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SN74HC166A EP
8位并行负载移位寄存器
SCLS559 - 2004年1月
D
控制基线
D
D
D
D
D
D
D
- 一个封装/测试网站,一个制造
现场
提高制造业递减
源( DMS )支持
增强型产品更改通知
资质谱系
2 V至6 V工作电压范围宽
输出可以驱动多达10个输入通道负载
低功耗, 80 μA最大I
CC
典型的牛逼
pd
= 13纳秒
D
D
D
D
D
±4-mA
输出驱动器的5 V
1低输入电流
A
最大
同步加载
直接重写清除
并行 - 串行转换
D组或PW包装
( TOP VIEW )
按照JEDEC和产业组件资质
标准,以确保可靠的操作在长时间
温度范围。这包括,但不限于,高
加速应力测试( HAST )或偏见85/85 ,温度
循环,高压灭菌器或偏见的HAST ,电,债券
间的生活,模塑料的使用寿命。该项资格
检测不应该被看作是证明使用该组件的
超出规定的性能和环境的限制。
SER
A
B
C
D
CLK INH
CLK
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
SH / LD
H
Q
H
G
F
E
CLR
描述/订购信息
这种并行或串行输入,串行输出寄存器功能,门控时钟( CLK , CLK INH)输入和压倒一切
清除( CLR )输入。并行或串行输入模式由移位/负载( SH / LD)的输入确定。当高,
SH / LD使串行( SER )的数据输入和夫妇的八个触发器串行移位每个时钟
(CLK)脉冲。当低,并行(宽边)数据输入的启用,并发生同步加载
下一个时钟脉冲。在并行加载,串行数据流被抑制。时钟完成的
被用作一个CLK的通过一个2输入正或非门由低到高层次边缘,允许一个输入
时钟使能或时钟禁止功能。无论是持有或CLK CLK INH高抑制计时;控股或低
使其他的时钟输入。这使得该系统时钟是自由运行的,并且寄存器可以停止
在命令与其他时钟输入。 CLK INH应当改变成高电平,只有当CLK为高电平。
CLR将覆盖所有其他投入,包括CLK ,并将所有触发器为零。
订购信息
TA
-40 ° C至85°C
SOIC - D
TSSOP - PW
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74HC166AIDREP
SN74HC166AIPWREP§
TOP- SIDE
记号
SHC166IEP
SHC166IEP
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
产品预览
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年,德州仪器
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1
SN74HC166A EP
8位并行负载移位寄存器
SCLS559 - 2004年1月
功能表
输出
输入
CLR
L
H
H
H
H
H
SH / LD
X
X
L
H
H
X
CLK INH
X
L
L
L
L
H
CLK
X
L
SER
X
X
X
H
L
X
并行
一... H
X
X
一... H
X
X
X
国内
QA
L
QA0
a
H
L
QA0
QB
L
QB0
b
QAN
QAN
QB0
QH
L
QH0
h
QGN
QGN
QH0
逻辑图(正逻辑)
A
15
1
2
B
3
C
4
D
5
E
10
F
11
G
12
H
14
SH / LD
SER
6
CLK INH
7
CLK
9
CLR
1D
C1
R
1D
C1
R
1D
C1
R
1D
C1
R
1D
C1
R
1D
C1
R
1D
C1
R
1D
C1
R
13
QH
2
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SN74HC166A EP
8位并行负载移位寄存器
SCLS559 - 2004年1月
典型清除,移位,负载,抑制和移位序列
CLK
CLK INH
CLR
SER
SH / LD
A
B
C
并行
输入
D
E
F
G
H
QH
串行移位
明确
H
L
H
L
H
L
H
H
H
抑制
负载
H
L
H
L
H
L
H
串行移位
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
输入钳位电流,I
IK
(V
I
& LT ; 0或V
I
& GT ; V
CC
) (见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20
mA
输出钳位电流,I
OK
(V
O
& LT ; 0或V
O
& GT ; V
CC
) (见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20
mA
连续输出电流,I
O
(V
O
= 0至V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±25
mA
连续电流通过V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±50
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注释:1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
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3
SN74HC166A EP
8位并行负载移位寄存器
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推荐工作条件(见注3 )
VCC
VIH
电源电压
VCC = 2 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6 V
VCC = 2 V
VIL
VI
VO
ΔT/ ΔV
低电平输入电压
输入电压
输出电压
VCC = 2 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6 V
0
0
2
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
VCC
VCC
1000
500
400
ns
V
V
V
V
5
最大
6
单位
V
高电平输入电压
输入过渡的上升/下降时间
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
如果该装置被用于在阈值区域(从VILMAX = 0.5 V至VIHMIN = 1.5 V)时,有一个潜在的进入距离的感应错误的状态
接地,造成双时钟。用在TT输入= 1000 NS和VCC = 2 V不损坏器件的工作;然而,在功能上,
在CLK输入没有保证,而在移位,计数或切换工作模式。
注3 :该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
测试条件
VCC
2V
IOH = -20
A
VOH
VI = VIH或VIL
IOH = -4毫安
IOH = -5.2毫安
IOL = 20
A
VOL
VI = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 5.2毫安
II
ICC
Ci
VI = VCC或0
VI = VCC或0 ,
IO = 0
4.5 V
6V
4.5 V
6V
2V
4.5 V
6V
4.5 V
6V
6V
6V
2 V至6 V
3
TA = 25°C
典型值
最大
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
1.998
4.499
5.999
4.3
5.8
0.002
0.001
0.001
0.17
0.15
±0.1
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±100
8
10
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1000
80
10
nA
A
pF
V
V
最大
单位
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SN74HC166A EP
8位并行负载移位寄存器
SCLS559 - 2004年1月
时序要求在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非另有
说明)
VCC
2V
fclock
时钟频率
4.5 V
6V
2V
CLR低
tw
脉冲持续时间
CLK为高电平或低
4.5 V
6V
2V
4.5 V
6V
2V
CLK ↑之前SH / LD高
4.5 V
6V
2V
CLK ↑ SER前
4.5 V
6V
2V
TSU
建立时间
CLK INH低CLK ↑前
4.5 V
6V
2V
CLK ↑数据之前,
4.5 V
6V
2V
CLR CLK ↑之前不活跃
4.5 V
6V
2V
CLK ↑之后SH / LD高
4.5 V
6V
2V
CLK ↑ SER后
CLK
th
保持时间
CLK INH CLK ↑后高
4.5 V
6V
2V
4.5 V
6V
2V
CLK ↑数据后,
CLK
4.5 V
6V
100
20
17
80
16
14
145
29
25
80
16
14
100
20
17
80
16
14
40
8
7
0
0
0
5
5
5
0
0
0
5
5
5
TA = 25°C
最大
6
31
36
125
25
21
100
20
17
180
36
31
100
20
17
125
25
21
100
20
17
50
10
9
0
0
0
5
5
5
0
0
0
5
5
5
ns
ns
ns
最大
5
25
29
兆赫
单位
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电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
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Texas Instruments
24+
10000
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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SN74HC166AIDREP
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电话:15289608497
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地址:深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B12
SN74HC166AIDREP
TI
3年内
3000
SOIC|16
全新原装现货
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电话:0755-83587431
联系人:钟彩香
地址:深圳市福田区深南中路世纪汇.都会轩3216室
SN74HC166AIDREP
TI
2023+
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电话:755-83229865
联系人:刘红样
地址:深圳市福田区红荔路301号上步工业区23栋上航大厦东座4楼
SN74HC166AIDREP
TI(德州仪器)
23+
2500
SOIC-16
公司宗旨:只做原装
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