SN74LVC1G06

单个逆变器缓冲器/驱动器

开漏输出

SCES295N - 2000年6月 - 修订2003年9月

D

D

D

D

D

D

D

D

D

可以在德州仪器

采用NanoStar 和NanoFree 软件包

支持5 V V

CC

手术

输入和漏极开路输出接受

电压高达5.5 V

最大牛逼

pd

4纳秒为3.3 V

低功耗， 10 μA最大I

CC

±24-mA

输出驱动电压为3.3 V

I

关闭

支持部分掉电模式

手术

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

ESD保护超过JESD 22

- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）

- 200 -V机型号（ A115 -A ）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

DBV OR DCK包装

（ TOP VIEW ）

NC

A

GND

1

2

3

5

4

V

CC

Y

NC - 无内部连接

是的，是的， YZA ，或YZP包装

（底视图）

GND

A

DNU

3 4

2

1 5

Y

V

CC

DNU =不使用

描述/订购信息

这种单一的逆变器缓冲/驱动器是专为1.65 V至5.5 -VV

CC

操作。

采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了

模具作为包。

该SN74LVC1G06器件的输出为开漏，并且可以连接到其他漏极开路输出

实施积极的低线或或高电平有效的线与功能。最大灌电流为32毫安。

订购信息

TA

包装

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.17毫米的小凸起 - YEA

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.17毫米的小凸点 - YZA （无铅）

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YEP

–40°C 85°C

-40 ℃至85℃

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）

SOT （ SOT - 23 ） - DBV

3000卷

250的卷轴

3000卷

SOT （ SC - 70 ） - DCK

250的卷轴

订购

产品型号

SN74LVC1G06YEAR

SN74LVC1G06YZAR

3000卷

SN74LVC1G06YEPR

SN74LVC1G06YZPR

SN74LVC1G06DBVR

SN74LVC1G06DBVT

SN74LVC1G06DCKR

SN74LVC1G06DCKT

CT

C06_

_ _CT_

TOP- SIDE

标记

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在

www.ti.com/sc/package 。

DBV / DCK ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。

YEA / YZA ， YEP / YZP ：实际的顶部端标记有前三个字符来表示年，月，和序列码，

一下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成

（1 =锡铅，

=无铅） 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2003年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

SN74LVC1G06

单个逆变器缓冲器/驱动器

开漏输出

SCES295N - 2000年6月 - 修订2003年9月

描述/订购信息（续）

这个装置是用我的部分掉电应用完全指定

关闭

.The我

关闭

电路禁止输出，

防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。

功能表

输入

A

H

L

产量

Y

L

H

逻辑图（正逻辑）

A

2

4

Y

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

输入电压范围，V

I

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

电压范围应用于任何输出的高阻抗或断电状态下，V

O

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

电压范围应用于任何输出的高或低状态，V

O

（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

输入钳位电流，I

IK

(V

I

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

输出钳位电流，I

OK

(V

O

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

连续输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±50

mA

连续电流通过V

CC

或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±100

mA

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注3 ） ： DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W

DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 252 ° C / W

YEA / YZA包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 154 ° C / W

YEP / YZP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 132 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注释：1.输入负电压和输出电压额定值，可能会超过如果输入和输出电流额定值观察。

2. VCC的值在推荐工作条件表中提供。

3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

2

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SN74LVC1G06

单个逆变器缓冲器/驱动器

开漏输出

SCES295N - 2000年6月 - 修订2003年9月

推荐工作条件（见注4 ）

民

VCC

电源电压

操作

数据保存时间只有

VCC = 1.65 V至1.95 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 3 V至3.6 V

VCC = 4.5 V至5.5 V

VCC = 1.65 V至1.95 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 3 V至3.6 V

VCC = 4.5 V至5.5 V

0

0

VCC = 1.65 V

VCC = 2.3 V

IOL

低电平输出电流

VCC = 3 V

VCC = 4.5 V

VCC = 1.8 V

±

0.15 V, 2.5 V

±

0.2 V

ΔT/ ΔV

T / V

输入过渡上升或下降速率

VCC = 3.3 V

±

0.3 V

VCC = 5 V

±

0.5 V

1.65

1.5

0.65

×

VCC

1.7

2

0.7

×

VCC

0.35

×

VCC

0.7

0.8

0.3

×

VCC

5.5

5.5

4

8

16

24

32

20

10

5

NS / V

mA

V

V

V

V

最大

5.5

单位

V

VIH

高电平输入电压

VIL

低电平输入电压

VI

VO

输入电压

输出电压

TA

工作自由空气的温度

–40

85

°C

注4 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

IOL = 100

m

A

IOL = 4毫安

VOL

IOL = 8毫安

IOL = 16毫安

IOL = 24毫安

II

IOFF

ICC

I

CC

Ci

Co

A输入

IOL = 32毫安

VI = 5.5 V或GND

VI或VO = 5.5 V

VI = 5.5 V或GND ，

一个输入在VCC - 0.6 V，

VI = VCC或GND

VO = VCC或GND

IO = 0

在VCC和GND的其他投入

测试条件

VCC

1.65 V至5.5 V

1.65 V

2.3 V

3V

4.5 V

0至5.5 V

0

1.65 V至5.5 V

3 V至5.5 V

3.3 V

3.3 V

4

5

民

TYP

最大

0.1

0.45

0.3

0.4

0.55

0.55

±5

±10

10

500

V

单位

m

A

m

A

m

A

m

A

pF

pF

所有典型值是在VCC = 3.3 V ， TA = 25 ℃。

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3

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单个逆变器缓冲器/驱动器

开漏输出

SCES295N - 2000年6月 - 修订2003年9月

开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明） （参见图1）

参数

tPD的

从

（输入）

A

TO

（输出）

Y

VCC = 1.8 V

±

0.15 V

民

2.2

最大

6.5

VCC = 2.5 V

±

0.2 V

民

1.1

最大

4

VCC = 3.3 V

±

0.3 V

民

1.2

最大

4

VCC = 5 V

±

0.5 V

民

1

最大

3

ns

单位

经营特色，T

A

= 25°C

参数

CPD

功率耗散电容

测试条件

F = 10MHz的

VCC = 1.8 V

典型值

3

VCC = 2.5 V

典型值

3

VCC = 3.3 V

典型值

4

VCC = 5 V

典型值

6

单位

pF

4

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SN74LVC1G06

单个逆变器缓冲器/驱动器

开漏输出

SCES295N - 2000年6月 - 修订2003年9月

参数测量信息

（漏极开路）

S1

VLOAD

开放

GND

RL

从输出

被测

CL

（见注一）

RL

TEST

tPZL （见注E和F ）

tPLZ （见注E和G）

tPHZ / tPZH

S1

VLOAD

VLOAD

VLOAD

负载电路

输入

VCC

1.8 V

±

0.15 V

2.5 V

±

0.2 V

3.3 V

±

0.3 V

5 V

±

0.5 V

VI

VCC

VCC

3V

VCC

TR / TF

≤

2纳秒

≤

2纳秒

≤

2.5纳秒

≤

2.5纳秒

VM

VCC/2

VCC/2

1.5 V

VCC/2

VLOAD

2

×

VCC

2

×

VCC

6V

2

×

VCC

CL

30 pF的

30 pF的

50 pF的

50 pF的

RL

1 k

500

500

500

V

0.15 V

0.15 V

0.3 V

0.3 V

VI

定时输入

tw

VI

输入

VM

VM

0V

电压波形

脉冲持续时间

VI

输入

TPLH

产量

的TPH1

VM

VM

VM

VM

0V

的TPH1

VOH

VM

VOL

TPLH

VOH

产量

VM

VOL

电压波形

传播延迟时间

反相和同相产出

产量

波形2

S1在VLOAD

（见注B）

产量

波形1

S1在VLOAD

（见注B）

tpZH

VM

产量

控制

tPZL

VM

电压波形

建立和保持时间

VI

VM

VM

0V

tPLZ

VLOAD/2

VOL + V

tPHZ

VLOAD/2

VLOAD / 2 - V

≈0

V

电压波形

启用和禁用时报

低收入和高级别ENABLING

VOL

数据输入

TSU

VM

th

VM

VI

0V

VM

0V

注：A CL包括探针和夹具电容。

B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。

波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。

C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR

≤

10兆赫，Z0 = 50

.

D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。

E.由于该设备具有漏极开路输出， tPLZ与tPZL相同TPD 。

F. tPZL的测量是在VM 。

G. tPLZ的测量是在VOL + V

.

H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。

图1.负载电路和电压波形

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单个逆变器缓冲器/驱动器

开漏输出

SCES295N - 2000年6月 - 修订2003年9月

D

D

D

D

D

D

D

D

D

可以在德州仪器

采用NanoStar 和NanoFree 软件包

支持5 V V

CC

手术

输入和漏极开路输出接受

电压高达5.5 V

最大牛逼

pd

4纳秒为3.3 V

低功耗， 10 μA最大I

CC

±24-mA

输出驱动电压为3.3 V

I

关闭

支持部分掉电模式

手术

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

ESD保护超过JESD 22

- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）

- 200 -V机型号（ A115 -A ）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

DBV OR DCK包装

（ TOP VIEW ）

NC

A

GND

1

2

3

5

4

V

CC

Y

NC - 无内部连接

是的，是的， YZA ，或YZP包装

（底视图）

GND

A

DNU

3 4

2

1 5

Y

V

CC

DNU =不使用

描述/订购信息

这种单一的逆变器缓冲/驱动器是专为1.65 V至5.5 -VV

CC

操作。

采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了

模具作为包。

该SN74LVC1G06器件的输出为开漏，并且可以连接到其他漏极开路输出

实施积极的低线或或高电平有效的线与功能。最大灌电流为32毫安。

订购信息

TA

包装

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.17毫米的小凸起 - YEA

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.17毫米的小凸点 - YZA （无铅）

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YEP

–40°C 85°C

-40 ℃至85℃

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）

SOT （ SOT - 23 ） - DBV

3000卷

250的卷轴

3000卷

SOT （ SC - 70 ） - DCK

250的卷轴

订购

产品型号

SN74LVC1G06YEAR

SN74LVC1G06YZAR

3000卷

SN74LVC1G06YEPR

SN74LVC1G06YZPR

SN74LVC1G06DBVR

SN74LVC1G06DBVT

SN74LVC1G06DCKR

SN74LVC1G06DCKT

CT

C06_

_ _CT_

TOP- SIDE

标记

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在

www.ti.com/sc/package 。

DBV / DCK ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。

YEA / YZA ， YEP / YZP ：实际的顶部端标记有前三个字符来表示年，月，和序列码，

一下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成

（1 =锡铅，

=无铅） 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2003年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

SN74LVC1G06

单个逆变器缓冲器/驱动器

开漏输出

SCES295N - 2000年6月 - 修订2003年9月

描述/订购信息（续）

这个装置是用我的部分掉电应用完全指定

关闭

.The我

关闭

电路禁止输出，

防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。

功能表

输入

A

H

L

产量

Y

L

H

逻辑图（正逻辑）

A

2

4

Y

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

输入电压范围，V

I

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

电压范围应用于任何输出的高阻抗或断电状态下，V

O

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

电压范围应用于任何输出的高或低状态，V

O

（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

输入钳位电流，I

IK

(V

I

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

输出钳位电流，I

OK

(V

O

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

连续输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±50

mA

连续电流通过V

CC

或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±100

mA

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注3 ） ： DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W

DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 252 ° C / W

YEA / YZA包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 154 ° C / W

YEP / YZP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 132 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注释：1.输入负电压和输出电压额定值，可能会超过如果输入和输出电流额定值观察。

2. VCC的值在推荐工作条件表中提供。

3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

2

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74LVC1G06

单个逆变器缓冲器/驱动器

开漏输出

SCES295N - 2000年6月 - 修订2003年9月

推荐工作条件（见注4 ）

民

VCC

电源电压

操作

数据保存时间只有

VCC = 1.65 V至1.95 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 3 V至3.6 V

VCC = 4.5 V至5.5 V

VCC = 1.65 V至1.95 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 3 V至3.6 V

VCC = 4.5 V至5.5 V

0

0

VCC = 1.65 V

VCC = 2.3 V

IOL

低电平输出电流

VCC = 3 V

VCC = 4.5 V

VCC = 1.8 V

±

0.15 V, 2.5 V

±

0.2 V

ΔT/ ΔV

T / V

输入过渡上升或下降速率

VCC = 3.3 V

±

0.3 V

VCC = 5 V

±

0.5 V

1.65

1.5

0.65

×

VCC

1.7

2

0.7

×

VCC

0.35

×

VCC

0.7

0.8

0.3

×

VCC

5.5

5.5

4

8

16

24

32

20

10

5

NS / V

mA

V

V

V

V

最大

5.5

单位

V

VIH

高电平输入电压

VIL

低电平输入电压

VI

VO

输入电压

输出电压

TA

工作自由空气的温度

–40

85

°C

注4 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

IOL = 100

m

A

IOL = 4毫安

VOL

IOL = 8毫安

IOL = 16毫安

IOL = 24毫安

II

IOFF

ICC

I

CC

Ci

Co

A输入

IOL = 32毫安

VI = 5.5 V或GND

VI或VO = 5.5 V

VI = 5.5 V或GND ，

一个输入在VCC - 0.6 V，

VI = VCC或GND

VO = VCC或GND

IO = 0

在VCC和GND的其他投入

测试条件

VCC

1.65 V至5.5 V

1.65 V

2.3 V

3V

4.5 V

0至5.5 V

0

1.65 V至5.5 V

3 V至5.5 V

3.3 V

3.3 V

4

5

民

TYP

最大

0.1

0.45

0.3

0.4

0.55

0.55

±5

±10

10

500

V

单位

m

A

m

A

m

A

m

A

pF

pF

所有典型值是在VCC = 3.3 V ， TA = 25 ℃。

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达拉斯，德克萨斯州75265

3

SN74LVC1G06

单个逆变器缓冲器/驱动器

开漏输出

SCES295N - 2000年6月 - 修订2003年9月

开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明） （参见图1）

参数

tPD的

从

（输入）

A

TO

（输出）

Y

VCC = 1.8 V

±

0.15 V

民

2.2

最大

6.5

VCC = 2.5 V

±

0.2 V

民

1.1

最大

4

VCC = 3.3 V

±

0.3 V

民

1.2

最大

4

VCC = 5 V

±

0.5 V

民

1

最大

3

ns

单位

经营特色，T

A

= 25°C

参数

CPD

功率耗散电容

测试条件

F = 10MHz的

VCC = 1.8 V

典型值

3

VCC = 2.5 V

典型值

3

VCC = 3.3 V

典型值

4

VCC = 5 V

典型值

6

单位

pF

4

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SN74LVC1G06

单个逆变器缓冲器/驱动器

开漏输出

SCES295N - 2000年6月 - 修订2003年9月

参数测量信息

（漏极开路）

S1

VLOAD

开放

GND

RL

从输出

被测

CL

（见注一）

RL

TEST

tPZL （见注E和F ）

tPLZ （见注E和G）

tPHZ / tPZH

S1

VLOAD

VLOAD

VLOAD

负载电路

输入

VCC

1.8 V

±

0.15 V

2.5 V

±

0.2 V

3.3 V

±

0.3 V

5 V

±

0.5 V

VI

VCC

VCC

3V

VCC

TR / TF

≤

2纳秒

≤

2纳秒

≤

2.5纳秒

≤

2.5纳秒

VM

VCC/2

VCC/2

1.5 V

VCC/2

VLOAD

2

×

VCC

2

×

VCC

6V

2

×

VCC

CL

30 pF的

30 pF的

50 pF的

50 pF的

RL

1 k

500

500

500

V

0.15 V

0.15 V

0.3 V

0.3 V

VI

定时输入

tw

VI

输入

VM

VM

0V

电压波形

脉冲持续时间

VI

输入

TPLH

产量

的TPH1

VM

VM

VM

VM

0V

的TPH1

VOH

VM

VOL

TPLH

VOH

产量

VM

VOL

电压波形

传播延迟时间

反相和同相产出

产量

波形2

S1在VLOAD

（见注B）

产量

波形1

S1在VLOAD

（见注B）

tpZH

VM

产量

控制

tPZL

VM

电压波形

建立和保持时间

VI

VM

VM

0V

tPLZ

VLOAD/2

VOL + V

tPHZ

VLOAD/2

VLOAD / 2 - V

≈0

V

电压波形

启用和禁用时报

低收入和高级别ENABLING

VOL

数据输入

TSU

VM

th

VM

VI

0V

VM

0V

注：A CL包括探针和夹具电容。

B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。

波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。

C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR

≤

10兆赫，Z0 = 50

.

D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。

E.由于该设备具有漏极开路输出， tPLZ与tPZL相同TPD 。

F. tPZL的测量是在VM 。

G. tPLZ的测量是在VOL + V

.

H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。

图1.负载电路和电压波形

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