GTL2010
10位双向低电压转换
www.ti.com
SCDS221 - 2006年9月
特点
提供双向电压转换
与无方向控制要求
允许电压电平转换从1 V高达
到5伏
提供直接接口GTL ， GTL + ，
LVTTL / TTL和5 V CMOS电平
低导通电阻和输入之间
输出引脚（SN / DN ）
支持热插入
无电源要求 - 不会锁存
Up
5 V容限输入
低待机电流
流通引脚排列，便于印刷的
电路板走线的路由
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114-4 ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
GND 1
S
REF
2
S1 3
S2 4
S3 5
S4 6
S5 7
S6 8
S7 9
PW包
（ TOP VIEW ）
24 G
REF
23 D
REF
22 D1
21 D2
20 D3
19 D4
18 D5
17 D6
16 D7
15 D8
14 D9
13 D10
S8 10
S9 11
S10 12
应用
双向或单向的应用
要求电压电平转换从
任何电压（ 1 V至5 V） ，以任何电压（ 1 V
到5伏）
低电压处理器I
2
端口C翻译
3.3 -V和/或5 - V I
2
C总线信号电平
GTL / GTL +转换为LVTTL / TTL信号
水平
描述/订购信息
该GTL2010提供10 NMOS旁路晶体管（锡和Dn ）与一个共同的栅极（G
REF
）和一个参考
晶体管（S
REF
和D
REF
） 。低通态电阻的开关可以连接到被制成
最小的传播延迟。 ，无需方向控制引脚，该器件允许双向电压
翻译任何电压（ 1 V至5 V ） ，以任何电压（ 1 V至5 V ） 。
当Sn或DN口为低电平时，钳位电路在接通状态和之间存在低电阻的连接
的锡和Dn端口。假设较高的电压是DN端口上，当DN口为高电平时，电压上
Sn的端口被限制在电压由基准晶体管设定（S
REF
） 。当Sn的端口为HIGH时，将dn端口
被拉至V
CC
通过上拉电阻。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
GTL2010
10位双向低电压转换
SCDS221 - 2006年9月
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描述/订购信息（续）
在GTL2010所有晶体管具有相同的电气特性，并有最小的偏差从一个
输出到另一个电压或传播延迟。这提供了优越的配套在分立晶体管
电压转换的解决方案，其中所述晶体管的制造是不对称的。所有的晶体管是
相同，参考晶体管（S
REF
/D
REF
）可以位于任何匹配的Sn / DN晶体管的其他10 ，
能够让您轻松电路板布局。译者晶体管集成ESD电路提供出色的ESD
保护。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
TSSOP - PW
包
(1)
磁带和卷轴
订购型号
SN74GTL2010PWR
顶部端标记
GK2010
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
引脚说明
PIN号
1
2
3–12
13–22
23
24
名字
GND
S
REF
Sn
Dn
D
REF
G
REF
接地（ 0 V ）
参考晶体管的源
港口S1-10
端口D10 -D1
参考晶体管的漏极
参考晶体管的栅极
描述
2
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GTL2010
10位双向低电压转换
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绝对最大额定值
(1) (2) (3)
民
V
SREF
V
DREF
V
GREF
V
Sn
V
Dn
I
REFK
I
SK
I
DK
I
最大
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
直流电源参考电压
直流漏基准电压
直流栅极电压参考
直流电压端口锡
直流电压端口DN
在参考引脚的直流电流的二极管
DC二极管电流端口锡
DC二极管电流端口DN
每通道直流钳形电流
封装的热阻抗
存储温度范围
–65
V
I
＆ LT ; 0 V
V
I
＆ LT ; 0 V
V
I
＆ LT ; 0 V
在ON状态下渠道
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
最大
7
7
7
7
7
–50
–50
–50
±128
88
150
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
的高性能的性能能力的集成电路结合其热环境可以创建结
温度下，不利于可靠性。该集成电路的最高结温度不应超过150 ℃。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
推荐工作条件
民
V
I / O
V
SREF
V
DREF
V
GREF
I
通
T
AMB
(1)
输入/输出电压（SN ， DN）
直流电源参考电压
(1)
直流漏基准电压
直流栅极电压参考
通过晶体管的电流
工作环境温度范围内（在自由空气中）
–40
0
0
0
0
最大
5.5
5.5
5.5
5.5
64
85
单位
V
V
V
V
mA
°C
V
SREF
= V
DREF
- 1.5 V的电平转换的应用达到最佳效果。
4
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
V
OL
V
IK
I
IH
C
我（ GREF ）
C
io的（OFF）的
C
io的（上）
低电平输出电压
输入钳位电压
门输入漏
栅极电容
关断电容
在电容
测试条件
V
DD
= 3 V, V
SREF
= 1.365 V, V
Sn
或V
Dn
= 0.175 V,
I
钳
= 15.2毫安
I
I
= -18毫安，
V
I
= 5 V,
V
I
= 3 V或0 V
V
O
= 3 V或0 V ，
V
O
= 3 V或0 V ，
V
GREF
= 0 V
V
GREF
= 3 V
V
GREF
= 4.5 V
V
GREF
= 3 V
V
I
= 0 V
r
对（2）
导通状态电阻
V
I
= 2.4 V
V
I
= 1.7 V
(1)
(2)
V
GREF
= 2.3 V
V
GREF
= 1.5 V
V
GREF
= 1.5 V,
V
GREF
= 4.5 V
V
GREF
= 3 V
V
GREF
= 2.3 V
I
O
= 15毫安
I
O
= 30毫安
I
O
= 64毫安
V
GREF
= 0 V
V
GREF
= 0 V
56
7.4
18.6
3.5
4.4
5.5
67
9
7
58
50
5
7
9
105
15
10
80
70
民
典型值
(1)
260
最大
350
–1.2
5
单位
mV
V
A
pF
pF
pF
所有典型值是在T测
AMB
= 25°C.
测得的由锡和DN终端之间的指示通过开关的电流的电压降。导通状态电阻
由两个（ Sn或DN）的终端的最低电压来确定。
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特点
提供双向电压转换
与无方向控制要求
允许电压电平转换从1 V高达
到5伏
提供直接接口GTL ， GTL + ，
LVTTL / TTL和5 V CMOS电平
低导通电阻和输入之间
输出引脚（SN / DN ）
支持热插入
无电源要求 - 不会锁存
Up
5 V容限输入
低待机电流
流通引脚排列，便于印刷的
电路板走线的路由
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114-4 ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
GND 1
S
REF
2
S1 3
S2 4
S3 5
S4 6
S5 7
S6 8
S7 9
PW包
（ TOP VIEW ）
24 G
REF
23 D
REF
22 D1
21 D2
20 D3
19 D4
18 D5
17 D6
16 D7
15 D8
14 D9
13 D10
S8 10
S9 11
S10 12
应用
双向或单向的应用
要求电压电平转换从
任何电压（ 1 V至5 V） ，以任何电压（ 1 V
到5伏）
低电压处理器I
2
端口C翻译
3.3 -V和/或5 - V I
2
C总线信号电平
GTL / GTL +转换为LVTTL / TTL信号
水平
描述/订购信息
该GTL2010提供10 NMOS旁路晶体管（锡和Dn ）与一个共同的栅极（G
REF
）和一个参考
晶体管（S
REF
和D
REF
） 。低通态电阻的开关可以连接到被制成
最小的传播延迟。 ，无需方向控制引脚，该器件允许双向电压
翻译任何电压（ 1 V至5 V ） ，以任何电压（ 1 V至5 V ） 。
当Sn或DN口为低电平时，钳位电路在接通状态和之间存在低电阻的连接
的锡和Dn端口。假设较高的电压是DN端口上，当DN口为高电平时，电压上
Sn的端口被限制在电压由基准晶体管设定（S
REF
） 。当Sn的端口为HIGH时，将dn端口
被拉至V
CC
通过上拉电阻。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
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描述/订购信息（续）
在GTL2010所有晶体管具有相同的电气特性，并有最小的偏差从一个
输出到另一个电压或传播延迟。这提供了优越的配套在分立晶体管
电压转换的解决方案，其中所述晶体管的制造是不对称的。所有的晶体管是
相同，参考晶体管（S
REF
/D
REF
）可以位于任何匹配的Sn / DN晶体管的其他10 ，
能够让您轻松电路板布局。译者晶体管集成ESD电路提供出色的ESD
保护。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
TSSOP - PW
包
(1)
磁带和卷轴
订购型号
SN74GTL2010PWR
顶部端标记
GK2010
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
引脚说明
PIN号
1
2
3–12
13–22
23
24
名字
GND
S
REF
Sn
Dn
D
REF
G
REF
接地（ 0 V ）
参考晶体管的源
港口S1-10
端口D10 -D1
参考晶体管的漏极
参考晶体管的栅极
描述
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绝对最大额定值
(1) (2) (3)
民
V
SREF
V
DREF
V
GREF
V
Sn
V
Dn
I
REFK
I
SK
I
DK
I
最大
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
直流电源参考电压
直流漏基准电压
直流栅极电压参考
直流电压端口锡
直流电压端口DN
在参考引脚的直流电流的二极管
DC二极管电流端口锡
DC二极管电流端口DN
每通道直流钳形电流
封装的热阻抗
存储温度范围
–65
V
I
＆ LT ; 0 V
V
I
＆ LT ; 0 V
V
I
＆ LT ; 0 V
在ON状态下渠道
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
最大
7
7
7
7
7
–50
–50
–50
±128
88
150
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
的高性能的性能能力的集成电路结合其热环境可以创建结
温度下，不利于可靠性。该集成电路的最高结温度不应超过150 ℃。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
推荐工作条件
民
V
I / O
V
SREF
V
DREF
V
GREF
I
通
T
AMB
(1)
输入/输出电压（SN ， DN）
直流电源参考电压
(1)
直流漏基准电压
直流栅极电压参考
通过晶体管的电流
工作环境温度范围内（在自由空气中）
–40
0
0
0
0
最大
5.5
5.5
5.5
5.5
64
85
单位
V
V
V
V
mA
°C
V
SREF
= V
DREF
- 1.5 V的电平转换的应用达到最佳效果。
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
V
OL
V
IK
I
IH
C
我（ GREF ）
C
io的（OFF）的
C
io的（上）
低电平输出电压
输入钳位电压
门输入漏
栅极电容
关断电容
在电容
测试条件
V
DD
= 3 V, V
SREF
= 1.365 V, V
Sn
或V
Dn
= 0.175 V,
I
钳
= 15.2毫安
I
I
= -18毫安，
V
I
= 5 V,
V
I
= 3 V或0 V
V
O
= 3 V或0 V ，
V
O
= 3 V或0 V ，
V
GREF
= 0 V
V
GREF
= 3 V
V
GREF
= 4.5 V
V
GREF
= 3 V
V
I
= 0 V
r
对（2）
导通状态电阻
V
I
= 2.4 V
V
I
= 1.7 V
(1)
(2)
V
GREF
= 2.3 V
V
GREF
= 1.5 V
V
GREF
= 1.5 V,
V
GREF
= 4.5 V
V
GREF
= 3 V
V
GREF
= 2.3 V
I
O
= 15毫安
I
O
= 30毫安
I
O
= 64毫安
V
GREF
= 0 V
V
GREF
= 0 V
56
7.4
18.6
3.5
4.4
5.5
67
9
7
58
50
5
7
9
105
15
10
80
70
民
典型值
(1)
260
最大
350
–1.2
5
单位
mV
V
A
pF
pF
pF
所有典型值是在T测
AMB
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测得的由锡和DN终端之间的指示通过开关的电流的电压降。导通状态电阻
由两个（ Sn或DN）的终端的最低电压来确定。
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