个缓冲区,并执行布尔函数Y = A的设备作为一个
独立的缓冲器,但由于施密特作用,它可以具有不同的输入阈值电平为正向
(V
T+
)及负向(Ⅴ
T
)信号。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了
模具作为包。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,
防止有害的电流回流通过该装置,当它被断电。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2005年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74LVC1G17
单施密特触发器缓冲
SCES351N - 2001年6月 - 修订2005年10月
订购信息
TA
包装
采用NanoStar - WCSP ( DSBGA )
0.17毫米的小凸起 - YEA
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.17毫米的小凸点 - YZA (无铅)
采用NanoStar - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YEP
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZV (无铅)
SOT ( SOT - 23 ) - DBV
SOT ( SC - 70 ) - DCK
SOT ( SOT - 553 ) - DRL
3000卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
3000卷
SN74LVC1G17YEPR
SN74LVC1G17YZPR
SN74LVC1G17YZVR
SN74LVC1G17DBVR
SN74LVC1G17DBVT
SN74LVC1G17DCKR
SN74LVC1G17DCKT
SN74LVC1G17DRLR
C7_
C7_
C17_
____
C7
订购型号
SN74LVC1G17YEAR
SN74LVC1G17YZAR
_ _ _C7_
顶部端标记
-40 ° C至85°C
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DRL :实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEA / YEP , YZA / YZP :实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年,月,和序列码,和一个
字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=无铅) 。
YZV :实际的顶部端标记为两行。线1具有四个字符来表示年,月,日,和装配/测试位点。 2号线有两个
这表明家庭和功能码字符。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=无铅) 。
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
逻辑图(正逻辑)
( DBV , DCK , DRL ,是的,是的, YZA和YZP包)
A
2
4
Y
逻辑图(正逻辑)
( YZV包)
A
1
3
Y
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
SN74LVC1G17
单施密特触发器缓冲
SCES351N - 2001年6月 - 修订2005年10月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
输入电压范围,V
I
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
电压范围应用于任何输出的高阻抗或断电状态下,V
O
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V
电压范围应用于任何输出的高或低状态,V
O
(见注1和2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
输入钳位电流,I
IK
(V
I
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
输出钳位电流,I
OK
(V
O
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
连续输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
连续电流通过V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注3 ) : DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 252 ° C / W
DRL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 142 ° C / W
YEA / YZA包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 154 ° C / W
YEP / YZP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 132 ° C / W
YZV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 116 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意:如果输入和输出电流额定值,观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2. VCC的值在推荐工作条件表中提供。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件(见注4 )
操作
VCC
VI
VO
电源电压
输入电压
输出电压
VCC = 1.65 V
VCC = 2.3 V
IOH
高电平输出电流
VCC = 3 V
VCC = 4.5 V
VCC = 1.65 V
VCC = 2.3 V
IOL
低电平输出电流
VCC = 3 V
VCC = 4.5 V
数据保存时间只有
1.65
1.5
0
0
5.5
VCC
4
8
16
24
32
4
8
16
24
32
mA
mA
最大
5.5
V
V
V
单位
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注4 :该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
SN74LVC1G17
单施密特触发器缓冲
SCES351N - 2001年6月 - 修订2005年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
测试条件
VCC
1.65 V
VT +
正向输入
阈值电压
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
VT-
负向输入
阈值电压
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T
迟滞
(VT + - VT- )
IOH = -100
A
IOH = -4毫安
VOH
IOH = -8毫安
IOH = -16毫安
IOH = -24毫安
IOH = -32毫安
IOL = 100
A
IOL = 4毫安
VOL
IOL = 8毫安
IOL = 16毫安
IOL = 24毫安
IOL = 32毫安
II
IOFF
ICC
I
CC
A输入
VI = 5.5 V或GND
VI或VO = 5.5 V
VI = 5.5 V或GND ,
一个输入在VCC - 0.6 V,
IO = 0
在VCC和GND的其他投入
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V至4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至5.5 V
3.3 V
4.5
0.76
1.08
1.48
2.19
2.65
0.35
0.56
0.89
1.51
1.88
0.36
0.45
0.51
0.58
0.69
VCC - 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
500
A
A
A
mA
pF
V
V
TYP
最大
1.13
1.56
1.92
2.74
3.33
0.59
0.88
1.2
1.97
2.4
0.64
0.78
0.83
0.93
1.04
V
V
V
单位
Ci
VI = VCC或GND
所有典型值是在VCC = 3.3 V , TA = 25 ℃。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 15 pF的
(除非另有说明)(参见图1)
参数
tPD的
(输入)
A
TO
(输出)
Y
VCC = 1.8 V
±
0.15 V
2.8
最大
9.9
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
1.6
最大
5.5
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
1.5
最大
4.6
VCC = 5 V
±
0.5 V
0.9
最大
4.4
ns
单位
4
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
SN74LVC1G17
单施密特触发器缓冲
SCES351N - 2001年6月 - 修订2005年10月
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 30 pF或者
50 pF(除非另有说明)(参见图2)
参数
tPD的
(输入)
A
TO
(输出)
Y
VCC = 1.8 V
±
0.15 V
3.8
最大
11
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
2
最大
6.5
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
1.8
最大
5.5
VCC = 5 V
±
0.5 V
1.2
最大
5
ns
单位
经营特色,T
A
= 25°C
参数
CPD
功率耗散电容
测试条件
F = 10MHz的
VCC = 1.8 V
典型值
20
VCC = 2.5 V
典型值
21
VCC = 3.3 V
典型值
22
VCC = 5 V
典型值
26
单位
pF
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
www.ti.com
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
特点
可以在德州仪器
NanoFree 封装
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
4.6 ns的电压为3.3 V
低功耗, 10 μA最大I
CC
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
DBV包装
( TOP VIEW )
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
DRL包装
( TOP VIEW )
DCK包装
( TOP VIEW )
北卡罗来纳州
A
GND
1
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
1
2
3
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
GND
1
2
3
5
V
CC
Y
2
4
GND
4
4
Y
3
Y
YZP包装
(底视图)
干包装
( TOP VIEW )
北卡罗来纳州
A
1
2
3
6
V
CC
北卡罗来纳州
Y
GND
A
DNU
3 4
2
1 5
Y
V
CC
YZV包装
(底视图)
GND
A
2 3
1 4
5
4
Y
V
CC
GND
DNU =不使用
北卡罗来纳州
无内部连接
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
这种单一的施密特触发器缓冲设计为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC1G17包含一个缓冲区,并执行布尔函数Y = A的设备作为一个
独立的缓冲器,但由于施密特作用,它可以具有不同的输入阈值电平为正向
(V
T+
)及负向(Ⅴ
T–
)信号。
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,
防止有害的电流回流通过该装置,当它被断电。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2001-2007 ,德州仪器
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
www.ti.com
订购信息
T
A
(1) (2)
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZV (无铅)
SON - 干
3000卷
3000卷
5000卷
订购型号
SN74LVC1G17YZPR
SN74LVC1G17YZVR
SN74LVC1G17DRYR
SN74LVC1G17DRYRG4
SN74LVC1G17DBV3
3000卷
SOT ( SOT - 23 ) - DBV
-40 ° C至85°C
250管
SN74LVC1G17DBVR
SN74LVC1G17DBVRE4
SN74LVC1G17DBVRG4
SN74LVC1G17DBVT
SN74LVC1G17DBVTE4
SN74LVC1G17DCK3
3000卷
SOT ( SC - 70 ) - DCK
250管
SOT ( SOT - 553 ) - DRL
(1)
(2)
(3)
4000卷
SN74LVC1G17DCKR
SN74LVC1G17DCKRE4
SN74LVC1G17DCKRG4
SN74LVC1G17DCKT
SN74LVC1G17DCKTE4
SN74LVC1G17DRLR
SN74LVC1G17DRLRG4
C7_
C7_
C17
顶部端标记
(3)
_ _ _C7_
____
C7
C7_
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
DBV / DCK / DRL /干:实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
YZP :实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年,月,和序列码,和一个
字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=无铅) 。
YZV :实际的顶部端标记是两条线。 1号线有四个字符来表示年,月,日和晶圆厂/装配现场。线
2具有显示家庭和功能代码两个字符。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=
无铅) 。
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
逻辑图(正逻辑)
( DBV , DCK , DRL ,干燥, YZP包)
逻辑图(正逻辑)
( YZV包)
2
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www.ti.com
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
θ
JA
封装的热阻抗
(4)
DRL包装
干包装
YZP包装
YZV包装
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
–65
V
I
& LT ; 0
V
O
& LT ; 0
(2) (3)
(2)
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
206
252
142
234
132
116
150
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
操作
数据保存时间只有
1.65
1.5
0
0
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
85
°C
mA
mA
最大
5.5
单位
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
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SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
测试条件
V
CC
1.65 V
V
T+
(正向
输入阈值
电压)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T–
(负向
输入阈值
电压)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
ΔV
T
迟滞
(V
T+
– V
T–
)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
I
OH
= –100
μA
I
OH
= -4毫安
V
OH
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -32毫安
I
OL
= 100
μA
I
OL
= 4毫安
V
OL
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
关闭
I
CC
ΔI
CC
C
I
(1)
A输入
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
或V
O
= 5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ,
V
I
= 3.6 V或GND ,
一个输入在V
CC
– 0.6 V,
其他输入在V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ,T
A
= 25°C.
I
O
= 0
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至3.6 V
3 V至5.5 V
3.3 V
4.5
0.5
1.5
500
25
°C
最小值典型值
(1)
最大
0.76
1.08
1.48
2.19
2.65
0.35
0.56
0.89
1.51
1.88
0.36
0.45
0.51
0.58
0.69
V
CC
– 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
μA
μA
μA
μA
pF
V
V
最大
1.13
1.56
1.92
2.74
3.33
0.59
0.88
1.2
1.97
2.4
0.64
0.78
0.83
0.93
1.04
V
V
V
单位
4
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SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 15 pF(除非另有说明)(见
图1
)
参数
t
pd
(输入)
A
TO
(输出)
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
2.8
最大
9.9
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
1.6
最大
5.5
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
1.5
最大
4.6
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
0.9
最大
4.4
ns
单位
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 30 pF或者50 pF(除非另有说明)(见
图2
)
参数
t
pd
(输入)
A
TO
(输出)
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
3.8
最大
11
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
2
最大
6.5
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
1.8
最大
5.5
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
1.2
最大
5
ns
单位
工作特性
T
A
= 25°C
参数
C
pd
功率耗散电容
TEST
条件
F = 10MHz的
V
CC
= 1.8 V V
CC
= 2.5 V V
CC
= 3.3 V
典型值
20
典型值
21
典型值
22
V
CC
= 5 V
典型值
26
单位
pF
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5
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
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SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
特点
可以在德州仪器
NanoFree 封装
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
4.6 ns的电压为3.3 V
低功耗, 10 μA最大I
CC
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
DBV包装
( TOP VIEW )
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
DRL包装
( TOP VIEW )
DCK包装
( TOP VIEW )
北卡罗来纳州
A
GND
1
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
1
2
3
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
GND
1
2
3
5
V
CC
Y
2
4
GND
4
4
Y
3
Y
YZP包装
(底视图)
干包装
( TOP VIEW )
北卡罗来纳州
A
1
2
3
6
V
CC
北卡罗来纳州
Y
GND
A
DNU
3 4
2
1 5
Y
V
CC
YZV包装
(底视图)
GND
A
2 3
1 4
5
4
Y
V
CC
GND
DNU =不使用
北卡罗来纳州
无内部连接
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
这种单一的施密特触发器缓冲设计为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC1G17包含一个缓冲区,并执行布尔函数Y = A的设备作为一个
独立的缓冲器,但由于施密特作用,它可以具有不同的输入阈值电平为正向
(V
T+
)及负向(Ⅴ
T–
)信号。
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,
防止有害的电流回流通过该装置,当它被断电。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2001-2007 ,德州仪器
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
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订购信息
T
A
(1) (2)
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZV (无铅)
SON - 干
3000卷
3000卷
5000卷
订购型号
SN74LVC1G17YZPR
SN74LVC1G17YZVR
SN74LVC1G17DRYR
SN74LVC1G17DRYRG4
SN74LVC1G17DBV3
3000卷
SOT ( SOT - 23 ) - DBV
-40 ° C至85°C
250管
SN74LVC1G17DBVR
SN74LVC1G17DBVRE4
SN74LVC1G17DBVRG4
SN74LVC1G17DBVT
SN74LVC1G17DBVTE4
SN74LVC1G17DCK3
3000卷
SOT ( SC - 70 ) - DCK
250管
SOT ( SOT - 553 ) - DRL
(1)
(2)
(3)
4000卷
SN74LVC1G17DCKR
SN74LVC1G17DCKRE4
SN74LVC1G17DCKRG4
SN74LVC1G17DCKT
SN74LVC1G17DCKTE4
SN74LVC1G17DRLR
SN74LVC1G17DRLRG4
C7_
C7_
C17
顶部端标记
(3)
_ _ _C7_
____
C7
C7_
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
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DBV / DCK / DRL /干:实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
YZP :实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年,月,和序列码,和一个
字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=无铅) 。
YZV :实际的顶部端标记是两条线。 1号线有四个字符来表示年,月,日和晶圆厂/装配现场。线
2具有显示家庭和功能代码两个字符。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=
无铅) 。
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
逻辑图(正逻辑)
( DBV , DCK , DRL ,干燥, YZP包)
逻辑图(正逻辑)
( YZV包)
2
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单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
θ
JA
封装的热阻抗
(4)
DRL包装
干包装
YZP包装
YZV包装
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
–65
V
I
& LT ; 0
V
O
& LT ; 0
(2) (3)
(2)
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
206
252
142
234
132
116
150
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
操作
数据保存时间只有
1.65
1.5
0
0
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
85
°C
mA
mA
最大
5.5
单位
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
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3
SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
测试条件
V
CC
1.65 V
V
T+
(正向
输入阈值
电压)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T–
(负向
输入阈值
电压)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
ΔV
T
迟滞
(V
T+
– V
T–
)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
I
OH
= –100
μA
I
OH
= -4毫安
V
OH
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -32毫安
I
OL
= 100
μA
I
OL
= 4毫安
V
OL
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
关闭
I
CC
ΔI
CC
C
I
(1)
A输入
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
或V
O
= 5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ,
V
I
= 3.6 V或GND ,
一个输入在V
CC
– 0.6 V,
其他输入在V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ,T
A
= 25°C.
I
O
= 0
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至3.6 V
3 V至5.5 V
3.3 V
4.5
0.5
1.5
500
25
°C
最小值典型值
(1)
最大
0.76
1.08
1.48
2.19
2.65
0.35
0.56
0.89
1.51
1.88
0.36
0.45
0.51
0.58
0.69
V
CC
– 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
μA
μA
μA
μA
pF
V
V
最大
1.13
1.56
1.92
2.74
3.33
0.59
0.88
1.2
1.97
2.4
0.64
0.78
0.83
0.93
1.04
V
V
V
单位
4
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SN74LVC1G17
单施密特触发缓冲器
SCES351R - 2001年7月 - 修订2007年8月
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 15 pF(除非另有说明)(见
图1
)
参数
t
pd
(输入)
A
TO
(输出)
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
2.8
最大
9.9
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
1.6
最大
5.5
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
1.5
最大
4.6
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
0.9
最大
4.4
ns
单位
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 30 pF或者50 pF(除非另有说明)(见
图2
)
参数
t
pd
(输入)
A
TO
(输出)
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
3.8
最大
11
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
2
最大
6.5
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
1.8
最大
5.5
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
1.2
最大
5
ns
单位
工作特性
T
A
= 25°C
参数
C
pd
功率耗散电容
TEST
条件
F = 10MHz的
V
CC
= 1.8 V V
CC
= 2.5 V V
CC
= 3.3 V
典型值
20
典型值
21
典型值
22
V
CC
= 5 V
典型值
26
单位
pF
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5
SN74LVC1G17
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SCES351S
2001年7月
经修订的2011年6月
单施密特触发缓冲器
检查样品:
SN74LVC1G17
1
特点
可以在德州仪器NanoFree
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
4.6 ns的电压为3.3 V
低功耗, 10 μA最大I
CC
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
I
关闭
支持实时插入,部分电源
暂停模式和反向驱动保护
DBV包装
( TOP VIEW )
2
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
2000 -V人体模型( A114 -A )
200 -V机型号( A115 -A )
1000 -V带电器件模型( C101 )
DCK包装
( TOP VIEW )
DRL包装
( TOP VIEW )
北卡罗来纳州
A
GND
1
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
1
2
3
5
V
CC
北卡罗来纳州
A
GND
1
2
3
5
V
CC
Y
2
4
GND
4
4
Y
3
Y
干包装
( TOP VIEW )
DSF包
( TOP VIEW )
北卡罗来纳州
A
北卡罗来纳州=无内部连接
请参见机械图纸尺寸。
YZP包装
( TOP VIEW )
1
2
3
6
V
CC
北卡罗来纳州
Y
5
4
北卡罗来纳州
A
GND
1
2
3
6
5
4
V
CC
北卡罗来纳州
Y
GND
表1. YZP包装TERMINAL
任务
1
A
DNU
A
GND
B
C
2
V
CC
无装球
Y
DNU
A
GND
A1
A2
V
CC
Y
B1
B2
C1
C2
DNU =不使用
YZV包装
( TOP VIEW )
表2. YZV包装TERMINAL
分配(续)
任务
1
A
A
GND
B
2
V
CC
Y
A
GND
A1
A2
V
CC
Y
B1
B2
表2. YZV包装TERMINAL
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
版权
2001-2011年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
SN74LVC1G17
SCES351S
2001年7月
经修订的2011年6月
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描述/订购信息
这种单一的施密特触发器缓冲设计为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC1G17包含一个缓冲区,并执行布尔函数Y = A的设备作为一个
独立的缓冲器,但由于施密特作用,它可以具有不同的输入阈值电平为正向
(V
T+
)及负向(Ⅴ
T–
)信号。
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,
防止有害的电流回流通过该装置,当它被断电。
订购信息
T
A
(1) (2)
订购型号
3000卷
3000卷
5000卷
5000卷
SN74LVC1G17YZPR
SN74LVC1G17YZVR
SN74LVC1G17DRYR
SN74LVC1G17DRYRG4
SN74LVC1G17DSFR
SN74LVC1G17DBV3
3000卷
SN74LVC1G17DBVR
SN74LVC1G17DBVRE4
SN74LVC1G17DBVRG4
250管
SN74LVC1G17DBVT
SN74LVC1G17DBVTE4
SN74LVC1G17DCK3
3000卷
SN74LVC1G17DCKR
SN74LVC1G17DCKRE4
SN74LVC1G17DCKRG4
250管
SN74LVC1G17DCKT
SN74LVC1G17DCKTE4
SN74LVC1G17DRLR
SN74LVC1G17DRLRG4
顶部端标记
(3)
_ _ _C7_
____
C7
C7
C7
NanoFree
WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起
YZP (无铅)
NanoFree
WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起
YZV (无铅)
QFN
μQFN -
DSF
SOT ( SOT -23 )
的dBV
–40°C
至85℃
C17
SOT ( SC- 70 )
DCK
C7_
SOT ( SOT- 553 )
DRL
(1)
(2)
(3)
4000卷
C7_
包装图纸,热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
DBV / DCK / DRL /干:实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
YZP :实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年,月,和序列码,和一个
字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=无铅) 。
YZV :实际的顶部端标记是两条线。 1号线有四个字符来表示年,月,日和晶圆厂/装配现场。线
2具有显示家庭和功能代码两个字符。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=
无铅) 。
2
版权
2001-2011年,德州仪器
SN74LVC1G17
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SCES351S
2001年7月
经修订的2011年6月
表3.功能表
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
逻辑图(正逻辑)
( DBV , DCK , DRL , DSF ,干燥, YZP包)
逻辑图(正逻辑)
( YZV包)
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
(2) (3)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
(2)
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
DRL包装
V
I
& LT ;
0
V
O
& LT ;
0
206
252
142
234
300
132
116
–65
150
°C
° C / W
θ
JA
封装的热阻抗
(4)
干包装
DSF包
YZP包装
YZV包装
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
强调超越那些在列
"absolute
最大ratings"可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
"recommended
操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
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2001-2011年,德州仪器
3
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经修订的2011年6月
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推荐工作条件
(1)
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
操作
数据保存时间只有
1.65
1.5
0
0
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
85
°C
mA
mA
最大
5.5
单位
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
测试条件
V
CC
1.65 V
V
T+
(正向
输入阈值
电压)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
V
T–
(负向
输入阈值
电压)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
1.65 V
ΔV
T
迟滞
(V
T+
V
T–
)
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
I
OH
=
–100 μA
I
OH
=
–4
mA
V
OH
I
OH
=
–8
mA
I
OH
=
–16
mA
I
OH
=
–24
mA
I
OH
=
–32
mA
I
OL
= 100
μA
I
OL
= 4毫安
V
OL
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
关闭
I
CC
ΔI
CC
C
I
(1)
A输入
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
或V
O
= 5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ,
V
I
= 3.6 V或GND ,
一个输入在V
CC
0.6 V,
其他输入在V
C C
或GND
V
I
= V
CC
或GND
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ,T
A
= 25°C.
I
O
= 0
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至3.6 V
3 V至5.5 V
3.3 V
4.5
0.5
1.5
500
25
°C
最小值典型值
(1)
最大
0.76
1.08
1.48
2.19
2.65
0.35
0.56
0.89
1.51
1.88
0.36
0.45
0.51
0.58
0.69
V
CC
0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
μA
μA
μA
μA
pF
V
V
最大
1.13
1.56
1.92
2.74
3.33
0.59
0.88
1.2
1.97
2.4
0.64
0.78
0.83
0.93
1.04
V
V
V
单位
版权
2001-2011年,德州仪器
5
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数量
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SN74LVC1G17DCKRG4
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82780082
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
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TI(德州仪器)
23+
12888
N/A
壹芯创只做原装 正品现货
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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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TI
25+
7191
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
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2024
16880
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原装现货上海库存,欢迎咨询
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联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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TI
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19200
SC70 (DCK)
原装正品,欢迎询价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:800021960 复制
电话:0755-83258002
联系人:林
地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
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TEXAS
11+
2700
SC70-5
公司现货!只做原装!
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