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SN74GTLPH16945
16位LVTTL至GTLP总线收发器
SCES292D - 1999年10月 - 修订2001年11月
D
D
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D
德州仪器会员
Widebus家庭
TI- OPC电路限制呼入
不均衡负载背板
OEC电路提高了信号完整性
并降低电磁干扰
GTLP之间的双向接口
信号电平和LVTTL逻辑电平
LVTTL接口是5V容限
中等驱动GTLP输出(50 mA)的
LVTTL输出( -24毫安/ 24 mA)的
GTLP上升和下降时间的设计
最佳的数据传输速率和信号
诚信分布式负载
I
关闭
,上电三态和BIAS V
CC
支持Live插入
对A端口数据输入总线保持
分布式V
CC
和GND引脚最小化
高速开关噪声
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
DGG或DGV包装
( TOP VIEW )
描述
24
25
该SN74GTLPH16945是中等驱动器, 16位
总线收发器,它提供LVTTL至GTLP和
GTLP至LVTTL信号电平转换。这是
划分为两个8位收发器。该装置
提供卡之间的高速接口
运行在LVTTL逻辑电平,背板在GTLP信号电平操作。高速(约3倍
比标准的TTL或LVTTL )背板的操作速度是GTLP的降低输出摆幅的直接结果
( <1 V) ,降低了输入阈值水平,改进差分输入, OEC 电路和TI- OPC 电路。
改进GTLP OEC和TI- OPC电路最大限度地减少总线建立时间和经过设计和测试,使用
几个背板模型。介质驱动器允许入射光波的开关在重负载背板,
等效负载阻抗下降到19
.
1DIR
1A1
1A2
GND
1A3
1A4
V
CC
1A5
1A6
GND
1A7
1A8
2A1
2A2
GND
2A3
2A4
V
CC
2A5
2A6
GND
2A7
2A8
2DIR
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
1OE
1B1
1B2
GND
1B3
1B4
BIAS V
CC
1B5
1B6
GND
1B7
1B8
2B1
2B2
GND
2B3
2B4
V
REF
2B5
2B6
GND
2B7
2B8
2OE
GTLP是发射接收逻辑器件( GTL ) JEDEC标准JESD 8-3的德州仪器衍生物。
该SN74GTLPH16945的交流规范仅给出在优选的更高的噪声容限GTLP ,但
用户使用该设备,在任一的GTL的灵活性(Ⅴ
TT
= 1.2 V和V
REF
= 0.8 V)或GTLP (V
TT
= 1.5 V
和V
REF
= 1 V)的信号电平。
正常情况下,而B端口操作在GTLP信号电平。在A口和控制输入的LVTTL逻辑电平操作
但5 -V宽容与TTL和5 V CMOS输入兼容。 V
REF
是B端口差分输入
参考电压。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
OEC , TI- OPC和Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2001年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74GTLPH16945
16位LVTTL至GTLP总线收发器
SCES292D - 1999年10月 - 修订2001年11月
描述(续)
这个装置是用我住插入应用程序完全指定
关闭
,上电三态和BIAS V
CC
。在我
关闭
电路禁止输出,防止损坏电流回流,通过该装置在通电时
下来。该电三态电路置于高阻抗状态下的输出在上电期间和电源
下来,从而防止驱动冲突。偏压V
CC
电路预充电和前提条件的B口
输入/输出连接,以防止卡插入时在背板上活性数据的干扰或
去除,并且允许真正的实时插入能力。
这GTLP器件采用TI -OPC电路,主动限制过冲不当所造成的终止
背板,在低到高的信号跃变不均匀分布卡,或空槽。这提高
被保持在较高频率的信号完整性,从而允许足够的噪声容限。
有源总线保持电路拥有未使用的或无驱动LVTTL数据输入在一个有效的逻辑状态。使用上拉或
下拉电阻与总线保持电路,不建议。
当V
CC
是在0和1.5伏特,该装置是在上电期间或断电的高阻抗状态。
然而,为了确保以上1.5伏的高阻抗状态,输出使能(OE )输入应当连接到V
CC
通过上拉电阻;该电阻的最小值由的电流吸收能力决定
该驱动程序。
GQL包装
( TOP VIEW )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
2
3
4
5
6
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
1DIR
1A2
1A4
1A6
2A8
2A1
2A3
2A5
2A7
2DIR
2
NC
1A1
1A3
1A5
1A7
2A2
2A4
2A6
2A8
NC
GND
VCC
GND
NC
GND
VREF
GND
NC
3
NC
GND
VCC
GND
4
NC
GND
BIAS VCC
GND
5
NC
1B1
1B3
1B5
1B7
2B2
2B4
2B6
2B8
NC
6
1OE
1B2
1B4
1B6
1B8
2B1
2B3
2B5
2B7
2OE
端子分配
NC - 无内部连接
订购信息
TA
包装
TSSOP - DGG
-40 ° C至85°C
TVSOP - DGV
VFBGA - GQL
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74GTLPH16945GR
SN74GTLPH16945VR
SN74GTLPH16945KR
TOP- SIDE
记号
GTLPH16945
GL945
GL945
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南
可在www.ti.com/sc/package 。
2
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达拉斯,德克萨斯州75265
SN74GTLPH16945
16位LVTTL至GTLP总线收发器
SCES292D - 1999年10月 - 修订2001年11月
功能说明
该SN74GTLPH16945是一个中等的车程(50 mA)的16位总线收发器划分为两个8位段
并且被设计为数据总线之间的异步通信。该装置由发送数据
一个端口到B端口或从B端口,A端口,这取决于在所述方向控制的逻辑电平( DIR)的
输入。 OE可以用来禁用器件,从而将总线有效隔离。数据极性为同相。
对于A至B的数据流,当OE为低和DIR为高电平时, B输出端取的A输入的逻辑值。当
OE为高电平时,输出处于高阻抗状态。
为B到A的数据流是类似于A至B中,除OE和DIR是低的。
功能表
输入
OE
H
L
L
DIR
X
L
H
产量
Z
B数据到A口
数据到B端口
模式
隔离
真正的透明
逻辑图(正逻辑)
1DIR
1
48
47
1OE
1A1
2
1B1
31
VREF
七其他渠道
2DIR
24
25
36
2OE
2B1
2A1
13
七其他渠道
显示引脚数都为DGG和DGV包。
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3
SN74GTLPH16945
16位LVTTL至GTLP总线收发器
SCES292D - 1999年10月 - 修订2001年11月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
和BIAS V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围,V
I
(见注1 ) :端口和控制输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
端口B和V
REF
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
电压范围应用于任何输出的高阻抗或断电状态下,V
O
(见注1 ) :端口。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
B端口。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
电流转换成处于低状态的任何输出,我
O
:一个端口。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48毫安
B端口。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
目前进入中高状态的任何一个端口的输出,我
O
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48毫安
连续电流通过每个V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
输入钳位电流,I
IK
(V
I
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
输出钳位电流,I
OK
(V
O
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注3 ) : DGG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 ° C / W
GQL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意:如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
只有2.该电流流动时,输出处于高状态和VO > VCC。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
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推荐工作条件(见注4至7)
VCC ,
BIAS VCC
VTT
VREF
VI
VIH
VIL
IIK
IOH
IOL
ΔT/ ΔV
ΔT/ ΔV
CC
TA
电源电压
终止电压
参考电压
输入电压
高位
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平
输入钳位电流
高电平输出电流
低电平
低电平输出电流
输入过渡上升或下降速率
上电斜坡率
工作自由空气的温度
一个端口
一个端口
B端口
输出启用
20
–40
85
GTL
GTLP
GTL
GTLP
B端口
除了B口
B端口
除了B口
B端口
除了B口
VREF+0.05
2
VREF–0.05
0.8
–18
–24
24
50
10
VCC
3.15
1.14
1.35
0.74
0.87
3.3
1.2
1.5
0.8
1
最大
3.45
1.26
1.65
0.87
1.1
VTT
5.5
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
NS / V
微秒/ V
°C
注: 4.所有未使用的设备的输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
使用的B-端口5.正确连接顺序I / O预充电功能是GND和VCC BIAS = 3.3 V首先, I / O秒,
VCC = 3.3 V去年,由于BIAS VCC预充电电路被禁止时,任何VCC引脚连接。控制和VREF输入
可以在任何时间进行连接,但通常在I / O级相连。如果不需要的B-端口预充电,任何连接
序列是可接受的,但通常是接地的第一连接。
6. VTT和往返时间可以调节,以适应背板阻抗如果直流推荐的人工晶状体的评分不被超过。
7. VREF可以调节,以优化的噪声容限,但通常是三分之二的VTT 。 TI- OPC电路中的A到B的方向启用
与被激活时VTT
& GT ;
0.7 V高于VREF 。如果在A到B的方向操作时, VREF应在0.6V的VTT的被设置为
最大限度地减少漏电流。
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1229871090 复制
电话:400-15695632345
联系人:薛女士
地址:宣州区麒麟大道11号-102
SN74GTLPH16945
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24+
1002
MODULE
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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