SN74HC165 EP
8位并行负载移位寄存器
SCLS473A - 2003年4月 - 修订2004年1月
D
控制基线
D
D
D
D
D
D
D
D
- 一个封装/测试网站,一个制造
现场
最多的扩展温度性能
-55 ° C至125°C
提高制造业递减
源( DMS )支持
增强型产品更改通知
资质谱系
2 V至6 V V
CC
手术
输出可以驱动多达10个输入通道负载
低功耗, 80 μA最大I
CC
典型的牛逼
pd
= 13纳秒
D
D
D
D
D
D
±4-mA
输出驱动器的5 V
1低输入电流
A
最大
互补输出
直接重写负载(数据)输入
门控时钟输入
并行 - 串行数据转换
D组或PW包装
( TOP VIEW )
按照JEDEC和产业组件资质
标准,以确保可靠的操作在长时间
温度范围。这包括,但不限于,高
加速应力测试( HAST )或偏见85/85 ,温度
循环,高压灭菌器或偏见的HAST ,电,债券
间的生活,模塑料的使用寿命。该项资格
检测不应该被看作是证明使用该组件的
超出规定的性能和环境的限制。
SH / LD
CLK
E
F
G
H
Q
H
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
CLK INH
D
C
B
A
SER
Q
H
描述/订购信息
该SN74HC165是一个8位的并行负载移位寄存器,时钟时,把该数据向串行(Q
H
)
输出。并联在访问每个阶段由被启用的八个单独的直接的数据( A-H)的输入提供
通过在变速/负载( SH / LD)的输入端为低电平。该SN74HC165器件还具有时钟禁止( CLK INH )
功能和互补序列(Q
H
)输出。
时钟由低到高的时钟( CLK )输入的转换,而SH / LD保持高CLK完成
INH为低。 CLK和CLK INH的功能可以互换。因为低CLK和一个低到高的
CLK INH的转变也实现时钟, CLK INH应改为高级别只有当CLK
高。并行加载被禁止时, SH / LD保持高电平。而SH / LD为低时,以并行方式输入到
寄存器使能独立地在CLK , CLK INH或串行( SER),输入的电平。
订购信息
TA
SOIC - D
-40_C到125_C
TSSOP - PW
包
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74HC165QDREP
SN74HC165QPWREP
TOP- SIDE
记号
HC165EP
HC165EP
-55 ° C至125°C
SOIC - D
磁带和卷轴
SN74HC165MDREP
HC165MEP
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年,德州仪器
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达拉斯,德克萨斯州75265
1
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功能表
输入
SH / LD
L
H
H
H
H
功能
CLK
X
H
X
L
↑
CLK INH
X
X
H
↑
L
并行加载
没有变化
没有变化
移
移
移=每个内部寄存器转移的内容
对串行输出QH 。在SER数据
移动到第一寄存器中。
逻辑图(正逻辑)
A
SH / LD
CLK INH
CLK
SER
1
15
2
10
S
C1
1D
R
S
C1
1D
R
S
C1
1D
R
S
C1
1D
R
S
C1
1D
R
S
C1
1D
R
S
C1
1D
R
S
C1
1D
R
B
11
12
C
13
D
14
E
3
F
4
G
5
H
6
9
QH
7
QH
2
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典型的换档,负载和抑制序列
CLK
CLK INH
SER
L
SH / LD
A
H
L
H
L
H
B
C
数据
输入
D
E
F
G
H
QH
QH
L
H
H
H
L
抑制
负载
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
串行移位
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3
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在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
输入钳位电流,I
IK
(V
I
& LT ; 0或V
I
& GT ; V
CC
) (见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20
mA
输出钳位电流,I
OK
(V
O
& LT ; 0或V
O
& GT ; V
CC
) (见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20
mA
连续输出电流,I
O
(V
O
= 0至V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±25
mA
连续电流通过V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±50
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注释:1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件(见注3 )
民
VCC
VIH
电源电压
VCC = 2 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6 V
VCC = 2 V
VIL
VI
VO
ΔT/ ΔV
低电平输入电压
输入电压
输出电压
VCC = 2 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6 V
Q-后缀设备
M-后缀设备
40
55
VCC = 4.5 V
VCC = 6 V
0
0
2
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
VCC
VCC
1000
500
400
125
125
°C
ns
V
V
V
V
喃
5
最大
6
单位
V
高电平输入电压
输入过渡的上升/下降时间
TA
工作自由空气的温度
注3 :该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
如果该装置被用于在阈值区域(从VILMAX = 0.5 V至VIHMIN = 1.5 V)时,有一个潜在的进入距离的感应错误的状态
接地,造成双时钟。用在TT输入= 1000 NS和VCC = 2 V不损坏器件的工作;然而,在功能上,
在CLK输入没有保证,而在移位,计数或切换工作模式。
4
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电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
测试条件
VCC
2V
IOH = -20
A
VOH
VI = VIH或VIL
IOH = -4毫安
IOH = -5.2毫安
IOL = 20
A
VOL
VI = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 5.2毫安
II
ICC
Ci
VI = VCC或0
VI = VCC或0 ,
IO = 0
4.5 V
6V
4.5 V
6V
2V
4.5 V
6V
4.5 V
6V
6V
6V
2 V至6 V
3
TA = 25°C
民
典型值
最大
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
1.998
4.499
5.999
4.3
5.8
0.002
0.001
0.001
0.17
0.15
±0.1
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±100
8
10
民
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1000
160
10
nA
A
pF
V
V
最大
单位
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